東芝的新款150V N溝道功率MOSFET具有業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻和改進的反向恢復(fù)特性

中國上海，2023年3月30日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代^[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

TPH9R00CQ5具有行業(yè)領(lǐng)先的^[2]9.0mΩ（最大值）的低漏源導(dǎo)通電阻，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品“TPH1500CNH1^[3]”相比降低了約42%。與此同時，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品“TPH9R00CQH4^[4]”相比，反向恢復(fù)電荷減少約74%，反向恢復(fù)^[5]時間縮短約44%，上述指標是體現(xiàn)同步整流應(yīng)用性能的兩大關(guān)鍵反向恢復(fù)指標。新產(chǎn)品面向同步整流應(yīng)用^[6]，降低了開關(guān)電源的功率損耗，有助于提高系統(tǒng)效率。此外，與TPH9R00CQH相比，新產(chǎn)品減少了開關(guān)過程中產(chǎn)生的尖峰電壓，有助于降低電源的EMI。

該產(chǎn)品采用業(yè)界廣泛認可的表面貼裝型SOP Advance（N）封裝。

此外，東芝還提供支持開關(guān)電源電路設(shè)計的相關(guān)工具。除能夠迅速驗證電路功能的G0 SPICE模型外，現(xiàn)在還提供能夠準確地再現(xiàn)電路瞬態(tài)特性的高精度G2 SPICE模型。

東芝利用該產(chǎn)品還開發(fā)出了“用于通信設(shè)備的1kW非隔離Buck-Boost?DC-DC轉(zhuǎn)換器”與“采用MOSFET的3相多電平逆變器”參考設(shè)計。即日起可訪問東芝官網(wǎng)獲取上述參考設(shè)計。除此以外，新產(chǎn)品還可用于已發(fā)布的“1kW全橋DC-DC轉(zhuǎn)換器”參考設(shè)計。

東芝將繼續(xù)擴大自身的功率MOSFET產(chǎn)品線，以降低功率損耗、提高電源效率，并助力改善設(shè)備效率。

?應(yīng)用

-??????工業(yè)設(shè)備電源，如用于數(shù)據(jù)中心和通信基站的電源

-??????開關(guān)電源（高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器等）

?特性

-??????業(yè)界領(lǐng)先的^[2]低導(dǎo)通電阻：RDS(ON)＝9.0mΩ（最大值）（VGS＝10V）

-??????業(yè)界領(lǐng)先的^[2]低反向恢復(fù)電荷：Qrr＝34nC（典型值）（-dIDR/dt＝100A/μs）

-??????業(yè)界領(lǐng)先的^[2]快速反向恢復(fù)時間：trr＝40ns（典型值）（-dIDR/dt＝100A/μs）

-??????高額定結(jié)溫：Tch（最大值）＝175℃

?主要規(guī)格

（除非另有說明，Ta＝25℃）

?

參考設(shè)計：“用于通信設(shè)備的1kW非隔離Buck-Boost?DC-DC轉(zhuǎn)換器”

?

參考設(shè)計：“采用MOSFET的3相多電平逆變器”

??

注：

[1]?截至2023年3月的數(shù)據(jù)。

[2]?截至2023年3月，與其他150V產(chǎn)品的對比。東芝調(diào)查。

[3] 采用當前一代U-MOSVIII-H工藝的150V產(chǎn)品。

[4] 產(chǎn)品采用與TPH9R00CQ5相同的生產(chǎn)工藝，并具有相同的電壓和導(dǎo)通電阻。

[5] MOSFET體二極管從正向偏置切換到反向偏置的開關(guān)動作。

[6] 如果新產(chǎn)品用于不執(zhí)行反向恢復(fù)操作的電路，則功耗相當于TPH9R00CQH的水平。