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應(yīng)用材料公司今日發(fā)布了其獨(dú)特的電子束量測(cè)系統(tǒng)。該系統(tǒng)為基于大規(guī)模器件上量測(cè)、跨晶圓量測(cè)和穿透量測(cè)的圖形化控制啟用了全新的戰(zhàn)略。
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PROVision? 3E系統(tǒng)基于全新的圖形化控制戰(zhàn)略，通過(guò)將納米級(jí)分辨率、高速和穿透成像合而為一，為工程師提供數(shù)百萬(wàn)個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)，滿足其正確完成最先進(jìn)的芯片設(shè)計(jì)圖形化的需求
先進(jìn)芯片是逐層構(gòu)建的，數(shù)以十億計(jì)的獨(dú)立特征都必須逐一完美地圖形化并對(duì)齊，才能制造出能正常使用的晶體管和具有光電特性的互連結(jié)構(gòu)。隨著整個(gè)行業(yè)從簡(jiǎn)單的二維設(shè)計(jì)向更激進(jìn)的多重圖形化和三維設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)型，量測(cè)方法也需要與之相應(yīng)的突破來(lái)完善每個(gè)關(guān)鍵層次，以實(shí)現(xiàn)最佳的性能、功率、面積成本和上市時(shí)間（PPACt?）。
傳統(tǒng)圖形化控制戰(zhàn)略
從傳統(tǒng)角度來(lái)說(shuō)，圖形化控制是通過(guò)用光學(xué)套刻量測(cè)設(shè)備來(lái)幫助將晶粒上的圖形和“套刻標(biāo)識(shí)”保持一致來(lái)實(shí)現(xiàn)，這些套刻標(biāo)識(shí)通過(guò)光罩被刻在晶粒與晶粒之間，切片的時(shí)候會(huì)從晶圓上被移除。通過(guò)對(duì)整片晶圓數(shù)據(jù)抽樣可以計(jì)算出套刻標(biāo)識(shí)的近似值。
但在經(jīng)歷連續(xù)多代的特征微縮、多重圖形化的更廣泛采用、以及引入導(dǎo)致層間失真的三維設(shè)計(jì)之后，傳統(tǒng)方法所引發(fā)的量測(cè)缺陷或“盲點(diǎn)”不斷增加，使工程師將期望的圖形與片上結(jié)果正確關(guān)聯(lián)的難度與日俱增。
全新的圖形化控制戰(zhàn)略
隨著全新電子束系統(tǒng)技術(shù)的誕生，客戶能夠跨整個(gè)晶圓并穿越各層次直接高速測(cè)量半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，客戶得以大步邁向了基于大數(shù)據(jù)的全新圖形化控制戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型之路。PROVision? 3E 系統(tǒng)正是應(yīng)用材料公司為這一全新戰(zhàn)略而專門(mén)設(shè)計(jì)的最新電子束量測(cè)創(chuàng)新技術(shù)。
應(yīng)用材料公司集團(tuán)副總裁、成像與工藝控制事業(yè)部總經(jīng)理基斯·威爾斯表示：“作為電子束技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，應(yīng)用材料公司正在為客戶提供全新的圖形化控制戰(zhàn)略，這一戰(zhàn)略專為最先進(jìn)的邏輯芯片和內(nèi)存芯片而優(yōu)化。PROVision 3E系統(tǒng)的分辨率和速度使之能夠突破光學(xué)量測(cè)的盲點(diǎn)，不僅可以跨整個(gè)晶圓，也可以在芯片的多個(gè)不同層次之間執(zhí)行準(zhǔn)確的測(cè)量，為芯片制造商提供多維數(shù)據(jù)集，滿足其改善PPAC并加速新工藝制程技術(shù)和芯片快速上市的需求。”
PROVision 3E系統(tǒng)
PROVision 3E系統(tǒng)包含多種技術(shù)特征，支持當(dāng)下最先進(jìn)設(shè)計(jì)所需的圖形化控制能力，包括3納米晶圓代工邏輯芯片、全環(huán)繞柵極晶體管以及下一代 DRAM和3D NAND。?
- 分辨率：應(yīng)用材料公司業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的電子束鏡筒技術(shù)可以提供當(dāng)下可實(shí)現(xiàn)的最高電子密度，支持1納米分辨率的精細(xì)成像。
- 準(zhǔn)確性：憑借數(shù)十年CD SEM系統(tǒng)和算法專業(yè)知識(shí)，為關(guān)鍵特征提供準(zhǔn)確、高精度的測(cè)量。
- 速度：每小時(shí)能夠執(zhí)行1000萬(wàn)次測(cè)量，測(cè)量結(jié)果準(zhǔn)確且切實(shí)可行。
- 多層：應(yīng)用材料公司獨(dú)特的Elluminator? 技術(shù)能夠捕獲95%的背散射電子，以便同時(shí)快速測(cè)量多個(gè)層次的關(guān)鍵尺寸和邊緣布局。
- 范圍：支持廣泛的電子束能級(jí)。高能模式支持快速測(cè)量，深度達(dá)數(shù)百納米。低能模式支持對(duì)包括EUV光刻膠在內(nèi)的各種脆性材料和結(jié)構(gòu)進(jìn)行無(wú)損測(cè)量
將這些特性結(jié)合在一起，可使客戶得以擺脫由光學(xué)套刻標(biāo)識(shí)近似計(jì)算、有限統(tǒng)計(jì)采樣和單層控制組成的舊圖形化控制戰(zhàn)略，轉(zhuǎn)而實(shí)現(xiàn)基于大規(guī)模器件上、跨晶圓和穿透量測(cè)與控制的新戰(zhàn)略。
工藝菜單優(yōu)化
PROVision 3E系統(tǒng)同時(shí)也是應(yīng)用材料公司的AIx (Actionable Insight Accelerator) 平臺(tái)的關(guān)鍵組件，此平臺(tái)將工藝制程技術(shù)、傳感器和數(shù)據(jù)分析有機(jī)結(jié)合，使工藝技術(shù)發(fā)展過(guò)程中從研發(fā)、產(chǎn)能爬坡到大規(guī)模量產(chǎn)在內(nèi)的每個(gè)階段都能無(wú)一例外顯著提速。AIx平臺(tái)分析將工藝變量與 PROVision 3E捕獲的晶圓上測(cè)量結(jié)果相關(guān)聯(lián)，幫助工程師使工藝發(fā)展速度倍增，并將工藝窗口拓寬達(dá)三成。
上市情況
PROVision 3E系統(tǒng)現(xiàn)已得到了全球范圍內(nèi)領(lǐng)先的各大晶圓代工邏輯芯片、DRAM和NAND客戶的廣泛使用。在近日舉辦的2021年度工藝控制和AppliedPRO?大師課上，應(yīng)用材料公司已就圖形化控制、PROVision 3E和工藝菜單優(yōu)化相關(guān)的其他信息進(jìn)行深入探討。
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