一、USB發(fā)展歷程與接口分類
由英特爾等多家公司聯(lián)合在1996年推出通用串行總線(英語(yǔ):Universal Serial Bus,縮寫:USB)是一種串口總線標(biāo)準(zhǔn),也是一種輸入輸出接口的技術(shù)規(guī)范,被廣泛地應(yīng)用于個(gè)人電腦和移動(dòng)設(shè)備等信息通訊產(chǎn)品,并擴(kuò)展至攝影器材、數(shù)字電視(機(jī)頂盒)、游戲機(jī)等其它相關(guān)領(lǐng)域。最新一代USB 4于 2019 年發(fā)布,支持高達(dá) 40 Gbps 的連接,同時(shí)提供與 Thunderbolt 3 和 4 的交叉兼容性。USB 4 版本 2.0 將最大速度翻倍至 80 Gbps,但可以更高,單向高達(dá) 120 Gbps(下行鏈路為 40 Gbps),為高分辨率顯示器供電,三段式電壓5V/12V/20V,最大供電100W ,新型Type C接口允許正反盲插,并向后兼容?USB 3.2 和 USB 2.0。
USB協(xié)議 | 支持
帶寬 |
發(fā)布時(shí)間 | 信號(hào)線建議 |
USB 1.0 | 1.5Mbps | 1996年1月15 日 | 低于15pF |
USB 1.1 | 12Mbps | 1998年9月23日 | 低于15pF |
USB 2.0 | 480Mbps | 2000年4月27日 | 低于3.0pF |
USB3.0 | 5Gbps | 2008年11月12日 | 低于0.5pF |
USB 3.1 Gen 1 | 5Gbps | 2013年7月26日 | 低于0.5pF |
USB 3.1 Gen 2 | 10Gbps | 低于0.25pF | |
USB 3.2 Gen 1 | 5Gbps | 2017年9月22日 | 低于0.5pF |
USB 3.2 Gen 2 | 10Gbps | 低于0.25pF | |
USB 3.2 Gen 1x2 | 10Gbps | 低于0.25pF | |
USB 3.2 Gen 2x2 | 20Gbps | 低于0.20pF | |
USB4 Gen2x2 | 20Gbps | 2019年8月 | 低于0.20pF |
USB4 Gen3x2 | 40Gbps+ | 低于0.15pF | |
Thunderbolt 3 | 40Gbps | 2016年3月 | 低于0.15pF |
Thunderbolt 4 | 40Gbps | 2020年7月8日 | 低于0.15pF |
圖1? 1996-2019 USB協(xié)議通訊速率發(fā)展
隨著USB協(xié)議的推出與發(fā)展出現(xiàn)多種接口外形,USB接口按大類分有三種,即Type-A(電腦上插鼠標(biāo)、鍵盤、U盤的接口)、Type-B(常見于打印機(jī)以及帶觸摸和USB接口的顯示器)、Type-C(支持正反2個(gè)方向插入);而細(xì)分的話有七種,分別是Standard Type-A、Mini Type-A、Micro type-A,standard Type-B、Mini Type-B、Micro Type-B,Type-C。
圖2? USB 外觀類型
Type-C接口作為一種全新的連接標(biāo)準(zhǔn),不僅逐漸成為各類電子設(shè)備的首選,更在數(shù)據(jù)傳輸、充電速度和便攜性方面帶來了革命性的變革。USB-IF發(fā)布USB4物理層形態(tài)只有Type-C一種:這意味著所有支持USB4的設(shè)備必須使用Type-C接口,確保了設(shè)備之間的兼容性和統(tǒng)一性。
Pin | 名稱 | 功能描述 | Pin | 名稱 | 功能描述 |
A1 | GND | 接地 | B1 | GND | 接地 |
A2 | SSTXp1 | 超高速差分信號(hào)
#1,TX,正 |
B2 | SSRXp1 | 超高速差分信號(hào)
#1,RX,正 |
A3 | SSTXn1 | 超高速差分信號(hào)
#1,TX,負(fù) |
B3 | SSRXn1 | 超高速差分信號(hào)
#1,RX,負(fù) |
A4 | VBUS | 總線電源 | B4 | VBUS | 總線電源 |
A5 | CC1 | Configuration Channel | B5 | SBU2 | Sideband Use (SBU) |
A6 | Dp1 | USB2.0差分信號(hào)Position1,正 | B6 | Dn2 | USB2.0差分信號(hào)position2,負(fù) |
A7 | Dn1 | USB2.0差分信號(hào)Position1,負(fù) | B7 | Dp2 | USB2.0差分信號(hào)position2,正 |
A8 | SBU1 | Sideband Use (SBU) | B8 | CC2 | Configuration channel |
A9 | VBUS | 總線電源 | B9 | VBUS | 總線電源 |
A10 | SSRXn2 | 超高速差分信號(hào)
#2,RX,負(fù) |
B10 | SSTXn2 | 超高速差分信號(hào)
#2,TX,負(fù) |
A11 | SSRXp2 | 超高速差分信號(hào)
#2,RX,正 |
B11 | SSTXp2 | 超高速差分信號(hào)
#2,TX,正 |
A12 | GND | 接地 | B12 | GND | 接地 |
圖3 Type-C引腳定義
二、USB3.X/4.0、Thunderbolt 3/4遭受ESD/EOS 原因
日常工作、生活中離不開手機(jī)、筆記本電腦、平板等電子設(shè)備。每次插拔USB充電/數(shù)據(jù)線時(shí),都可能產(chǎn)生靜電放電ESD或低壓浪涌Surge的干擾。造成該現(xiàn)象的主要原因如下:
1.USB Type-C 接口比較小巧,且其金屬觸點(diǎn)之間的距離較小,這使得它們更容易受到靜電放電的影響。
2.USB Type-C 接口通常用于連接各種電子設(shè)備,這些設(shè)備可能會(huì)產(chǎn)生不同的靜電放電,從而影響接口的正常工作。
3.人體是常見的靜電源,當(dāng)我們觸摸 USB Type-C 接口時(shí),可能會(huì)將身上的靜電荷傳遞到接口上,引發(fā) ESD 危害。
4.熱插拔或充電,沒有做好浪涌防護(hù)會(huì)造成EOS事件發(fā)生。
如果防護(hù)不到位,輕則造成異?;蛩罊C(jī),需要系統(tǒng)重啟,重則端口電路永久性損壞,設(shè)備無法使用。
三、USB3.X/4.0、Thunderbolt 3/4 ESD選型注意事項(xiàng)
在選擇ESD(靜電放電)保護(hù)組件以適配USB 3.X和USB 4.0高速接口時(shí),需著重考慮以下幾個(gè)關(guān)鍵因素以確保高速信號(hào)的完整性和設(shè)備的安全性:
1.低電容特性:為確保USB 3.X和USB 4.0接口傳輸?shù)母咚傩盘?hào)不受影響,所選ESD保護(hù)器件必須具有極低的電容值。低電容有助于減少信號(hào)衰減和失真,從而確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐暾院头€(wěn)定性。
2.高ESD耐電壓能力:考慮到靜電放電可能帶來的潛在損害,ESD保護(hù)組件必須能夠承受較高的ESD電壓沖擊。按照IEC 61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),至少應(yīng)能承受8kV的接觸放電ESD沖擊,以提供足夠的保護(hù)。
3.低鉗位電壓:較低的鉗位電壓表示在ESD事件發(fā)生時(shí),保護(hù)器件能夠更有效地將電壓限制在安全范圍內(nèi),避免對(duì)后端電路造成損害。因此,選擇具有低鉗位電壓的ESD保護(hù)組件是保障設(shè)備安全性的重要措施。
四、湖南靜芯深回掃ESD介紹
湖南靜芯在為手機(jī)、電腦等應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)提供高性能解決方案的積淀中,推出SCR工藝回掃特性ESD防護(hù)器件,具有超小封裝體積、超低鉗位電壓、超低結(jié)電容特性,相比常規(guī)工藝 TVS 防護(hù)效果更優(yōu),且不影響信號(hào)完整性,可更有效保護(hù)USB端口免受瞬態(tài)過電壓的影響,為相關(guān)電子產(chǎn)品設(shè)備加固防護(hù),提升消費(fèi)者使用體驗(yàn)。
1、常規(guī)ESD與回掃型ESD區(qū)別
常規(guī)ESD:其電壓隨著IPP(峰值脈沖電流)的增加而等比例增加,呈現(xiàn)出一個(gè)較為線性的增長(zhǎng)趨勢(shì)。帶回掃ESD:當(dāng)電壓達(dá)到VT1(觸發(fā)電壓)后,ESD器件會(huì)瞬間將兩端的鉗位電壓拉低,進(jìn)入一個(gè)介于工作電壓VRWM和VT1之間的較低電壓Vh。隨后,隨著電流的增加,電壓逐漸增大,但增長(zhǎng)速度相比常規(guī)ESD較慢。
帶回掃ESD的優(yōu)點(diǎn):
1.低鉗位電壓:在相同的IPP下,帶回掃ESD的VC(鉗位電壓)比常規(guī)ESD器件低50%以上。這種低鉗位電壓有助于提前釋放能量,更有效地保護(hù)集成電路(IC)及整個(gè)電路的安全;
2.更低ESD鉗位電壓:帶回掃ESD具有更優(yōu)異的ESD保護(hù)能力,能在過ESD事件時(shí)提供更低的鉗位電壓,從而提供更高級(jí)別的系統(tǒng)保護(hù);
3.更低的漏電流:這類ESD器件具有更低的漏電流,有助于降低設(shè)備的功耗,實(shí)現(xiàn)更節(jié)能的設(shè)計(jì);
4.更廣泛的應(yīng)用范圍:帶回掃ESD的優(yōu)異性能使其適用于更廣泛的領(lǐng)域,如低壓移動(dòng)電子設(shè)備、汽車電子、工業(yè)控制等對(duì)ESD保護(hù)要求較高的場(chǎng)合。
通過對(duì)比常規(guī)ESD和帶回掃ESD的特性曲線圖及其優(yōu)點(diǎn),可以看出帶回掃ESD在ESD保護(hù)方面具有更出色的性能和應(yīng)用前景。
圖3 ?IV曲線對(duì)比
2、湖南靜芯深回掃產(chǎn)品推薦
靜芯推出超小體積、超低結(jié)電容、超低鉗位電壓的Snap Back(深回掃)ESD器件SEUCS2Z3V1B,該產(chǎn)品專為USB3.X/4.0、Thunderbolt 3/4接口的TX(發(fā)送)和RX(接收)線路設(shè)計(jì)。SEUCS2Z3V1B為單路雙向保護(hù)器件,具備8.0V低觸發(fā)電壓和5V低鉗位電壓特性,滿足18V低壓浪涌(1.2/50us)的過壓保護(hù)需求(VRWM=5.0V MAX,VCL = 5.0V@IPP = 9.0A (8/20us))。以其更小的容值和更低的鉗位電壓,為高速數(shù)據(jù)傳輸提供了高速信號(hào)線提供優(yōu)異的瞬態(tài)過壓保護(hù)效果,確保了信號(hào)的完整性和設(shè)備的安全性。
圖4 基本電性圖
圖5 器件TLP曲線
圖6 ?CV曲線圖
圖7 靜電與眼圖測(cè)試
五、USB3.X/4.0、Thunderbolt 3/4接口ESD/EOS防護(hù)方案
- SuperSpeed TX+ ,TX- ,RX+, RX- 差分線
高速差分信號(hào)線,支持高達(dá)40Gbps 的超高速USB接口和交替模式的數(shù)據(jù)傳輸。由于接口試圖在傳輸大量?jī)?nèi)容時(shí)仍保持極高速度,因此選擇合適的ESD(TVS) 防護(hù)器件至關(guān)重要。推薦用低結(jié)電容0.2PF,小體積CSP0603方便布線,深回掃,低鉗位電壓SEUCS2Z3V1B做靜電保護(hù),確保信號(hào)完整性。
- USB 2.0 D+/D- 差分線
用于USB 2.0接口,D+和D-引腳數(shù)據(jù)速率480Mbps,這對(duì)差分線上的電壓正常為5V,考慮線速推薦采用SEUCS2Z3V1B,低結(jié)電容0.2PF ,小體積CSP0603,方便布線。
- 總線電源VBUS
電源線,用于供電??紤]使用USB-PD滿足充電,推薦采用大功率ESD(TVS) SEHC16F24V1UD做靜電浪涌防護(hù),封裝為DFN1610-2 ,峰值電流60A,功率1800W。
- Configuration Channel&Sideband use (SBU)
CC1、CC2:通信通道,用于識(shí)別連接設(shè)備和確定功率方向。SBU1、SBU2:輔助通道,可用于支持高速數(shù)據(jù)或其他功能。CC/SBU引腳緊挨著 VBUS 引腳。使用USB-PD的話,VBUS引腳電壓可以達(dá)到20V,這樣CC/SBU引腳容易短路到20V, 為了避免損壞,這兩個(gè)引腳推薦24V ESD(TVS) 進(jìn)行保護(hù):SEUCS2Z24V1B。做好以上這些信號(hào)保護(hù),USB4 將免于發(fā)生一些靜電浪涌事件。
防護(hù)方案中所使用ESD型號(hào)參數(shù)描述(詳盡參數(shù)請(qǐng)與我司代理聯(lián)系):
圖9 器件基本參數(shù)
湖南靜芯回深淺回掃型單雙向系列ESD器件工作電壓涵蓋1.0~36V,電流涵蓋4~30A,0.1pF極低電容,封裝涵蓋CSP、FC及各類封裝形式,可按照客戶需求性能與封裝提供定制化開發(fā)服務(wù),部分型號(hào)如下:
圖10 靜芯部分深回掃器件
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