加入星計(jì)劃,您可以享受以下權(quán)益:

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴(kuò)散
  • 作品版權(quán)保護(hù)
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長(zhǎng)期合作伙伴
立即加入
  • 正文
  • 推薦器件
  • 相關(guān)推薦
  • 電子產(chǎn)業(yè)圖譜
申請(qǐng)入駐 產(chǎn)業(yè)圖譜

自愈式并聯(lián)電容器過流原因

08/22 07:42
748
閱讀需 3 分鐘
加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

自愈式并聯(lián)電容器出現(xiàn)過流的原因可能包括以下幾種情況:

1、電網(wǎng)電壓過高

  • 過壓引起的過流:電網(wǎng)電壓過高會(huì)導(dǎo)致電容器兩端電壓增大,電容器的電流隨之增加,可能超過其額定值,導(dǎo)致過流現(xiàn)象。

?

2、諧波影響

  • 諧波電流引起過流:如果電網(wǎng)中存在較多的高次諧波成分,電容器會(huì)對(duì)這些諧波產(chǎn)生較小的阻抗,導(dǎo)致諧波電流通過電容器增加,從而引發(fā)過流。

?

3、電容器內(nèi)部故障

  • 局部短路或損壞:自愈式電容器在內(nèi)部可能會(huì)發(fā)生局部短路或擊穿,雖然自愈過程可以恢復(fù)絕緣,但如果局部損傷較嚴(yán)重或多次發(fā)生,會(huì)導(dǎo)致電容器的有效電容減小,進(jìn)而導(dǎo)致電流增加。

?

4、電容器組配置不合理

  • 電容器容量不匹配:如果電容器組中的電容器容量不均衡或配置不合理,可能會(huì)導(dǎo)致部分電容器承受過大的電流,從而引發(fā)過流。

?

5、操作不當(dāng)

  • 投入或切除瞬間的過流:在電容器組投入或切除時(shí),由于操作時(shí)間或方式不當(dāng),可能會(huì)引發(fā)瞬時(shí)過流現(xiàn)象。這種情況通常與操作順序或保護(hù)設(shè)置有關(guān)。

?

6、環(huán)境溫度過高

  • 溫度影響電容器性能:高溫環(huán)境下,電容器的電性能可能發(fā)生變化,電容器的等效串聯(lián)電阻(ESR)增大,導(dǎo)致?lián)p耗增加,從而導(dǎo)致過流。

?

7、設(shè)備老化

  • 電容器老化引起的性能下降:隨著使用時(shí)間的增加,自愈式電容器內(nèi)部的自愈能力可能減弱,導(dǎo)致某些部位的絕緣性能下降,進(jìn)而引發(fā)局部過流現(xiàn)象。

針對(duì)這些原因,可以采取相應(yīng)的措施,比如檢查電網(wǎng)電壓、安裝諧波濾波器、合理配置電容器組、確保正確操作和定期維護(hù)電容器等,以減少或避免過流現(xiàn)象的發(fā)生。

推薦器件

更多器件
器件型號(hào) 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊(cè) ECAD模型 風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 參考價(jià)格 更多信息
ATSAM4S16BA-AN 1 Atmel Corporation RISC Microcontroller, 32-Bit, FLASH, CORTEX-M4 CPU, 120MHz, CMOS, PQFP64, LQFP-64
$8.76 查看
ATXMEGA128A4U-MHR 1 Atmel Corporation RISC Microcontroller, 16-Bit, FLASH, AVR RISC CPU, 32MHz, CMOS, PQCC44, 7 X 7 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, GREEN, PLASTIC, MO-220VKKD-3, VQFN-44
$4.48 查看
AT90CAN128-16AUR 1 Microchip Technology Inc IC MCU 8BIT 128KB FLASH 64TQFP
$8.98 查看

相關(guān)推薦

電子產(chǎn)業(yè)圖譜

庫(kù)克庫(kù)伯電氣(上海)有限公司30余年專注無功補(bǔ)償及諧波治理等電能質(zhì)量問題。在電力電容器,濾波電容器,自愈式電力電容器,濾波電抗器等產(chǎn)品上有專業(yè)的技術(shù)和優(yōu)質(zhì)的客戶服務(wù)。