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半導(dǎo)體存儲(chǔ)器（semiconductor memory）又稱(chēng)半導(dǎo)體內(nèi)存，是一種基于半導(dǎo)體技術(shù)制造的電子器件，用來(lái)讀取和存儲(chǔ)數(shù)字信息。相比于傳統(tǒng)存儲(chǔ)介質(zhì)如磁帶、光盤(pán)和硬盤(pán)，它具有速度快、功耗低、易攜帶等優(yōu)點(diǎn)，因此成為現(xiàn)代計(jì)算機(jī)中最常用的主要存儲(chǔ)設(shè)備之一。
1.半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是什么
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器指采用半導(dǎo)體器件構(gòu)成的一種數(shù)字信息存儲(chǔ)介質(zhì)，與傳統(tǒng)的機(jī)械式存儲(chǔ)介質(zhì)（如硬盤(pán)、磁帶）相比，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器具有訪(fǎng)問(wèn)速度快、體積小、安靜無(wú)噪、抗震抗摔等特點(diǎn)。目前常見(jiàn)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器類(lèi)型包括隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)和只讀存儲(chǔ)器(ROM)。
2.半導(dǎo)體存儲(chǔ)器原理
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的原理是根據(jù)電荷量的多少來(lái)判斷數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)狀態(tài)，從而進(jìn)行讀寫(xiě)操作。例如，動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器(DRAM)會(huì)利用電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而靜態(tài)隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器(SRAM)則使用觸發(fā)器(Flop-Flop)來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。在寫(xiě)入操作時(shí)，適當(dāng)?shù)碾娦盘?hào)被施加到特定的存儲(chǔ)單元上，以改變存儲(chǔ)單元中的電荷量，并且在讀取操作時(shí)，根據(jù)電荷的多少判斷存儲(chǔ)單元的狀態(tài)，從而讀取出原始數(shù)據(jù)。
3.半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的特點(diǎn)
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器具有以下幾個(gè)特點(diǎn)：
