11億！2個(gè)SiC項(xiàng)目加速推進(jìn)

近日，國(guó)內(nèi)2家SiC企業(yè)宣布新進(jìn)展：

● 誠(chéng)盛科技：SiC器件項(xiàng)目今年8月量產(chǎn)，總投資9億；

● 飛仕得：SiC設(shè)備獲被嘉獎(jiǎng)50萬(wàn)，IGBT/SiC MOS項(xiàng)目總投資2億。

誠(chéng)盛科技：項(xiàng)目一期8月量產(chǎn)

1月15日，據(jù)“今日高郵”報(bào)道，誠(chéng)盛科技舉辦了“麒思大功率器件項(xiàng)目發(fā)布會(huì)暨功率半導(dǎo)體高峰論壇”，并公布了該SiC項(xiàng)目的具體進(jìn)度。

據(jù)悉，該項(xiàng)目位于高郵經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)，主要生產(chǎn)大功率器件、SiC、IGBT模塊封測(cè)等產(chǎn)品，總投資9億元。項(xiàng)目分兩期實(shí)施，一期投入4.8 億元，預(yù)計(jì)將于今年8月量產(chǎn)，可年產(chǎn)分立器件3.3億只、模塊120萬(wàn)只。

據(jù)誠(chéng)盛科技官網(wǎng)透露，該項(xiàng)目由麒思電子負(fù)責(zé)建設(shè)，將自建總面積為30740m2的生產(chǎn)廠(chǎng)房，其中有23000 m2用做生產(chǎn)車(chē)間，另外，高標(biāo)準(zhǔn)潔凈車(chē)間面積超過(guò)10000 m2；項(xiàng)目一期主要生產(chǎn)TO220/263/247/3P等大功率分立器件系列產(chǎn)品、以及SOT-227、IGBT模塊，而且關(guān)鍵工序采用全進(jìn)口高端設(shè)備，技術(shù)水平處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位。

企查查顯示，江蘇麒思電子科技有限公司成立于2023年3月，經(jīng)營(yíng)范圍包括半導(dǎo)體分立器件制造及銷(xiāo)售、半導(dǎo)體器件專(zhuān)用設(shè)備制造等，控股方為江蘇誠(chéng)盛科技有限公司，持股比例達(dá)到94%。

官網(wǎng)資料顯示，誠(chéng)盛科技成立于2022年09月，是一家專(zhuān)注于芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、芯片封裝測(cè)試及OLED顯示模組研發(fā)銷(xiāo)售的國(guó)家級(jí)高新科技公司，公司產(chǎn)品服務(wù)于通訊設(shè)備、數(shù)碼電子、車(chē)載電子、消費(fèi)類(lèi)電子等行業(yè)。

飛仕得：SiC設(shè)備獲政府嘉獎(jiǎng)，SiC項(xiàng)目總投資2億

1月15日，飛仕得在官微宣布，其“SiC器件智能動(dòng)態(tài)測(cè)試裝備”成功入選并被認(rèn)定為浙江省首臺(tái)（套）裝備。

據(jù)悉，該設(shè)備已經(jīng)迭代至第四代，具備高準(zhǔn)確度，高效率，高智能化特點(diǎn)，測(cè)試電壓最高可達(dá)6000V，電流10000A，寄生電感＜10nH。目前，該系列設(shè)備已在國(guó)家電網(wǎng)、上汽、一汽、比亞迪、吉利、蔚來(lái)、匯川技術(shù)、寧德時(shí)代、長(zhǎng)城、英飛凌、三菱電機(jī)、中車(chē)半導(dǎo)體、士蘭微電子、上海航天、特變電工、浙江大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)等單位得到應(yīng)用。

浙江省人民政府網(wǎng)顯示，首臺(tái)（套）產(chǎn)品是指實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)突破、擁有知識(shí)產(chǎn)權(quán)、尚未取得重大市場(chǎng)業(yè)績(jī)的裝備產(chǎn)品。新認(rèn)定為2023年度省首臺(tái)（套）裝備的，國(guó)內(nèi)首臺(tái)（套）裝備獎(jiǎng)勵(lì)100萬(wàn)元，省內(nèi)首臺(tái)（套）裝備獎(jiǎng)勵(lì)50萬(wàn)元。

值得關(guān)注的是，2023年6月，飛仕得申報(bào)科創(chuàng)板上市并披露招股書(shū)（申報(bào)稿），擬募資4.5億元用于“功率器件驅(qū)動(dòng)器及功率模組、功率半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備智能制造基地及研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目”、補(bǔ)充流動(dòng)資金。

其中，“功率器件驅(qū)動(dòng)器及功率模組、功率半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備智能制造基地”項(xiàng)目總投資2億元，將新建年產(chǎn)?80 萬(wàn)件功率器件驅(qū)動(dòng)器、6000 件功率模組、80 臺(tái)功率半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備的產(chǎn)線(xiàn)，以滿(mǎn)足IGBT、SiC MOSFET 等功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)需求增長(zhǎng)。

招股書(shū)進(jìn)一步透露，飛仕得成立于2011年，主要從事IGBT、SiC MOSFET等功率半導(dǎo)體器件及檢測(cè)設(shè)備的研發(fā)銷(xiāo)售。截至目前，飛仕得已推出SiC MOSFE功率器件及驅(qū)動(dòng)器、SiC器件檢測(cè)設(shè)備等產(chǎn)品，其中，SiC MOSFET功率器件及驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并在工業(yè)控制等領(lǐng)域滿(mǎn)足小批量出貨需求。