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近日，ASML發(fā)布最新三季度財報后，股價創(chuàng)26年來最大跌幅引起市場極大關(guān)注。在此期間，尼康和佳能陸續(xù)發(fā)布的光刻機研發(fā)最新進展也引起行業(yè)聚焦。
ASML股價創(chuàng)26年來最大跌幅
全球光刻機行業(yè)領(lǐng)導者ASML近期發(fā)布了其三季度財報和四季度財報指引，并下調(diào)了2025財年的業(yè)績預期。由于國際形勢和半導體產(chǎn)業(yè)需求的抑制，ASML在美國上市的股票遭受了26年來的最大跌幅，當日股價下跌16%。
具體財報而言，ASML三季度實現(xiàn)營收75億歐元，毛利率達50.8%，凈利潤達21億歐元。這主要得益于DUV光刻系統(tǒng)銷售額和裝機管理銷售額的增加。但同時，ASML新增訂單金額達26億歐元，比市場預期的54億歐元減少近一半。
市場對High NA EUV光刻機的走向保持高度關(guān)注。據(jù)路透社近日披露消息，三星因在美國得克薩斯州的工廠未能吸引大客戶，推遲了接收ASML生產(chǎn)的光刻機。同時，三星也推遲了向其他一些供應(yīng)商下訂單，致使這些供應(yīng)商不得不另覓客戶。
三星在今年4月表示，其德州工廠將于2026年開始生產(chǎn)，而非原定的2024年。三星電子會長李在镕本月早些時候公開表示，這家工廠面臨挑戰(zhàn)。三星電子推遲收貨行為也影響著阿斯麥業(yè)績。阿斯麥提供的數(shù)據(jù)顯示，在韓銷售額今年三季度環(huán)比下滑三分之一至8.89億歐元。
英特爾和臺積電方面，近期ASML新任首席執(zhí)行官傅恪禮Christophe Fouquet透露，英特爾的第二臺High NA EUV光刻機已經(jīng)順利完成組裝，而臺積電的首臺High NA EUV光刻機預計最快在今年年底完成交貨。
對于四季度和明年發(fā)展預計，Christophe Fouquet在聲明中表示，盡管人工智能領(lǐng)域展現(xiàn)出強勁的發(fā)展勢頭，但半導體市場的復蘇進程比預期緩慢，預計這一趨勢將持續(xù)到2025年。傅恪禮還提到，由于晶圓代工廠之間的競爭態(tài)勢，部分客戶的新技術(shù)節(jié)點發(fā)展態(tài)勢放緩，影響了對光刻設(shè)備的需求時間節(jié)點，尤其是在EUV光刻機方面。而在存儲芯片領(lǐng)域，新增產(chǎn)能有限，發(fā)展重點依然是技術(shù)轉(zhuǎn)型，以滿足對人工智能相關(guān)的高帶寬內(nèi)存(HBM)和第五代雙倍數(shù)據(jù)速率隨機存取存儲器(DDR5)的需求。
佳能交付首臺新型納米壓印光刻機
在光刻機市場競爭中，佳能的策略是專注于KrF和i-line，而不涉及EUV和ArF等尖端產(chǎn)品，這種策略非常有效。這是因為，在半導體制造中，無論多么尖端，都不能僅靠EUV制造，而是統(tǒng)一使用ArF浸潤式、ArF干式、KrF和i-line。
近期日本佳能宣布，成功交付佳能最先進的納米壓印光刻NIL系統(tǒng)FPA-1200NZ2C。據(jù)悉，佳能的FPA-1200NZ2C系統(tǒng)可實現(xiàn)最小14nm線寬的圖案化，支持5nm制程邏輯半導體生產(chǎn)。
公開資料顯示，納米壓印與光刻是兩種不同的技術(shù)路線。兩者的目標相同，簡單描述就是將設(shè)計好的集成電路圖“復制粘貼”到硅片上。而實現(xiàn)方法卻大有不同，形象地比喻類似“照相”與“蓋印章”。
傳統(tǒng)的光刻機通過將電路圖案投影到涂有光刻膠的晶圓上來轉(zhuǎn)移電路圖案，佳能的設(shè)備則是通過將“印有電路圖案的掩模像印章一樣壓入晶圓上的光刻膠中”來生產(chǎn)芯片。由于電路圖案的轉(zhuǎn)移不需要通過光學機制，掩模上的精細電路圖案可以在晶圓上如實再現(xiàn)。
佳能表示，相較于傳統(tǒng)光刻機需要復雜的光學鏡片構(gòu)造，納米壓印設(shè)備的構(gòu)造更為簡單，功耗僅需十分之一。同時還能通過單次壓印形成復雜的三維電路圖案，能夠處理用于最先進邏輯芯片的極細電路。
據(jù)悉，這次交付的首臺設(shè)備將被送往美國得克薩斯電子研究所。該研究所是得克薩斯大學奧斯汀分校支持的一個團體組織，成員包括英特爾和其他芯片公司、公共部門和學術(shù)組織，這臺設(shè)備將被用于芯片制造的研究與開發(fā)工作。佳能光學產(chǎn)品副首席執(zhí)行官Kazunori Iwamoto對媒體表示，公司計劃在未來3-5年內(nèi)，每年銷售10-20臺此類設(shè)備。
就在該消息公布的三天之前，佳能還發(fā)布了新型半導體曝光設(shè)備FPA-3030i6，這是一款配備新開發(fā)投影鏡頭的i-line步進機。新產(chǎn)品FPA-3030i6是面向8英寸（200mm）以下小尺寸基板的半導體曝光設(shè)備。該設(shè)備通過采用新開發(fā)的高透過率和高耐久性投影鏡頭，既能抑制高照度曝光下產(chǎn)生的像差，又能縮短曝光時間，從而提高生產(chǎn)力。此外，代表鏡頭分辨率的NA（數(shù)值孔徑）范圍擴大、對應(yīng)特殊基板的搬送系統(tǒng)等，有多項option（有償）可供選擇，從而滿足多種半導體器件（如功率器件和綠能器件）的制造需求。
尼康披露旗下首款半導體后端工藝用光刻機
而尼康依舊想在ArF浸潤式和ArF干法領(lǐng)域有所收獲。據(jù)悉，尼康計劃在2026財年之前陸續(xù)推出三款半導體光刻機，進一步通過增加氟化氬（ArF）干式、氟化氪（KrF）以及i線三種波長的光刻機，擴展產(chǎn)品線并追趕競爭對手。
10月22日尼康宣布，公司正在研發(fā)一款面向半導體先進封裝工藝應(yīng)用、“兼具高分辨率及高生產(chǎn)性能”的1.0微米（即1000納米）分辨率數(shù)字光刻機，該設(shè)備預計在尼康2026財年內(nèi)發(fā)售。
尼康表示，隨著數(shù)據(jù)中心AI芯片用量的不斷提升，在以Chiplet芯粒技術(shù)為代表的先進封裝領(lǐng)域出現(xiàn)了對基于玻璃面板的PLP封裝技術(shù)日益增長的需求，分辨率高且曝光面積大的后端光刻機也愈發(fā)不可或缺。尼康正在研發(fā)的后端數(shù)字光刻機，將半導體光刻機代表性的高分辨率技術(shù)同顯示產(chǎn)業(yè)所用FPD曝光設(shè)備的多透鏡組技術(shù)相融合。其曝光過程無需使用掩膜，而是利用SLM（空間光調(diào)制器）來生成所設(shè)計的電路圖案，從光源發(fā)出的光經(jīng)SLM反射后通過透鏡光學組，最終在基板上成像。據(jù)悉，新設(shè)備相較于傳統(tǒng)的有掩膜工藝可同時削減后端工藝的成本和用時。
尼康近兩年不斷加強研發(fā)，加速迭代其光刻設(shè)備。今年1月，尼康正式發(fā)布ArF浸沒式光刻機NSR-S636E，這種光刻機使用氟化氬激光器來生產(chǎn)芯片。
尼康稱，作為半導體生產(chǎn)過程中關(guān)鍵層的曝光系統(tǒng)，NSR-S636E具有尼康歷史上更高的生產(chǎn)效率，并具有高水準的套刻精度和生產(chǎn)速度，可為尖端半導體器件中的3D等器件結(jié)構(gòu)多樣化的挑戰(zhàn)提供解決方案。NSR-S636EArF浸沒式曝光機采用增強型iAS，該創(chuàng)新系統(tǒng)可利用在高精度測量和廣泛的晶圓翹曲和畸變校正功能上，達成了高重疊精度（MMO≤2.1nm）。曝光面積為26毫米×33毫米，生產(chǎn)速度則是增加到每小時280片，加上減少停機時間，使得其與當前型號相比，整體生產(chǎn)率提高了10~15%，已達到尼康光刻設(shè)備中最高的生產(chǎn)效率。
