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與非網(wǎng) 9 月 20 日訊，9 月 19 日在深圳舉辦的中國閃存技術(shù)峰會(huì)上，長鑫存儲(chǔ)副總裁、未來技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士進(jìn)行了《DRAM 技術(shù)趨勢(shì)與行業(yè)應(yīng)用》的演講。
平爾萱博士表示，隨著數(shù)據(jù)量的增加，數(shù)據(jù)處理能力就需要相應(yīng)的加強(qiáng)，因此需要更強(qiáng)大的 CPU，同時(shí)存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)容量、讀寫速度也需要加強(qiáng)。因此近年來對(duì) DRAM 的要求也在持續(xù)提高。
在此次會(huì)議上，平爾萱博士對(duì)奇夢(mèng)達(dá) DRAM 也有提及。他表示，在 DRAM 技術(shù)的演進(jìn)過程中，曾經(jīng)的 DRAM 巨頭奇夢(mèng)達(dá)提出的埋入式電柵三極管概念給整個(gè)產(chǎn)業(yè)帶來了巨大的貢獻(xiàn)。
DRAM 技術(shù)在發(fā)明之后的幾十年里，經(jīng)歷了從平面結(jié)構(gòu)向空間爭(zhēng)取表面積的溝槽式電容及堆疊式電容的架構(gòu)。
而奇夢(mèng)達(dá) DRAM 技術(shù)也是利用空間，將三極管的性能提升，這種提升隨著線寬的減少越來越重要。此外，近代 DRAM 產(chǎn)品也都沿用了這個(gè)概念。
長鑫的技術(shù)來源已經(jīng)不是秘密，此前在 GSA+Memory 存儲(chǔ)峰會(huì)上，長鑫存儲(chǔ)的董事長兼 CEO 朱一明發(fā)表了《中國存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展與解決方案》主題演講，提到了長鑫的 DRAM 內(nèi)存技術(shù)來源，主要就是已破產(chǎn)的奇夢(mèng)達(dá)公司，獲得了一千多萬份有關(guān) DRAM 的技術(shù)文件及 2.8TB 數(shù)據(jù)，在此基礎(chǔ)上改進(jìn)、研發(fā)自主產(chǎn)權(quán)的內(nèi)存芯片，耗資超過 25 億美元。
奇夢(mèng)達(dá)已經(jīng)破產(chǎn)多年，他們的內(nèi)存技術(shù)實(shí)際上停留在了前幾代的水平，平爾萱博士稱長鑫已經(jīng)借助先進(jìn)的設(shè)備將奇夢(mèng)達(dá) 46nm 工藝水平的內(nèi)存芯片推進(jìn)到了 10nm 級(jí)別。
不過公開報(bào)道中沒有說明平爾萱博士所說的 10nm 級(jí)別到底是什么水平，理論上 20nm 之后的都可以叫做 10nm 級(jí)，但三星是在 20nm、18nm 之后發(fā)展了 1Xnm、1Ynm、1Znm，從 1Xnm 工藝才開始稱作 10nm 級(jí)內(nèi)存。
結(jié)合之前的報(bào)道，長鑫公司今年底會(huì)量產(chǎn) 19nm 工藝、8Gb 核心的 DDR4 內(nèi)存芯片，不知道這個(gè)內(nèi)存是否就是平爾萱博士所說的 10nm 級(jí)內(nèi)存。
不論是 19nm 還是其他工藝的內(nèi)存，總體來說國內(nèi)公司如果能在年底量產(chǎn) 10nm 級(jí)別的內(nèi)存，起點(diǎn)還是非常高的，與國際先進(jìn)水平的差距也就 2-3 年的樣子，這個(gè)水平相比其他芯片的差距就小太多了。
在談到 DRAM 技術(shù)未來發(fā)展時(shí)，平爾萱博士表示，DRAM 是有極限的，通過改進(jìn)可以將極限推遲，例如導(dǎo)入 EUV 及 HKMG 三極管以縮小線寬及加強(qiáng)外圍電路性能。此外，EUV 主要是針對(duì)陣列，外圍線路的增強(qiáng)及微縮也是近來 DRAM 技術(shù)發(fā)展的另一個(gè)機(jī)會(huì)。
平爾萱博士也強(qiáng)調(diào)，繼續(xù)推進(jìn) DRAM 技術(shù)的發(fā)展，還需要在新材料、新架構(gòu)上進(jìn)行更多探索，也需要加強(qiáng)與其他企業(yè)的合作?；仡欉^去幾十年的 DRAM 發(fā)展，證明 IDM 是發(fā)展 DRAM 的必然選擇，而這正是長鑫存儲(chǔ)從一開始建立就堅(jiān)持的。
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