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關(guān)乎車規(guī)SiC可靠性!近90%的汽車主驅(qū)都用它

01/05 08:42
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好馬配好鞍!要充分發(fā)揮SiC器件優(yōu)勢,還需要為電路系統(tǒng)搭配適合的電容器。從電動車主驅(qū)電控到光伏逆變器等大功率新能源場景,薄膜電容逐漸成為主流,市場亟需高性價(jià)比的產(chǎn)品。

近日,上海永銘電子股份有限公司推出了直流支撐薄膜電容器,4個(gè)突出優(yōu)勢使其適用于英飛凌第七代IGBT,并且有助于解決SiC系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性、小型化和成本等難題。

薄膜電容主驅(qū)滲透率近90%

SiC和IGBT為何需要它?

近年來,隨著光儲充和EV等新能源產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,直流支撐(DC-Link)電容的需求在快速增加。簡單來講,DC-Link電容在電路中充當(dāng)肉盾,吸收母線端的高脈沖電流,平滑母線電壓,從而使IGBT和SiC MOSFET開關(guān)不受高脈沖電流和瞬時(shí)電壓的沖擊。

通常,直流支撐應(yīng)用通常采用鋁電解電容,不過,隨著新能源汽車母線電壓從400V提升到800V,光伏系統(tǒng)也走向1500V甚至2000V,薄膜電容需求正在大幅上升。

數(shù)據(jù)顯示,2022年基于DC-Link薄膜電容的電驅(qū)逆變器裝機(jī)量已經(jīng)達(dá)到511.17萬套,占電控裝機(jī)量的88.7%,弗迪動力、特斯拉、匯川技術(shù)、日本電產(chǎn)、蔚然動力等十幾家頭部電控企業(yè)的驅(qū)動逆變器都采用了DC-LINK薄膜電容,合計(jì)裝機(jī)量占比高達(dá)82.9%,表明薄膜電容已經(jīng)替代電解電容成為電驅(qū)市場主流。

2022年薄膜電容電驅(qū)市場占比 來源:NE時(shí)代、行家說Research

這是因?yàn)?a class="article-link" target="_blank" href="/baike/485708.html">鋁電解電容的最高耐壓約為630V,在700V以上高壓大功率應(yīng)用場合,需要多顆電解電容的串、并聯(lián)才能達(dá)到使用要求,這會帶來額外的能量損耗、BOM成本和可靠性問題。

馬來西亞大學(xué)研究論文顯示,在硅IGBT半橋逆變器中,直流環(huán)節(jié)通常使用電解電容,但會出現(xiàn)電壓浪涌,這是由于電解電容的等效串聯(lián)電阻 (ESR)較高。與硅基IGBT方案相比,SiC MOSFET的開關(guān)頻率更高,因此半橋逆變器直流鏈路中的電壓浪涌幅度更高,有可能導(dǎo)致器件性能下降甚至損壞,而電解電容器的諧振頻率僅為4kHz,不足以吸收SiC MOSFET逆變器的電流紋波1。

因此,在可靠性要求更高的電驅(qū)逆變器和光伏逆變器等直流應(yīng)用場合,通常會選擇使用薄膜電容,相比鋁電解電容器,其性能優(yōu)勢在于耐壓更高、ESR更低、無極性、性能更穩(wěn)定、壽命更長,從而可以實(shí)現(xiàn)抗紋波能力更強(qiáng)、更可靠的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

而且系統(tǒng)搭配薄膜電容,可以重復(fù)發(fā)揮SiC MOSFET的高頻、低損耗優(yōu)勢,大幅縮小系統(tǒng)的被動元件(電感、變壓器、電容)的體積和重量。根據(jù)Wolfspeed研究,10kW硅基IGBT逆變器需要22顆鋁電解電容,而40kW的SiC逆變器只需8顆薄膜電容,PCB面積可大幅縮小2。

不同電容方案(左上圖)及系統(tǒng)尺寸對比 來源:Wolfspeed、行家說Research

永銘推出新型薄膜電容

4大優(yōu)勢助力新能源產(chǎn)業(yè)

為解決市場的“燃眉之急”,永銘電子最近推出了直流支撐薄膜電容器MDP和MDR系列,通過采用先進(jìn)的制造工藝和優(yōu)質(zhì)的材料,能夠完美適配英飛凌等全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)頭羊的SiC MOSFET和硅基IGBT的工作要求。

據(jù)了解,永銘電子的MDP和MDR系列薄膜電容具有多個(gè)突出特點(diǎn):更低的等效串聯(lián)電阻(ESR)、更高的額定電壓、更低的漏電流和更高的溫度穩(wěn)定性。

永銘電子薄膜電容4大優(yōu)勢特點(diǎn)

首先,永銘電子的薄膜電容采用了低ESR設(shè)計(jì),可以有效降低SiC MOSFET和硅基IGBT開關(guān)時(shí)的電壓應(yīng)力,減小電容器的損耗,提高整個(gè)系統(tǒng)的效率。同時(shí),電容器還具有更高的額定電壓,可以承受更高電壓的工況,保證系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。

據(jù)介紹,永銘電子的MDP和MDR系列薄膜電容的容量范圍分別為5uF-150uF和50uF-3000uF,電壓范圍分別為350V-1500V和350V-2200V。

其次,永銘電子的最新薄膜電容具有更低的漏電流更高的溫度穩(wěn)定性。以新能源汽車電控為例,其功率通常較大,從而導(dǎo)致薄膜電容的發(fā)熱較為嚴(yán)重,這會降低薄膜電容的壽命及可靠性。為此,永銘的MDP和MDR系列基于優(yōu)質(zhì)的材料和先進(jìn)的制造工藝,為薄膜電容設(shè)計(jì)了更好的散熱結(jié)構(gòu),從而在高溫環(huán)境下電容器能夠保持穩(wěn)定的性能,不會因?yàn)闇囟壬叨鴮?dǎo)致電容值下降或失效。此外,電容器還具有更長的使用壽命,可以為電力電子系統(tǒng)提供更加可靠的支持。

第三,永銘電子的MDP和MDR系列電容器還具有更小的體積更高的功率密度。以800V電驅(qū)系統(tǒng)為例,其技術(shù)趨勢是通過采用SiC器件來縮小電容等被動器件的體積,進(jìn)而推動電控的小型化。永銘采用了創(chuàng)新的薄膜制造工藝技術(shù),不僅可以提高整個(gè)系統(tǒng)的集成度和效率,還可以減少系統(tǒng)的體積和重量,為設(shè)備的便攜性和靈活性提供更多的可能性。

綜合來看,永銘電子的DC-Link薄膜電容系列產(chǎn)品,相較市面上的其他薄膜電容,其dv/dt耐受能力提高了30%,壽命提升了30%,不僅能夠?yàn)镾iC/IGBT電路提供更好的可靠性,還能夠提供更好的成本效益,破解薄膜電容普及化應(yīng)用中的價(jià)格障礙。

作為行業(yè)先行者,永銘電子在電容領(lǐng)域已經(jīng)深耕二十余年,其高壓電容器已多年穩(wěn)定應(yīng)用在車載OBC、新能源充電樁、光伏逆變、工業(yè)機(jī)器人等高端領(lǐng)域。而這次推出新一代薄膜電容產(chǎn)品,更是解決了薄膜電容的生產(chǎn)工藝控制、工裝治具設(shè)備等各方面難題,已經(jīng)在全球頭部企業(yè)處完成可靠性認(rèn)證,實(shí)現(xiàn)規(guī)模應(yīng)用,向更大客戶證明產(chǎn)品的可靠性。未來,他們將利用自身長期的技術(shù)積累和沉淀,用高可靠性和高性價(jià)比的電容產(chǎn)品助力新能源行業(yè)快速發(fā)展。

文章來源:[1]https://www.powersystemsdesign.com/articles/sic-poised-to-revolutionize-solar-power-inverters/34/6182[2]https://journals.uran.ua/eejet/article/view/285684/283753

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