sic器件

• 全球SiC器件供應(yīng)商列表（按照生產(chǎn)環(huán)節(jié)分類）
  

  今天，整理一下SiC器件產(chǎn)品供應(yīng)商的數(shù)據(jù)。不過我之前的供應(yīng)商數(shù)據(jù)是按照產(chǎn)品種類和形式進(jìn)行區(qū)分類的，這個并不能體現(xiàn)各家供應(yīng)商的生產(chǎn)方式事實(shí)上，SiC器件供應(yīng)商的生產(chǎn)模式很多：

  半導(dǎo)體綜研

  2044

  11/29 11:40

  sic器件 半導(dǎo)體供應(yīng)商
• 中國車載SiC器件技術(shù)部分已領(lǐng)跑 有望主導(dǎo)全球供應(yīng)鏈
  

  新能源汽車無疑是近年來最耀眼的行業(yè)之一，其發(fā)展速度遠(yuǎn)超預(yù)期。2023年，中國新能源汽車銷量預(yù)計達(dá)到950萬輛，市場占比高達(dá)31.6%，即每銷售10輛汽車中，就有3輛是新能源汽車。展望2024年，年銷量有望攀升至1200-1300萬輛，市場占比可能超過45%，并占據(jù)全球年產(chǎn)銷量的60%。這一增長態(tài)勢令人振奮，不禁讓人聯(lián)想到十幾年前光伏行業(yè)的崛起，新能源汽車行業(yè)的發(fā)展軌跡似乎正沿著相似的路徑加速前進(jìn)。? ? ? ?

  響指

  872

  10/31 12:40

  sic器件 SiC技術(shù)
• 系統(tǒng)寄生參數(shù)對SiC器件開關(guān)的影響分析
  

  本文分析了系統(tǒng)寄生參數(shù)對SiC(碳化硅)器件使用的影響。本文還研究了SiC MOS開關(guān)開通時的過流機(jī)理，以及開通電流振蕩的原因。除了寄生電感對功率器件電壓應(yīng)力的影響外，本文還討論了系統(tǒng)設(shè)計中寄生電容對開通電流應(yīng)力、電流振蕩和開通損耗的負(fù)面影響。

  英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體

  1490

  08/28 10:33

  碳化硅 sic器件
• 今天，整理一下SiC器件產(chǎn)品供應(yīng)商的數(shù)據(jù)
  

  我最近主攻的行業(yè)數(shù)據(jù)整理工作方向是半導(dǎo)體檢測、量測設(shè)備和EDA軟件。不過其它領(lǐng)域的數(shù)據(jù)整理工作也沒有完全放下這兩天，有星球社區(qū)的小伙伴向我索取SiC行業(yè)的數(shù)據(jù)，我也只能抽空再整理一下了幸好，我手頭已經(jīng)有一些之前積累的底稿

  半導(dǎo)體綜研

  1607

  08/22 09:00

  sic器件
• 從Si到SiC，我們該如何絲滑升級？
  在功率電子領(lǐng)域，一場技術(shù)變革正在發(fā)生：在越來越多的應(yīng)用中，GaN和SiC等第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件正在逐步替代傳統(tǒng)的硅（Si）基器件，扮演越來越重要的角色。在需要較高電壓和功率的電動車、白色家電、通信基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域，SiC更是表現(xiàn)出強(qiáng)勁的實(shí)力。

  貿(mào)澤電子

  1950

  08/08 11:05

  SiC sic器件
• 簽約/通線/投產(chǎn)！新增3個SiC相關(guān)項(xiàng)目
  

  近日，浙江、江蘇兩地的3個SiC項(xiàng)目傳新進(jìn)展：●?晶能微電子：年產(chǎn)2.6億只功率半導(dǎo)體器件封裝項(xiàng)目已全線投產(chǎn)?！?華芯智能：國產(chǎn)化半導(dǎo)體先進(jìn)封裝設(shè)備項(xiàng)目簽約落地江蘇無錫。●?長電科技：車規(guī)級功率器件封裝中試線成功通線，已推出SiC模塊樣品。

  行家說三代半

  825

  07/17 08:25

  SiC sic器件
• 產(chǎn)值將破5億！該SiC企業(yè)投資10億新建項(xiàng)目
  

  近日，浙江嘉興再引進(jìn)一個SiC相關(guān)項(xiàng)目，總投資達(dá)10億元。據(jù)“行家說三代半”不完全統(tǒng)計，今年以來該地已經(jīng)新簽了3個SiC相關(guān)項(xiàng)目。

  行家說三代半

  2236

  05/31 14:55

  SiC sic器件
• 該SiC項(xiàng)目3月底開工！11.5億、20萬片
  

  近日，國內(nèi)又有3個SiC項(xiàng)目新建/即將開工：●?同光股份；SiC襯底項(xiàng)目預(yù)計本月月底開工，可年產(chǎn)20萬片；●?昌龍智芯：計劃投資超10億元建造器件產(chǎn)線，產(chǎn)品包括SiC MOSFET等；●?緯湃科技：新投資項(xiàng)目落戶天津，引入產(chǎn)品包括SiC模塊等。

  行家說三代半

  2943

  03/14 08:48

  SiC 碳化硅
• 接著挖呀挖，全球碳化硅Foundry廠信息統(tǒng)計
  

  馬上春節(jié)了，我就偷懶發(fā)個簡單一些的數(shù)據(jù)吧之前，我以產(chǎn)品形式和商業(yè)模式作為區(qū)分，先后兩次發(fā)布了碳化硅器件供應(yīng)商的數(shù)據(jù)。于是有讀者希望我把代工廠的數(shù)據(jù)也列一下。

  半導(dǎo)體綜研

  2609

  02/05 14:40

  SiC 碳化硅
• 11億！2個SiC項(xiàng)目加速推進(jìn)
  

  近日，國內(nèi)2家SiC企業(yè)宣布新進(jìn)展：● 誠盛科技：SiC器件項(xiàng)目今年8月量產(chǎn)，總投資9億；● 飛仕得：SiC設(shè)備獲被嘉獎50萬，IGBT/SiC MOS項(xiàng)目總投資2億。

  行家說三代半

  1888

  01/18 13:10

  SiC 碳化硅
• 超3億！新增3個SiC相關(guān)項(xiàng)目
  

  進(jìn)入2024年，國內(nèi)外3個SiC項(xiàng)目也在加速推進(jìn)：● 西安高新區(qū)：購置600余套設(shè)備，生產(chǎn)SiC器件等項(xiàng)目?！?華潤上華：發(fā)布SiC/GaN項(xiàng)目實(shí)施招標(biāo)公告，復(fù)制晶圓制造服務(wù)?！?Pentamaster：將在2年內(nèi)投資超3億元建設(shè)SiC工廠，生產(chǎn)測試?yán)匣O(shè)備。

  行家說三代半

  3073

  01/10 08:50

  SiC 碳化硅
• 關(guān)乎車規(guī)SiC可靠性！近90%的汽車主驅(qū)都用它
  

  好馬配好鞍！要充分發(fā)揮SiC器件優(yōu)勢，還需要為電路系統(tǒng)搭配適合的電容器。從電動車主驅(qū)電控到光伏逆變器等大功率新能源場景，薄膜電容逐漸成為主流，市場亟需高性價比的近日，上海永銘電子股份有限公司推出了直流支撐薄膜電容器，4個突出優(yōu)勢使其適用于英飛凌第七代IGBT，并且有助于解決SiC系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性、小型化和成本等難題。

  行家說三代半

  2046

  01/05 08:42

  sic器件 車規(guī)級SiC
• 投用電網(wǎng)！國產(chǎn)SiC器件連破3關(guān)
  

  近日，國家電網(wǎng)等多家企業(yè)宣布，他們成功將SiC技術(shù)應(yīng)用在電網(wǎng)電力系統(tǒng)中，并且實(shí)現(xiàn)了SiC MOSFET芯片的全國產(chǎn)化，為SiC器件應(yīng)用又拓寬了應(yīng)用面，詳情請往下看：

  行家說三代半

  3534

  2023/12/20

  電力系統(tǒng) sic器件
• SiC器件，中外現(xiàn)況
  

  近年來，以碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料備受關(guān)注，在禁帶寬度、擊穿電場、熱導(dǎo)率、電子飽和速率、抗輻射能力等關(guān)鍵參數(shù)方面具有顯著優(yōu)勢，滿足了現(xiàn)代工業(yè)對高功率、高電壓、高頻率的需求。 碳化硅器件按照電阻性能的不同，可以分為導(dǎo)電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅基射頻器件。 ①導(dǎo)電型碳化硅功率器件主要是通過在導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層，得到碳化硅外延片后進(jìn)一步加工制成，品種包括SBD（肖

  史德志

  4960

  2023/12/08

  與非研究院 MOS
• 碳化硅二極管器件在電子領(lǐng)域中有何優(yōu)勢
  碳化硅材料的半導(dǎo)體，雖然隨著技術(shù)的發(fā)展，目前碳化硅的成本已經(jīng)下降了不少，但按市場性價比來看，同類型的硅材料與碳化硅半導(dǎo)體器件的價格相差十倍以上。碳化硅單晶可用于制造晶體管（二極管和晶體管）。由于碳化硅具有較大的禁帶寬度，制成的器件可以承受高壓和高溫，是制作大功率器件的良好材料。缺點(diǎn)是其單晶的制造比較困難，器件工藝也不成熟，而且在器件中的歐姆接觸難以做好（因?yàn)槭菍捊麕О雽?dǎo)體,重?fù)诫s難以起作用）在半導(dǎo)體器件的應(yīng)用方面，隨著碳化硅生產(chǎn)成本的降低，碳化硅由于其優(yōu)良的性能而可能取代硅作芯片，打破硅芯片由于材料本身性能的瓶頸，將給電子業(yè)帶來革命性的變革。

  Keep Tops

  2780

  2023/10/10

  SiC 二極管
• 碳化硅SiC器件到底有多強(qiáng)
  

  與目前廣泛使用的Si材料相比，KeepTops的碳化硅材料具有更高的導(dǎo)熱性，這決定了其高電流密度特性；其更高的帶隙寬度決定了SiC器件的高擊穿場強(qiáng)和高工作溫度。其優(yōu)點(diǎn)可歸納為以下幾點(diǎn)

  Keep Tops

  2660

  2023/10/09

  SiC 碳化硅
• 保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡
  

  在不斷發(fā)展的汽車、可再生能源和工業(yè)應(yīng)用中，工程師將能夠借助 SiC 器件的特性，解決功率密度和散熱方面的諸多挑戰(zhàn)。憑借 1700V 系列 SiC MOSFET 和二極管，安森美滿足了市場對具有更高擊穿電壓的器件的需求。此外，安森美還為新興的太陽能、固態(tài)變壓器和固態(tài)斷路器應(yīng)用開發(fā)了 2000V SiC MOSFET 技術(shù)。

  與非網(wǎng)編輯

  1884

  2023/09/15

  二極管 可再生能源
• SIC是否能成為光伏發(fā)電的再生能源？
  光伏發(fā)電是SIC器件除新能源汽車領(lǐng)域之外的第二個應(yīng)用領(lǐng)域。光伏逆變器作為光伏電站的轉(zhuǎn)換設(shè)備，主要用于將太陽能電池組件發(fā)出的直流電轉(zhuǎn)換為交流電。隨著光伏產(chǎn)業(yè)進(jìn)入“大組件、大逆變器、大跨支架、大組串”時代，光伏電站電壓等級將從1000V提升至1500V及以上，這對物理性能提出了更高的要求功率器件。這時，碳化硅進(jìn)入了公眾的視野。

  Keep Tops

  1481

  2023/08/30

  光伏發(fā)電 sic器件
• 中國小型SiC廠商，難過2023
  

  2018年，特斯拉在Model 3中首次將IGBT模塊換成了SiC模塊，成為第一家在量產(chǎn)汽車中使用SiC芯片的電動汽車公司。特斯拉的使用結(jié)果表明，在相同功率等級下，SiC模塊的封裝尺寸明顯小于硅模塊，并且開關(guān)損耗降低了75％。換算下來，采用SiC模塊替代IGBT模塊，其系統(tǒng)效率可以提高5％左右。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  2815

  2023/06/08

  SiC 碳化硅
• 228億，意法半導(dǎo)體 x 三安光電，他們在謀劃什么？
  

  6月7日，國際半導(dǎo)體大廠意法半導(dǎo)體和國內(nèi)化合物半導(dǎo)體知名廠商三安光電宣布，雙方已簽署協(xié)議，將在重慶建立一個新的8吋碳化硅器件合資制造廠。

  全球半導(dǎo)體觀察

  2993

  2023/06/08

  SiC 碳化硅

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