MRFE6VP6600N 1.8-600 MHz RF功率數(shù)據(jù)手冊

2023/04/25

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RF功率LDMOS 晶體管、高耐用性N型增強(qiáng)模式側(cè)向MOSFET，這些高耐用性器件設(shè)計用于高VSWR的工業(yè)、醫(yī)療、廣播、航空航天和移動無線電應(yīng)用。其無與倫比的輸入和輸出設(shè)計使其能夠在1.8至600 MHz的寬頻率范圍內(nèi)使用。

特點(diǎn)

無與倫比的輸入和輸出，可實(shí)現(xiàn)廣泛的頻率范圍利用
設(shè)備可單端使用或采用推挽配置
最大50 VDD運(yùn)行限制
在30至50 V范圍內(nèi)進(jìn)行擴(kuò)展功率測試
適用于帶有適當(dāng)偏置的線性應(yīng)用
集成ESD保護(hù)，具有更大的負(fù)柵源電壓范圍，以改善C類操作
通過串聯(lián)等效大信號阻抗參數(shù)進(jìn)行特性描述
推薦驅(qū)動器：AFT05MS004N（4 W）或MRFE6VS25N（25 W）

推薦器件

更多器件

器件型號	數(shù)量	器件廠商	器件描述	ECAD模型	參考價格	更多信息
DB35-10	1	SEMIKRON	Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 35A, 1000V V(RRM), Silicon, 28.50 X 28.50 MM, 10 MM HEIGHT, PLASTIC PACKAGE-5		$3.41	查看
7443551470	1	Wurth Elektronik	General Purpose Inductor, 4.7uH, 20%, 1 Element, SMD, ROHS COMPLIANT	ECAD模型下載ECAD模型	$3.83	查看
BSS138DW-7-F	1	Diodes Incorporated	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTC PACKAGE-6	ECAD模型下載ECAD模型	$0.48	查看

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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。