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阻抗匹配是射頻電路的關(guān)鍵一步，而匹配常用的器件是電感和電容。我們在做ADS仿真的時候會發(fā)現(xiàn)和實際的結(jié)果是有出入的
下圖是理想器件的仿真結(jié)果
下圖是實際器件的仿真結(jié)果
可以看到抑制插損，零點都有出入。
電容和電感是電子線路中最常用的元器件，在低頻電子線路或者直流電路中，這些元器件的特性很一致。但是在射頻電路中，電容不僅是電容，電感也不僅是電感。
理想情況下，電容器的靜電容量為C，則理想狀態(tài)下電容器的阻抗Z可用公式Z=1/jwc
由公式可看出，阻抗大小|Z|如圖所示，與頻率呈反比趨勢減少。由于理想電容器中無損耗，故等價串聯(lián)電阻(ESR)為零。
但實際電容器中除有容量成分Ｃ外，還有因電介質(zhì)或電極損耗產(chǎn)生的電阻（ESR）及電極或?qū)Ь€產(chǎn)生的寄生電感(ESL)。因此，|Z|的頻率特性如圖所示呈V字型（部分電容器可能會變?yōu)閁字型）曲線，ESR也顯示出與損耗值相應(yīng)的頻率特性。
低頻率范圍的|Z|與理想電容器相同，都與頻率呈反比趨勢減少。ESR值也顯示出與電介質(zhì)分極延遲產(chǎn)生的介質(zhì)損耗相應(yīng)的特性。
共振點以上的高頻率范圍中的|Z|的特性由寄生電感(L)決定。高頻范圍的|Z|與頻率成正比趨勢增加。
ESR逐漸表現(xiàn)出電極趨膚效應(yīng)及接近效應(yīng)的影響。
頻率越高，就越不能忽視寄生成分ESR或ESL的影響。所以在選擇電容時要注意電容的頻率，超出使用頻率，電容效應(yīng)減小，電感效應(yīng)增加。
PIN管，PIN管是射頻電路常用的器件。對于一個普通的二極管，當(dāng)電壓小于導(dǎo)通電壓時，表現(xiàn)為截止，當(dāng)導(dǎo)通后，表現(xiàn)為一個理想導(dǎo)線。
實際的PIN管，當(dāng)PIN二極管通過正向電流時，它對射頻信號的電阻會隨著直流電流的增大而減小，而當(dāng)直流電流減小到0時，它的射頻電阻則會趨于極大。
PIN二極管還有一個參數(shù)是，特征頻率，對高于特征頻率的射頻信號，表現(xiàn)為一個電阻，而低于特征頻率的，表現(xiàn)為像一個普通整流二極管。
對于一個PIN管，導(dǎo)通電阻加上等效電感即為損耗，反向電容即為隔離度。
PIN管的導(dǎo)通與截止的仿真
從上述仿真結(jié)果看，PIN管在設(shè)計時，可以通過需要注意PIN管的電容與導(dǎo)通電阻對損耗與隔離的影響。
在設(shè)計跳頻濾波器的時候，更需要關(guān)注PIN電容對濾波器的偏離設(shè)計。
█?最后的話
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