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中國正急于建立自己的記憶體業(yè)務(wù)，這一點(diǎn)當(dāng)然毋庸置疑。不過到底要如何以及何時(shí)才能實(shí)現(xiàn)這一愿景卻仍舊是個(gè)跡，日本的幾位半導(dǎo)體行業(yè)知情人士在接受采訪時(shí)指出。
中國國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金擁有雄厚的財(cái)力，而這筆由地方政府主導(dǎo)的經(jīng)濟(jì)資源將被用于幫助中國的“記憶體夢”一步步成為現(xiàn)實(shí)。
不過拋開主觀愿望，中國要想真正建立屬于自己的記憶體產(chǎn)業(yè)，還需要可靠的知識產(chǎn)權(quán)來源與工程技術(shù)人才。
中國代工廠商 XMC 于上周在武漢正式著手興建一座新的晶圓工廠，旨在制造 3D NAND 閃存記憶體。整個(gè)建設(shè)計(jì)劃預(yù)計(jì)耗資２４０億美元，資金來源則包括集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金以及中國發(fā)展投資基金等多個(gè)財(cái)團(tuán)，XMC 方面指出。
一位日本半導(dǎo)體設(shè)備專家表示，這筆交付 XMC 的投資“極其巨大”。他同時(shí)語帶諷刺地指出：“這意味著項(xiàng)目必須得取得成功。”不過在被問及 XMC 將使用哪家企業(yè)的 3D NAND 閃存技術(shù)時(shí)，他的回答是“他們說使用的是自有 IP。不過我對此并不了解。”
三星對東芝
IHS 技術(shù)公司半導(dǎo)體價(jià)值鏈主管 Akira Minamikawa 也表達(dá)了類似的謹(jǐn)慎態(tài)度。說起 XMC 的 3D NAND 閃存制造起步工作，他認(rèn)為“非常艱難”。以三星為例，他指出盡管三星公司在其 3D NAND 閃存項(xiàng)目當(dāng)中投入了大量資源，但仍然耗費(fèi)相當(dāng)長的時(shí)間才構(gòu)建完成。
東芝公司據(jù)稱同樣飽受 3D NAND 閃存開發(fā)難題的困擾。Minamikawa 發(fā)現(xiàn)東芝公司的 3D NAND 閃存記憶體進(jìn)程較三星方面“至少延后了一年時(shí)間”。“誠然，東芝公司表示其 3D NAND 已經(jīng)開始發(fā)布樣品。但一般來講，樣品制造與批量生產(chǎn)之間仍然有著很大距離。”
可以肯定的是，XMC 也將面臨著同樣的挑戰(zhàn)——事實(shí)證明，3D NAND 閃存技術(shù)的發(fā)展成熟以及制作當(dāng)中所必需的精密工藝技術(shù)都需要長時(shí)間打磨方可實(shí)現(xiàn)。“當(dāng)然，整個(gè)過程至少需要三到四年，”Minmikawa 表示，“甚至更久。”
而更令各位專家費(fèi)解的是，XMC 是否真的擁有自己的 3D NAND 閃存知識產(chǎn)權(quán)。
一種可能的解釋來自 Spansion 公司一年前發(fā)布的聲明（此后該公司被 Cypress 所收購）。Spansion 方面表示，其將與 XMC 合作開發(fā) 3D NAND 技術(shù)。
不過問題在于，Spansion 的閃存記憶體開發(fā)工作并非主要指出 NAND，而是 NOR 閃存，Takashi Yunokami 在采訪中解釋稱。
Yunogami 是一位工程師出身的顧問，并出版過多部關(guān)于日本半導(dǎo)體行業(yè)的論著。在日立公司效力期間，他專門負(fù)責(zé)干蝕刻技術(shù)的開發(fā)。
總而言之，沒人見到過 Spansion 的 3D NAND 親戚，Yunogami 解釋道。這意味著 XMC 與 Spansion——或者說現(xiàn)在的 Cypress——的合作成果始終難以捉摸。
不過在接受采訪時(shí)，武漢 XMC 公司給出了完全不同的 3D NAND 閃存技術(shù)發(fā)展綱要。XMC 公司的一位發(fā)言人通過電子郵件對采訪做出了答復(fù)：
XMC 公司于 2014 年開始推進(jìn) 3D NAND 項(xiàng)目。在此之后，XMC 與 Spansion（現(xiàn)已被 Cypress 收購）則共同簽訂了面向 3D NAND 閃存研發(fā)工作的合作協(xié)議及交叉授權(quán)許可，意味著雙方將共享相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)。
XMC 方面宣稱，該公司于 2015 年 5 月“在 3D NAND 項(xiàng)目上取得了重大進(jìn)展”，當(dāng)時(shí)該公司的第一款測試芯片“通過電氣驗(yàn)證”。這位發(fā)言人同時(shí)補(bǔ)充稱，“從那時(shí)開始，XMC 不斷在記憶體單元性能與可靠性優(yōu)化方面取得改進(jìn)。”
XMC 公司深諳 3D NAND 市場上的競爭格局。在去年 11 月召開的集成電路行業(yè)促進(jìn)大會上，ＸＭＣ公司首席運(yùn)營官洪沨在演講中指出，ＮＡＮＤ閃存技術(shù)“為ＸＭＣ提供了千載難逢的發(fā)展機(jī)會。”他同時(shí)補(bǔ)充稱，“三星主導(dǎo) 3D NAND 開發(fā)市場不過兩年左右。立足于當(dāng)下，我們?nèi)匀缓苡锌赡苡^趕上并躋身一線集團(tuán)。”
另外還有與 Spansion 的合作關(guān)系。盡管已經(jīng)被 Cypress 公司所收購，但 XMC 堅(jiān)信“雙方的合作關(guān)系并未受到影響。”
回顧 Spansion 與 XMC 在去年 2 月發(fā)布的聲明，時(shí)任 Spansion 公司戰(zhàn)略聯(lián)盟高級副總裁的 Ali Pourkeramati 指出：
3D NAND 將徹底轉(zhuǎn)變未來數(shù)據(jù)的存儲效率。我們擁有領(lǐng)先的 MirrorBit 技術(shù)，這是我們過去十年以來的努力結(jié)晶，而其將成為 3D NAND 創(chuàng)新工作中的核心優(yōu)勢并帶來無可匹敵的高性能數(shù)據(jù)存儲方案。
IHS 公司的 Minamikawa 表示，日本各半導(dǎo)體企業(yè)都曾經(jīng)沖擊過 NAND 這一技術(shù)難題，不過具體時(shí)間點(diǎn)大概是在十年前。部分日本工程師對于 NAND 非常精通——然而，他們所開發(fā)了的 NAND 技術(shù)與如今的 3D NAND 閃存可謂截然不同，他坦言。
這就帶來了新的問題，XMC 能否吸引到充足且經(jīng)驗(yàn)豐富的工程師，以肩負(fù)起中國發(fā)展自有 3D NAND 的野心？這恐怕正是瓶頸所在，Minamikawa 表示。
同樣的，中國在制程技術(shù)層面同樣缺乏人才儲備，Yunogami 立足于客觀評論道，“就個(gè)人而言，我認(rèn)為這會令 XMC 相當(dāng)被動。”
投資思路毫無問題
不過考慮到大數(shù)據(jù)時(shí)代下對記憶體資源的迫切需求，Yunogami 認(rèn)為中國建立自己的記憶體業(yè)務(wù)是非常明智的。
為了證明實(shí)際經(jīng)濟(jì)效應(yīng)，Sanford C. Bernstein 公司研究人員預(yù)測稱，中國 2013 年用于采購芯片的開銷甚至高于石油進(jìn)口總額。
XMC 公司 CEO 楊士寧在去年 11 月于中國召開的記憶體與數(shù)據(jù)存儲技術(shù)峰會上做出了主題演講。
當(dāng)時(shí)，楊士寧總結(jié)稱“記憶體開發(fā)工作將成為一場‘不可避免的戰(zhàn)斗’，特別是考慮到中國需要爭取在集成電路產(chǎn)業(yè)與國內(nèi)供應(yīng)能力領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)快速突破。”
與 CPU 業(yè)務(wù)進(jìn)行比較——其需要“一套相當(dāng)復(fù)雜的生態(tài)系統(tǒng)”，楊士寧指出，“記憶體技術(shù)同樣很難實(shí)現(xiàn)突破，但只要能夠解決瓶頸并維持產(chǎn)量，所能產(chǎn)出的總存儲容量將快速提升。”
楊士寧就 XMC 的此次積極投資提出了三點(diǎn)理由。
目前全世界記憶體市場需求的 55%來自中國。只要產(chǎn)品質(zhì)量過硬，產(chǎn)品將能夠順利吸引到國內(nèi)企業(yè)客戶的注意。第二，記憶體開發(fā)工作需要由政府出資并提供政策扶持。第三，好的項(xiàng)目能夠吸引大量技術(shù)人才進(jìn)入中國。
其它響應(yīng)中國記憶體產(chǎn)品號召的供應(yīng)商還包括三星，其 3D V-NAND 閃存記憶體芯片工廠已經(jīng)于西安建成并投入使用；還有英特爾，其于去年 10 月宣布將升級位于大連的 300 毫米邏輯芯片工廠以用于生產(chǎn) 3D NAND。
Sino King 迅速跟進(jìn)
來自中國臺灣的 Sino King Technology（由 Elpida 公司前任 CEO Yukio Sakamoto 執(zhí)掌）公司亦在積極追隨中國的記憶體發(fā)展野心與集成電路行業(yè)投資基金帶來的巨款。
有媒體于 2 月底報(bào)道稱，Sino King 正計(jì)劃成為“中國在合肥投資 8000 億日元（折合 70 億美元）所建立的新項(xiàng)目中的一部分”，旨在面向物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備開發(fā)低功耗 DRAM。
但隨后官方發(fā)布聲明，稱中國并沒有最終拍板這一項(xiàng)目規(guī)劃。
日本記憶體技術(shù)觀察家們則猜測，Sakamoto 可能是在等待官方意見的過程中心情過分急切，而他泄露出消息則是為了向中方施壓。
同時(shí)報(bào)道稱，Sino King 公司計(jì)劃“最早到 2017 年下半年實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)能力。”
Making Yunogami 對 Sino King 的計(jì)劃表示懷疑，該公司宣稱“將從日本、中國臺灣及中國招聘約 1000 名設(shè)計(jì)與生產(chǎn)技術(shù)工程師。”
Sino King 公司在最初建立起只擁有 10 名來自日本與中國臺灣的工程師。誠然，Sakamoto 可以動用自己的關(guān)系吸引更多日本工程師，但建立“1000 名工程師”的作法在記憶體技術(shù)領(lǐng)域“幾乎不可能”，Yunogami 表示。
但原本曾任職于 Renesas 的工程師是否有可能批量加入呢？恐怕不行，Yunogami 指出。“這批工程師中大部分已經(jīng)投奔東芝，并繼續(xù)從事 3D NAND 閃存開發(fā)工作。”
