久久综合狠狠色综合伊人,国产真实精彩对白刺激视频,国产精品第2021在线

新能源汽車無疑是近年來最耀眼的行業(yè)之一，其發(fā)展速度遠超預期。2023年，中國新能源汽車銷量預計達到950萬輛，市場占比高達31.6%，即每銷售10輛汽車中，就有3輛是新能源汽車。展望2024年，年銷量有望攀升至1200-1300萬輛，市場占比可能超過45%，并占據(jù)全球年產銷量的60%。這一增長態(tài)勢令人振奮，不禁讓人聯(lián)想到十幾年前光伏行業(yè)的崛起，新能源汽車行業(yè)的發(fā)展軌跡似乎正沿著相似的路徑加速前進。

在SiC技術的應用方面，自2017年特斯拉推出首款基于SiC主驅的汽車以來，中國以比亞迪為代表的企業(yè)也于2020年前后跟進。此后，各大主驅及汽車制造商紛紛投身SiC平臺的研發(fā)。據(jù)統(tǒng)計，2023年公開的國產SiC車型已達142款，其中乘用車76款，新增款式約45款，標志著新能源汽車采用SiC的市場已全面打開。

日前，在E維智庫第12屆中國硬科技產業(yè)鏈創(chuàng)新趨勢峰會暨百家媒體論壇上，清純半導體(寧波)有限公司市場經(jīng)理詹旭標就目前車載SiC產業(yè)的發(fā)展以及國內車載SiC技術的進展分享了他的分析和解讀。

市場現(xiàn)狀和潛力

詹旭標表示，SiC技術為新能源汽車帶來了顯著優(yōu)勢。目前，車機主驅應用的主流器件為1200V SiC MOSFET，而400V平臺則逐步采用750V SiC進行替代。主驅大規(guī)模應用的關鍵在于器件性能、質量、價格及產能的綜合考量。

在提升續(xù)航里程上，SiC MOSFETS憑借低導通電阻和低開關損耗，相比傳統(tǒng)硅IGBT方案，電機控制器系統(tǒng)損耗可降低70%，從而增加5%的行駛里程。

SiC的應用也緩解了補能焦慮，通過提高充電功率，預計到2025年，用戶將能體驗到15分鐘內補充80%電能的便捷。

作為新能源汽車市場的另一大活躍領域，充電樁行業(yè)已進入充分競爭階段。詹旭標表示，當前，國內充電樁保有量約900-1000萬臺，2024年市場規(guī)模預計達25億人民幣。根據(jù)2030年規(guī)劃，汽車保有量將達到6000萬輛，車樁比1:1，意味著未來4-5年內還需新增約5000萬個充電樁。目前，充電模塊已開始采用SiC，并在DC-DC轉換及PFC應用中廣泛使用，每個充電樁至少使用8個以上SiC器件，市場規(guī)模潛力巨大。

產業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

目前，全球SiC市場依舊由國外企業(yè)引領。根據(jù)Yole的預測，到2025年，全球SiC市場規(guī)模預計將接近60億美元，年復合增長率有望達到36.7%左右。當前，市場前五強企業(yè)的合計市場份額高達91.9%，若計入第六和第七名企業(yè)，這一比例可能攀升至95%-98%。這些領先企業(yè)主要來自國外，國內企業(yè)的市場份額相對較小。

在領先企業(yè)持續(xù)鞏固地位的同時，它們也在積極拓展產能。數(shù)據(jù)顯示，Wolfspeed規(guī)劃了約65億美元的投資，而英飛凌的總投資也達到了50億歐元。相比之下，國內廠商的投入仍顯有限。盡管國內產能規(guī)劃已達千億級別，但分布過于分散，頭部企業(yè)尚未形成明顯優(yōu)勢。

預計到2026年，國內SiC襯底規(guī)劃產能將達到460萬片，若這些產能能順利轉化為量產，將能滿足大約3000萬輛新能源汽車的需求。鑒于中國新能源汽車年產量約為2800萬至2900萬輛，SiC行業(yè)正面臨內卷和產能過剩的風險。

隨著全球SiC材料產能的迅速擴張，中國SiC器件設計與制造領域也取得了快速發(fā)展，產能持續(xù)擴大。除了在主驅領域的應用外，SiC還在光伏、儲能及充電模塊等市場展現(xiàn)出激烈競爭。由于市場過剩，主流SiC器件價格正在快速下降。

從長期來看，提升企業(yè)競爭力和技術迭代能力，以實現(xiàn)技術降本，成為SiC企業(yè)生存的關鍵。從數(shù)據(jù)上看，自去年9月至2024年4月，市場熱銷的1200V/40mΩ SiC器件平均價格已從35元跌至23元，降幅達35%。與硅基IGBT相比，目前SiC價格約為前者的1.5-2倍。有預測認為，若SiC價格降至這一區(qū)間，市場將發(fā)生巨大變革。

進一步來看，若按照Yole的數(shù)據(jù)，2024年全球功率半導體市場規(guī)模約為500億美元，那么未來幾年內，隨著SiC價格進一步下降至1.2-1.5倍于硅基IGBT的水平，是否整個市場將被SiC所占據(jù)？這完全有可能，因為SiC相較于硅基IGBT具有提高頻率、提升功率密度和降低損耗的顯著優(yōu)勢。

技術發(fā)展現(xiàn)狀

當前，主流SiC MOSFET技術呈現(xiàn)出穩(wěn)健發(fā)展的態(tài)勢，其設計方案主要分為平面柵結構和溝槽柵結構兩大類。平面柵結構，以Wolfspeed、ST、onsemi為代表，因其工藝成熟、可靠性高，在國內汽車、光伏儲能等領域出貨量最大。而溝槽柵結構，則以ROHM、英飛凌、博世等為代表，其特點在于具有較低的Rsp（比導通電阻），但在高溫下的熱性能略遜于平面柵結構。

近十年來，國際主流SiC廠家每3-6年便會進行一次技術迭代，每次迭代Rsp水平下降20%-25%。目前，國外1200V SiC的Rsp已能達到2.32.8mΩ，而國內同類產品的Rsp則在2.83.3mΩ之間。

國內SiC器件技術進展迅速，產業(yè)鏈日趨完善，從材料到設計、代工等各個環(huán)節(jié)均已形成較為成熟的體系。詹旭標表示，以清純半導體為例，其技術路線與ST、ROHM等國際巨頭對標，以一年一代的節(jié)奏快速迭代。目前，清純半導體的第二代產品Rsp已達到2.8mΩ，與國際巨頭最先進水平持平，并計劃在今年推出Rsp為2.4mΩ的第三代產品。

截至目前，清純半導體已在主驅領域推出了多款產品，其1200V產品系列的核心參數(shù)完全對標國際一流水平，并在某些參數(shù)和可靠性方面表現(xiàn)更佳。此外，清純半導體還發(fā)布了全球最低導通電阻SiC MOSFET，雖然目前其應用產能還較少，但對指導下一代產品開發(fā)具有重要意義。

詹旭標強調，在性能對比方面，清純半導體的產品在相同的驅動、參數(shù)和板子上，串擾抑制能力、耐受能力、振蕩表現(xiàn)等均優(yōu)于國際一流水平。特別是在柵極串擾電壓的比較中，清純半導體的產品表現(xiàn)更為出色，有效降低了直通現(xiàn)象和損耗。

近年來，工業(yè)級領域如光儲充等，對器件的可靠性要求日益提高，已接近車規(guī)等級標準。因此，清純半導體在可靠性測試方面投入了大量研發(fā)，進行了包括雙應力、高壓H3TRB等多項嚴格測試，并遠超行業(yè)標準。得益于這些嚴酷的試驗，清純半導體在市場上銷售的400萬顆MOSFET產品失效率極低，低于1PPM。

從材料上看，當前SiC晶圓主流尺寸為6寸，但未來趨勢將向大尺寸、低缺陷的SiC襯底及外延制備發(fā)展，以進一步降低成本并提升良率。其次是器件設計，主要目標是降低比導通電阻，同時提升可靠性和魯棒性，以接近甚至超越硅基IGBT的性能水平。在工藝方面，溝道遷移率是一個值得關注的問題，由于基礎研究相對較少，這一領域亟需加強。

詹旭標認為，就國內的SiC產業(yè)發(fā)展趨勢而言，會經(jīng)歷兩個階段：第一階段，國際芯片供應商在供應鏈中占據(jù)主導地位，而國內SiC材料則開始實現(xiàn)部分替代；第二階段，國內市場將實現(xiàn)全面的國產替代，國際芯片供應商將與終端企業(yè)和國內企業(yè)展開全方位的合作。