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AFT18P350-4S2LR6 RF功率LDMOS晶體管-數(shù)據(jù)手冊

2023/04/25
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AFT18P350-4S2LR6 RF功率LDMOS晶體管-數(shù)據(jù)手冊

RF功率LDMOS晶體管 N通道增強模式側向MOSFET 此63瓦對稱多爾蒂射頻功率LDMOS晶體管設計用于覆蓋1805至1880 MHz頻段的蜂窩基站應用。

  • 典型的多爾蒂單載波W-CDMA性能：VDD = 28伏特，IDQA = 1000毫安培，VGSB = 1.2伏直流，Pout = 63瓦平均值，輸入信號PAR = 9.9分貝@ 0.01%概率的CCDF。

特點：

  • 在對稱多爾蒂配置下進行生產(chǎn)測試
  • 更大的負門源電壓范圍，以改善C類操作
  • 設計用于數(shù)字預畸變誤差校正系統(tǒng)
  • 帶卷和卷筒。R6后綴= 150個單位，56毫米帶寬，13英寸卷筒

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器件型號 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊 ECAD模型 風險等級 參考價格 更多信息
39-00-0040 1 Molex Wire Terminal, LEAD FREE
$0.06 查看
BSS84PL6327HTSA1 1 Infineon Technologies AG Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
暫無數(shù)據(jù) 查看
EZADT32AAAJ 1 Panasonic Electronic Components RC Network, RC Low Pass Filter, 0.063W, 100ohm, 12V, 0.000047uF, Surface Mount, 10 Pins, CHIP
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恩智浦

恩智浦

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結。

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結。收起

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