ROHM首次推出硅電容器“BTD1RVFL系列”

表面貼裝型的量產產品，實現0402業(yè)界超小尺寸，助力智能手機等應用進一步節(jié)省空間！

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）新開發(fā)出在智能手機和可穿戴設備等領域應用日益廣泛的硅電容器。利用ROHM多年來積累的硅半導體加工技術，新產品同時實現了更小的尺寸和更高的性能。

隨著智能手機等應用的功能增加和性能提升，業(yè)界對于支持更高安裝密度的小型元器件的需求日益高漲。硅電容器采用薄膜半導體技術，與多層陶瓷電容器（MLCC）相比，具有厚度更薄且電容量更大的特點。由于其穩(wěn)定的溫度特性和出色的可靠性，這種產品的應用越來越廣泛。ROHM預測硅電容器的市場規(guī)模將在2030年增長至3000億日元※，約達到2022年規(guī)模的1.5倍，因此采用自有的半導體工藝開發(fā)出小型且高性能的硅電容器。

ROHM的硅電容器采用能以1μm為單位進行加工的自有微細化技術RASMID?*1，消除了外觀成型過程中的缺陷，并實現了±10μm以內的高精度尺寸公差。由于產品尺寸波動很小，因此能夠支持更窄的安裝間距；另外通過將連接電路板的背面電極擴大至封裝的邊緣部位，還提高了安裝強度。 第一波產品“BTD1RVFL系列”的尺寸僅為0402（0.4mm×0.2mm），是業(yè)界超小尺寸的表面貼裝型量產硅電容器。與0603尺寸的普通產品相比，其安裝面積減小約55%，僅為0.08mm2，非常有助于應用產品的小型化。另外，新產品還內置TVS保護器件，可確保出色的ESD*2耐受能力，減少浪涌對策等電路設計工時。 “BTD1RVFL系列”包括電容量為1000pF的“BTD1RVFL102”和電容量為470pF的“BTD1RVFL471”，已從2023年8月開始以月產50萬個的規(guī)模投入量產（樣品價格：800日元/個，不含稅）。前道工序的生產基地為ROHM Co., Ltd.（日本滋賀工廠），后道工序的生產基地為ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福岡縣）。

ROHM計劃于2024年面向高速和大容量通信設備等領域開發(fā)高頻特性優(yōu)異的第二波系列產品。另外，ROHM還將致力于開發(fā)適用于服務器等工業(yè)設備領域的產品，以進一步擴大應用范圍。

＜產品陣容＞

＜應用示例＞

• 智能手機、可穿戴設備、小型物聯網設備、光纖收發(fā)器等

＜術語解說＞

*1) RASMID?

ROHM Advanced Smart Micro Device的簡稱。利用與傳統(tǒng)方法完全不同的ROHM自有新工藝方法，實現了小型化和驚人的尺寸精度（±10μm以內）的超小型產品系列。

• RASMID?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

*2) ESD（Electro-Static Discharge：靜電放電）

當人體與電子設備等帶電物體接觸時，會產生靜電（浪涌）。這種靜電（浪涌）會導致電路和設備發(fā)生誤動作或損壞。