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納芯微推出1200V首款SiC?MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規(guī)與工規(guī)兩種等級(jí)。
- 更寬的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍（-8~22V）
- 支持+15V，+18V驅(qū)動(dòng)模式（可實(shí)現(xiàn)IGBT兼容：+15 V）
- +18V模式下，RDSon可降低20%
- 更好的RDSon溫度穩(wěn)定性
- 出色的閾值電壓一致性
- Vth在25°C~175°C?的范圍保持在2.0V~2.8V之間
- 體二極管正向壓降非常低且穩(wěn)健性高
- 100%的雪崩測試，從而提高整體的可靠性，抗沖擊能力強(qiáng)
此外，功率產(chǎn)品開發(fā)中可靠性驗(yàn)證與質(zhì)量控制是納芯微非常重視環(huán)節(jié)之一。為了提供給客戶更可靠的碳化硅MOSFET產(chǎn)品，在碳化硅芯片生產(chǎn)過程中施行嚴(yán)格的質(zhì)量控制，所有碳化硅產(chǎn)品做到?100% 靜態(tài)電參數(shù)測試，100%抗雪崩能力測試。此外，會(huì)執(zhí)行比AEC-Q101更加嚴(yán)格的測試條件來執(zhí)行產(chǎn)品可靠性驗(yàn)證，如下圖：
以執(zhí)行較為嚴(yán)苛的HV-H3TRB為例，在可靠性1000小時(shí)測試后，該款產(chǎn)品仍具有比較優(yōu)異的穩(wěn)定性。
NPC060N120A產(chǎn)品選型表
納芯微SiC?MOSFET命名規(guī)則
未來，納芯微將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出更多規(guī)格產(chǎn)品供客戶選擇。
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