DrMOS

• 分析和仿真PCB 交流電阻損耗，優(yōu)化DrMOS核心電壓
  同步降壓變換器的主要功率損耗可歸納為有源元件損耗（MOSFET 直流和開(kāi)關(guān)損耗、MOSFET 驅(qū)動(dòng)器損耗）、無(wú)源元件損耗（電感直流電阻、交流電阻和核心損耗、電容等效串聯(lián)電阻損耗）和印刷電路板損耗（PCB 直流電阻和交流電阻損耗）。

  MPS

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  01/22 09:05

  降壓變換器 交流電阻
• DrMOS
  DrMOS（Driver and MOSFET）是一種集成了驅(qū)動(dòng)器和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的功率模塊，常用于電源供應(yīng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和其他高功率應(yīng)用中。DrMOS技術(shù)的出現(xiàn)極大地改進(jìn)了功率轉(zhuǎn)換和管理領(lǐng)域的設(shè)計(jì)和性能。

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  2萬(wàn)

  01/30 14:57

  場(chǎng)效應(yīng)晶體管 DrMOS

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