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英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出業(yè)界首款用于太空和極端環(huán)境應(yīng)用的512 Mbit抗輻射加固設(shè)計(jì)QSPI NOR閃存 。這款半導(dǎo)體器件采用快速四串行外設(shè)接口（133 MHz），具有極高的密度、輻射和單次事件效應(yīng)（SEE）性能，是一款完全通過(guò)QML認(rèn)證的非易失性存儲(chǔ)器，可與太空級(jí)FPGA和微處理器配合使用。
512 Mbit抗輻射加固設(shè)計(jì)QSPI NOR閃存
這款新器件由美國(guó)空軍研究實(shí)驗(yàn)室太空飛行器局（AFRL）資助，并與Microelectronics Research Development Corporation（Micro-RDC）共同開(kāi)發(fā)而成。它基于英飛凌經(jīng)過(guò)實(shí)際驗(yàn)證的SONOS（硅襯底-隧穿氧化層-電荷存儲(chǔ)層氮化硅-阻擋氧化層-多晶硅柵極）電荷柵阱技術(shù)，運(yùn)行速度較低密度替代品提高多達(dá)30%。
AFRL太空電子技術(shù)項(xiàng)目經(jīng)理Richard Marquez 表示：“下一代太空級(jí)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)者對(duì)高可靠性、高密度存儲(chǔ)器的需求不斷增長(zhǎng)。我們與英飛凌、Micro-RDC 等行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者合作，共同開(kāi)發(fā)出一種集高密度、高數(shù)據(jù)傳輸速率與優(yōu)于替代品的輻射性能于一身的技術(shù)解決方案?！?/p>
Micro-RDC總裁Joseph Cuchiaro表示：“英飛凌的抗輻射加固設(shè)計(jì)NOR閃存很好地補(bǔ)充了Micro-RDC的極端應(yīng)用環(huán)境解決方案系列。隨著512 Mbit密度器件的推出，設(shè)計(jì)者能夠設(shè)計(jì)出性能卓越的系統(tǒng)，以滿(mǎn)足比以往更廣泛任務(wù)類(lèi)型的嚴(yán)格要求。”
英飛凌科技航空航天與國(guó)防業(yè)務(wù)副總裁Helmut Puchner表示：“此次英飛凌512 Mbit NOR閃存家族擴(kuò)展到抗輻射加固存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合，進(jìn)一步證明了我們致力于提供高度可靠的高性能存儲(chǔ)器來(lái)滿(mǎn)足下一代太空需求。與AFRL和Micro-RDC的合作推動(dòng)了行業(yè)領(lǐng)先技術(shù)的發(fā)展，通過(guò)采用提高關(guān)鍵衛(wèi)星功能性能的技術(shù)，來(lái)應(yīng)對(duì)空間應(yīng)用中遇到的極端環(huán)境。”
英飛凌的 SONOS 技術(shù)獨(dú)特地結(jié)合了密度和速度，以及先進(jìn)的輻射性能，具有高達(dá) 10000 P/E 的出色耐用性和長(zhǎng)達(dá)10年的數(shù)據(jù)保存期。該產(chǎn)品的133 MHz QSPI接口為太空級(jí)FPGA和處理器提供了高數(shù)據(jù)傳輸速率，并采用占板面積1” x 1”的陶瓷 QFP（QML-V），以及占板面積更小的 0.5” x 0.8”塑料 TQFP（QML-P）兩種封裝。此外，該器件還為太空FPGA引導(dǎo)代碼解決方案提供了最高密度的TID/SEE性能組合。其QML-V/P封裝獲得DLAM認(rèn)證，能夠滿(mǎn)足最嚴(yán)格的行業(yè)資格認(rèn)證要求。
該器件的典型用例包括太空級(jí)FPGA的配置映像存儲(chǔ)和太空級(jí)多核處理器的獨(dú)立啟動(dòng)代碼存儲(chǔ)。
供貨情況
新型英飛凌512 Mbit QML認(rèn)證NOR閃存現(xiàn)已上市。
