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HBM

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  • 2024，美國“科技鐵幕”重傷歐美芯片大廠
    2024，美國“科技鐵幕”重傷歐美芯片大廠
    12月2日，美國商務部工業(yè)與安全局（BIS）發(fā)布半導體出口管制新規(guī)，事無巨細的新增了140個實體清單，涵蓋中國的設備廠、晶圓廠甚至是投資公司。本輪限制的重點針對的是國產設備和HBM領域，新增的關鍵規(guī)則包括：
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    12/26 13:06
  • 突發(fā)！三星又換HBM封裝負責人
    突發(fā)！三星又換HBM封裝負責人
    三星電子通過年末人事調整和組織改編，對HBM（高帶寬存儲器）制造核心工序封裝（Packaging）組織進行了變化，從臺積電聘請的副社長林俊成下臺，組織名稱也改為“系統(tǒng)封裝實驗室”，繼續(xù)開發(fā)新一代HBM——HBM4封裝技術。
  • 三星正開發(fā)移動HBM，能效提高70%
    三星正開發(fā)移動HBM，能效提高70%
    三星電子正致力于下一代半導體市場，重點開發(fā)被稱為DRAM市場新星的“LLW（Low Latency Wide IO）DRAM”。LLW具有數(shù)據處理速度快、功耗低的特點，是比現(xiàn)有低功耗DRAM性能更高的產品。它被認為是針對設備上人工智能市場的未來技術，因此被稱為“移動HBM（高帶寬內存）”。
  • 存儲廠商沒有笑出雙十一
    存儲廠商沒有笑出雙十一
    國內市場DRAM現(xiàn)貨價格在整個11月份持續(xù)走低，尤其是DDR4受到的沖擊尤為嚴重。相比之下，NAND閃存價格顯示出穩(wěn)定跡象。業(yè)內估計，雙十一期間 DRAM 模組整體銷量與 2023 年同期相比下降約 20%。單位銷量下降 16%，平均售價下降約 9%。在產品價格貢獻方面，2024年雙十一期間，SSD的銷售表現(xiàn)已超越DRAM模組。今年雙十一，長江存儲旗下的致態(tài)品牌表現(xiàn)亮眼，在京東實現(xiàn)了SSD品類交易總額（GMV）和銷量的雙料第一，超過了三星。
  • 外企可在中國封裝HBM2
    外企可在中國封裝HBM2
    美國政府計劃進一步加強對中國半導體制造設備出口的限制，該措施預計將包括高帶寬存儲器（HBM）,引發(fā)人們對韓國半導體公司受到負面影響的擔憂。路透社12月2日(當?shù)貢r間)報道稱，美國政府計劃于今日宣布對140家中國企業(yè)實施新的出口限制。據悉，來自日本和荷蘭公司的產品將獲得豁免。
  • 老美繼續(xù)切割對華芯片行業(yè)聯(lián)系，國產半導體設備與零部件何去何從？
    老美繼續(xù)切割對華芯片行業(yè)聯(lián)系，國產半導體設備與零部件何去何從？
    事情大家都知道，老美BIS，再發(fā)新規(guī)則，對出口條例進行大修改，涉及新名單企業(yè)，維護所謂的他們的“國家安全和外交利益”。生效日期為12月2日，許可的合規(guī)要求日為12月31日。目前又新添加了140個名單企業(yè)，包括130個中國企業(yè)，1個日本企業(yè)，1個新加坡企業(yè)，以及8個韓國企業(yè)。
  • HBM在風口，也在浪尖
    HBM在風口，也在浪尖
    據悉，美國商務部BIS將于本周四（11月28日）“感恩節(jié)假期前”公布限制中國科技發(fā)展的新出口管制措施，預計將有約200家中國芯片公司納入貿易限制名單，無法獲取美國公司的產品。截至發(fā)文，未有出口管制措施發(fā)布。緊接著，另一套限制高帶寬存儲(HBM)出口到中國的規(guī)定，也預計在12月間對外公布。該規(guī)定是更廣泛限制中國人工智能(AI)產業(yè)發(fā)展的一環(huán)。
  • 研報 | 服務器DRAM及HBM推升3Q24 DRAM產業(yè)營收季增13.6%
    研報 | 服務器DRAM及HBM推升3Q24 DRAM產業(yè)營收季增13.6%
    根據TrendForce集邦咨詢最新調查，2024年第三季DRAM（內存）產業(yè)營收為260.2億美元，季增13.6%。受到大陸手機制造商去化庫存及部分DRAM供應商擴產影響，盡管前三大DRAM原廠LPDDR4及DDR4出貨量下降，但供應數(shù)據中心的DDR5及HBM（高帶寬內存）需求上升。
  • 傳美國HBM禁令12月6月發(fā)布，明年1月2日生效
    傳美國HBM禁令12月6月發(fā)布，明年1月2日生效
    消息人士向芯片說IC TIME透露，美國商務部工業(yè)與安全局（BIS）計劃于12月6日發(fā)布HBM禁令，包含HBM2E、HBM3、HBM3E，2025年1月2日生效。
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    11/26 09:30
    HBM
  • HBM設備大廠扭虧為盈！
    HBM設備大廠扭虧為盈！
    韓美半導體的臺灣子公司去年因半導體行業(yè)狀況惡化而遭受凈虧損，但一年內就成功扭虧為盈。分析認為，這是本土化策略的結果，例如招募本地人員、確保銷售網絡以軟著陸中國臺灣市場。韓美半導體計劃通過與中國臺灣當?shù)乜蛻艚⒚芮嘘P系來加強本地化戰(zhàn)略并增加訂單。
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    11/26 09:25
    HBM
  • 美光HBM又挖角SK海力士、三星員工
    美光HBM又挖角SK海力士、三星員工
    SK海力士的一名工程師最近收到了美光科技 (Micron Technology) 的邀請，要在中國臺灣的一家晶圓廠工作。一位專業(yè)的獵頭建議了一個職位，當他回答說我沒有做過任何相關工作時，他立即被告知還有20個職位可以選擇。
  • 加碼HBM！SK海力士Q3借款超1100億！
    加碼HBM！SK海力士Q3借款超1100億！
    在內存半導體市場存在不確定性的情況下，SK海力士通過主導高帶寬內存（HBM）市場提升了業(yè)績，該公司正基于其現(xiàn)金生成能力的增強而專注于債務管理。今年，值得注意的是現(xiàn)金持有量穩(wěn)步增加，而借款也大幅減少。為了應對人工智能（AI）存儲器市場，今明兩年的設備投資較去年大幅擴大的可能性很大，而且還計劃投資建立新的生產基地，看來公司正在先發(fā)制人地加快改善財務結構。
  • 需求展望疲弱、庫存和供給上升，預計2025年DRAM價格將下跌
    第四季為DRAM產業(yè)議定合約價的關鍵時期，根據TrendForce集邦咨詢最新調查，制程較成熟的DDR4和LPDDR4X因供應充足、需求減弱，目前價格已呈現(xiàn)跌勢。DDR5與LPDDR5X等先進制程產品的需求展望尚不明確，加上部分買賣方庫存水位偏高，價格不排除于今年第四季底開始下跌。 TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，先前受三大供應商積極建置HBM產能，加上預計新廠到2026年才會
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    11/18 08:42
  • SK hynix率先推出HBM3e 16hi產品，推升位元容量上限
    SK hynix（SK海力士）近日在SK AI Summit 2024活動透露其正在開發(fā)HBM3e 16hi產品，每顆HBM芯片容量為48GB，預計在2025年上半年送樣。根據TrendForce集邦咨詢最新研究，這款新產品的潛在應用包括CSP（云端服務業(yè)者）自行研發(fā)的ASIC和general purpose GPU（通用型GPU），有望在HBM4世代量產前，提早于HBM3e世代推升位元容量上限。
  • 產業(yè)丨AI半導體熱潮中升溫，SK海力士年度營業(yè)利潤或超三星
    產業(yè)丨AI半導體熱潮中升溫，SK海力士年度營業(yè)利潤或超三星
    當前，英偉達的GPU終于確立了HBM技術的領先地位，整個行業(yè)正緊隨其后，加速HBM技術的發(fā)展。在AI硬件競爭的激烈角逐中，時間等同于生命，任何落后都可能導致被淘汰的命運。在HBM技術發(fā)展的道路上，一場無形的較量正在激烈進行，同時也標志著芯片市場競爭格局的重新塑造。
  • 在2025年DRAM位元產出增長下，供應商需謹慎規(guī)劃產能以保持盈利
    在2025年DRAM位元產出增長下，供應商需謹慎規(guī)劃產能以保持盈利
    DRAM產業(yè)歷經2024年前三季的庫存去化和價格回升，價格動能于第四季出現(xiàn)弱化。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于部分供應商在今年獲利后展開新增產能規(guī)劃，預估2025年整體DRAM產業(yè)位元產出將年增25%，成長幅度較2024年大。 根據TrendForce集邦咨詢最新調查，DRAM產業(yè)結構越趨復雜，除現(xiàn)有的PC、Server、Mobile、Graphics和Consumer
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    11/06 07:41
  • 研報 | HBM5 20hi后產品將采用Hybrid Bonding技術，或引發(fā)商業(yè)模式變革
    研報 | HBM5 20hi后產品將采用Hybrid Bonding技術，或引發(fā)商業(yè)模式變革
    HBM產品已成為DRAM產業(yè)關注焦點，這使得Hybrid Bonding (混合鍵合)等先進封裝技術發(fā)展備受矚目。根據TrendForce集邦咨詢最新研究，三大HBM原廠正在考慮是否于HBM4 16hi采用Hybrid Bonding，并已確定將在HBM5 20hi世代中使用這項技術。
  • HBM5 20hi后產品將采用Hybrid Bonding技術，或引發(fā)商業(yè)模式變革
    HBM5 20hi后產品將采用Hybrid Bonding技術，或引發(fā)商業(yè)模式變革
    HBM產品已成為DRAM產業(yè)關注焦點，這使得Hybrid Bonding (混合鍵合)等先進封裝技術發(fā)展備受矚目。根據TrendForce集邦咨詢最新研究，三大HBM原廠正在考慮是否于HBM4 16hi采用Hybrid Bonding，并已確定將在HBM5 20hi世代中使用這項技術。 與已廣泛使用的Micro Bump (微凸塊)堆疊技術相比，Hybrid Bonding由于不配置凸塊，可容納較
  • SK海力士Q3業(yè)績又創(chuàng)新高，HBM銷額暴漲330%
    SK海力士Q3業(yè)績又創(chuàng)新高，HBM銷額暴漲330%
    受高帶寬內存和HBM的影響，SK海力士今年第三季度的銷售額、營業(yè)利潤和凈利潤均創(chuàng)歷史新高。預計將消除人們對最近一些人提出的“半導體冬天論”引發(fā)的存儲器行業(yè)可能再次衰退的擔憂。
  • 英偉達將Blackwell Ultra產品更名為B300系列，預計2025年將推動CoWoS-L增長
    英偉達將Blackwell Ultra產品更名為B300系列，預計2025年將推動CoWoS-L增長
    NVIDIA（英偉達）近期將其所有Blackwell Ultra產品更名為B300系列，預估明年將策略性主推B300和GB300等采用CoWoS-L的GPU產品，這將提升對先進封裝技術的需求量。 英偉達將原B200 Ultra更名為B300、GB200 Ultra更名為GB300，B200A Ultra和GB200A Ultra則分別調整為B300A和GB300A。B300系列產品按原規(guī)劃將于20
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    10/22 08:42

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