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MRFE6VP61K25N,MRFE6VP61K25GN 寬帶射頻功率LDMOS晶體管數(shù)據(jù)手冊

2023/04/25
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射頻功率LDMOS晶體管 高韌性N溝道增強型橫向MOSFET?這些高韌性器件設(shè)計用于高駐波比的工業(yè)、醫(yī)療、廣播、航空航天和移動無線電應(yīng)用。其無與倫比的輸入和輸出設(shè)計允許從1.8到600 MHz的廣泛頻率范圍使用。

特點

  • 無與倫比的輸入和輸出,可實現(xiàn)廣泛頻率范圍的利用
  • 設(shè)備可單端使用或采用推挽配置
  • 最大50 VDD操作的合格化
  • 在30到50 V范圍內(nèi)進行特性化,以擴展功率范圍
  • 適用于具有適當(dāng)偏置的線性應(yīng)用
  • 集成ESD保護,具有更大的負柵源電壓范圍,以改善C類操作
  • 使用系列等效大信號阻抗參數(shù)進行特性化
  • 推薦驅(qū)動器:AFT05MS004N(4 W)或MRFE6VS25N(25 W)

推薦器件

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器件型號 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊 ECAD模型 風(fēng)險等級 參考價格 更多信息
H3153-01 1 Harwin PCB Terminal, LEAD FREE

ECAD模型

下載ECAD模型
$0.35 查看
8-320563-1 1 TE Connectivity TERMINAL,PIDG R 16-14 1/4

ECAD模型

下載ECAD模型
$0.98 查看
1N4148W-TP 1 Micro Commercial Components Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
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恩智浦

恩智浦

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。收起

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