SiC襯底降價(jià)30%，到位了還是才開始？

在熟悉功率器件從業(yè)者的一般認(rèn)知里，與傳統(tǒng)硅功率器件相比，SiC（碳化硅）功率器件除了貴，就沒有什么缺點(diǎn)了。現(xiàn)在，貴這個(gè)缺點(diǎn)也快消失了。

據(jù)外媒報(bào)道，隨著中國碳化硅產(chǎn)能擴(kuò)張，近幾個(gè)月來一線供應(yīng)商已將價(jià)格下調(diào)近30%。不過在中國以外的市場，碳化硅襯底價(jià)格尚保持穩(wěn)定。對(duì)于主流產(chǎn)品6英寸碳化硅襯底，國際供應(yīng)商的報(bào)價(jià)維持在750~800美元，中國制造商此前的價(jià)格通常要低5%，而最近價(jià)格差異已經(jīng)擴(kuò)大至30%左右。

業(yè)內(nèi)專家表示，不但SiC襯底在降價(jià)，SiC外延也在降價(jià)，而且持續(xù)下降的趨勢明顯。根據(jù)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）的分析，襯底約占SiC器件成本的一半，僅次于襯底的第二大成本是外延，這兩個(gè)加起來占SiC器件成本的多半。因而當(dāng)這兩個(gè)對(duì)SiC器件成本影響最大的材料價(jià)格持續(xù)向下，將對(duì)市場產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。該專家表示：“國際廠商實(shí)際也在降價(jià)，毫無疑問，這一輪徹底的降價(jià)已經(jīng)在影響SiC器件的價(jià)格了，接下來，整個(gè)SiC市場將是全方位的競爭，會(huì)非常激烈。”

價(jià)格下降的原因與之前建設(shè)的產(chǎn)能陸續(xù)投產(chǎn)直接相關(guān)。這幾年SiC投資強(qiáng)度一直不低，據(jù)相關(guān)統(tǒng)計(jì)，2020年底，國內(nèi)有170多個(gè)SiC項(xiàng)目在運(yùn)作。就算半導(dǎo)體市場整體遇冷的2023年，SiC依然熱度不低。據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計(jì)，2023年國內(nèi)近40項(xiàng)SiC相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目啟動(dòng)。在這些項(xiàng)目當(dāng)中，有不少投資數(shù)十億甚至上百億的大手筆，累計(jì)投入近900億元，與2022年相比，漲幅較大。

SiC項(xiàng)目方面，2023年國內(nèi)公開宣傳的SiC項(xiàng)目數(shù)量121個(gè)，總投資超過1600億元。從襯底、外延、芯片、封裝到耗材和設(shè)備，每個(gè)環(huán)節(jié)的項(xiàng)目投資金額都創(chuàng)新高。其中SiC芯片項(xiàng)目總投資高達(dá)796億元，增長100%。

同樣根據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體的統(tǒng)計(jì)，2023年國外企業(yè)共有近20項(xiàng)SiC相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目已經(jīng)或?qū)⒁涞兀渲邪╓olfspeed、意法半導(dǎo)體、英飛凌等大廠。

在2023年的擴(kuò)產(chǎn)選擇上，國內(nèi)廠商更多選擇6英寸產(chǎn)能，而國際知名廠商似乎更傾向于投建8英寸產(chǎn)能，以順應(yīng)SiC產(chǎn)業(yè)由6英寸向8英寸轉(zhuǎn)型升級(jí)大趨勢。少數(shù)國內(nèi)廠商也做出前瞻性布局，在8英寸項(xiàng)目做出重要投入。

根據(jù)SiC襯底廠商天科合達(dá)的測算，從4英寸提升到6英寸，單位成本預(yù)計(jì)能夠降低50%；從6英寸到8英寸，成本能夠在這個(gè)基礎(chǔ)上再降低35%。同時(shí)，8英寸襯底能夠切出更多的芯片（預(yù)計(jì)可多切90%），邊緣浪費(fèi)也會(huì)更低。

SiC晶圓制造代際差異帶來的成本優(yōu)勢，會(huì)讓大尺寸晶圓制造廠相對(duì)小尺寸晶圓廠有更大的價(jià)格優(yōu)勢。持續(xù)不斷地?cái)U(kuò)產(chǎn)也會(huì)進(jìn)一步增大供給，在需求沒有大規(guī)模提升的背景下，擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目陸續(xù)投產(chǎn)后，供需關(guān)系失衡，市場承壓，價(jià)格自然下跌。另一業(yè)內(nèi)專家表示，國內(nèi)SiC價(jià)格戰(zhàn)之所以更兇，是因?yàn)閲鴥?nèi)市場更卷。

北京半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)副秘書長朱晶贊同這個(gè)觀點(diǎn)。她認(rèn)為，同質(zhì)化帶來的低端內(nèi)卷，是引發(fā)價(jià)格戰(zhàn)的主要原因，而國際價(jià)格相對(duì)穩(wěn)定，說明國內(nèi)SiC對(duì)國際市場還沒有多少影響力，也變相說明還沒有掌握定價(jià)權(quán)，即質(zhì)量還存在一定差距。

不過，多位專家也表示，襯底和外延降價(jià)，長期看對(duì)SiC器件有好處，給SiC器件留出了降價(jià)空間與利潤范圍，也為SiC器件擴(kuò)大應(yīng)用范圍奠定了價(jià)格基礎(chǔ)。一位專家甚至表示：“現(xiàn)在（襯底）降價(jià)幅度，還沒達(dá)到期望值，還有很大的下行空間。”

就SiC器件而言，本土廠商在技術(shù)上與國際廠商也有差距，當(dāng)前本土器件以平面結(jié)構(gòu)為主，而英飛凌、羅姆等則采用溝槽式結(jié)構(gòu)，性能相對(duì)更優(yōu)，在市場上的競爭力也更強(qiáng)，受價(jià)格戰(zhàn)的影響就會(huì)小一些。

汽車是SiC最主要的應(yīng)用市場之一，今年主要車廠都有極大的降本壓力，這個(gè)壓力也會(huì)傳導(dǎo)到SiC器件廠商那里，進(jìn)而傳導(dǎo)到上游的襯底與外延等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)，工業(yè)市場也不樂觀。隨著新布局產(chǎn)能的陸續(xù)投產(chǎn)，價(jià)格戰(zhàn)進(jìn)一步加劇并不意外。但是如同那位器件專家所言，價(jià)格往下走不一定是壞事，如果能推動(dòng)相關(guān)領(lǐng)域SiC器件加速取代硅功率器件的進(jìn)程，那么這種價(jià)格戰(zhàn)還是有積極意義的。