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AFT05MS031NR1, AFT05MS031GNR1 寬帶射頻功率LDMOS晶體管-數(shù)據(jù)表

2023/04/25
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適用于頻率從136到520 MHz的移動(dòng)雙向無(wú)線電應(yīng)用。這些器件具有高增益、耐用性和寬帶性能,使它們非常適用于移動(dòng)無(wú)線電設(shè)備中大信號(hào)的共源放大器應(yīng)用。

特點(diǎn):

  • 適用于136到520 MHz的操作
  • 無(wú)與倫比的輸入和輸出,使其可以廣泛利用于不同頻率范圍
  • 集成ESD保護(hù)
  • 集成穩(wěn)定性增強(qiáng)
  • 寬帶 - 全頻段全功率支持:
    • 136-174 MHz
    • 380-450 MHz
    • 450-520 MHz
  • 225℃可靠的塑料封裝
  • 出色的熱性能
  • 線性度,適用于TETRA、SSB、LTE
  • 成本效益高的過(guò)模制塑料封裝
  • 帶卷軸膠帶包裝。R1后綴 = 500個(gè)單位,膠帶寬度24 mm,13英寸卷軸。

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CIGT201610EHR47MNE 1 Samsung Electro-Mechanics General Purpose Inductor, 0.47uH, 20%, 1 Element, Metal Composite-Core, SMD, CHIP, 0806
$2.48 查看
IHLP2525CZER6R8M01 1 Vishay Intertechnologies General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 6.8 uH, COMPOSITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD, CHIP, 2525, GREEN

ECAD模型

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08-50-0114 1 Molex Wire Terminal,

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恩智浦

恩智浦

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。收起

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