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與非網(wǎng)7月22日訊 電阻RAM (ReRAM)技術(shù)已經(jīng)被期待好幾年了。盡管它在幾家芯片制造商的路線圖上占有一席之地，而且是HPE基于憶阻器的“the Machine”項目等新型架構(gòu)的一部分，但它從未作為一項革命性的存儲技術(shù)獲得成功，盡管這個概念非常有意義。
Crossbar公司成立于2010年，總部位于美國加州圣克拉拉，它開發(fā)了一種電阻式隨機存取存儲器（ReRAM），它基于銀離子通過非晶硅遷移形成絲狀結(jié)構(gòu)。該公司的目標是生產(chǎn)多層獨立的TB級存儲器芯片，并將該技術(shù)集成到標準CMOS邏輯中，以提供嵌入式非易失性存儲器。它提供具有特定功能，大小和性能的預定義和自定義IP內(nèi)核。是ReRAM技術(shù)的業(yè)界領(lǐng)導者。Sylvain Dubois指出，ReRAM技術(shù)能夠很好地填補DRAM與閃存SSD之間的延遲差距。
Crossbar RRAM技術(shù)被廣泛視為極有可能取代當前非易失性內(nèi)存技術(shù)的有力競爭者。Crossbar擁有大容量和快速的優(yōu)勢，并將成為下一代企業(yè)和數(shù)據(jù)中心存儲系統(tǒng)的理想選擇。
可制造性、成本和其他因素都起到了一定作用，但對于像Crossbar這樣把整個業(yè)務(wù)都押在ReRAM新興角色上的公司來說，這一策略尚未獲得回報。而這家公司今天卻宣布了一項可能為ReRAM技術(shù)帶來新生命的安全技術(shù)。
CrossBar公司表示，ReRAM技術(shù)可以用于創(chuàng)建物理不可克隆功能(PUF)密鑰，因為每個密鑰都是特定于單個IC的。
這個想法得到了一些支持，包括來自北亞利桑那大學納米技術(shù)和網(wǎng)絡(luò)安全小組的 Bertrand Cambou 博士。他說，在評估了其他 PUF方法后，ReRAM 具有優(yōu)勢。“由于其獨特的隨機和電氣特性，與現(xiàn)有 PUF 技術(shù)相比，CrossBar 的 ReRAM PUF 可實現(xiàn)更安全的系統(tǒng)。” Cambou 在這里詳細討論了與 ReRAM 相比的其他方法。這是關(guān)于 PUF 如何也適用于 ReRAM 的有用描述。
“基于電阻器件的統(tǒng)計分析，在 ReRAM 陣列上生成 PUF 的方法很有前景，”Cambou 說。他補充說：“電阻式 RAM 是一種用于設(shè)計安全應用程序、PUF 和 RNG 的有吸引力的存儲器技術(shù)。與閃存相比，它功耗低、速度快、結(jié)構(gòu)緊湊，對側(cè)信道攻擊的敏感度更低。”
公平地說，研究 ReRAM 技術(shù)在 PUF 和安全性中的作用并不是一個新想法。2016 年，松下半導體集團首次提出該概念，使用 40納米 ReRAM 測試芯片來測試該想法（取得了一定的成功）。盡管從 2016 年到現(xiàn)在進行了研究，但是，就我們可以找到的用例而言，這仍然有點邊緣，就像 ReRAM 本身一樣，擁有所有正確的組件，但沒有找到進入更廣泛市場的正確“it因素” .
對于 CrossBar 來說，這一定是令人沮喪的。在 ReRAM 未能成為內(nèi)存創(chuàng)新的下一個大事件之后，該公司發(fā)現(xiàn)自己處于另一個艱難的市場。PUF外殼上已經(jīng)有很多技術(shù)（都是使用SRAM，順便說一句，便宜）。CrossBar 總裁 Mark Davis 表示，與基于 SRAM 的 PUF 方法相比，他們的方法允許更高程度的隨機性、更低的誤碼率，并且所有這些“都不需要模糊提取器、輔助數(shù)據(jù)或大量糾錯碼”.
就更廣泛的 ReRAM 而言，值得仔細研究（我們正在研究）為什么 ReRAM 從未起步。它可以擴展到 10 納米以下，具有出色的閃存讀取延遲，并且寫入速度比 NAND 快很多。它不需要任何超級花哨的制造魔法。那么為什么市場會忽略 ReRAM 呢？
CrossBar 表示，就其現(xiàn)在的業(yè)務(wù)而言，它已在多個 CMO 代工廠工藝節(jié)點上可用，以獲得更高的密度和更緊密集成的設(shè)備。順便說一下，該公司通過向 SoC 和內(nèi)存公司授權(quán)作為現(xiàn)成的和定制的 IP 核來維持生計。它于 2010 年首次上市，在下一代內(nèi)存的早期，雖然安全應用角度可能會幫助他們繼續(xù)與 ReRAM 斗爭，但很難說未來幾年該技術(shù)的未來通常會是什么樣子。
