Infineon

• 英飛凌發(fā)布新一代PSOC? Edge產品組合，為物聯(lián)網、消費和工業(yè)應用提供強大的AI功能
  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）發(fā)布全新PSOC? Edge微控制器（MCU）系列的詳細信息，該系列產品的設計針對機器學習（ML）應用進行了優(yōu)化。新推出的PSOC? Edge MCU三個系列E81、E83 和 E84在性能、功能和內存選項方面具有可擴展性和兼容性。它們均配有全面的系統(tǒng)設計工具和軟件，使開發(fā)人員能夠快速將概念轉化為產品，并將支持機器學習的全新物聯(lián)網 (IoT)、消費和工業(yè)應用推向市場。

  與非網編輯

  2080

  04/24 11:45

  微控制器 英飛凌
• 英飛凌首個向客戶開放的電源應用實驗室正式投入運營
  近日，英飛凌宣布其首個向客戶開放使用的實驗室——“英飛凌電源應用實驗室”在位于上海張江的英飛凌大中華區(qū)總部正式啟動。該電源應用實驗室將幫助英飛凌客戶更高效地孵化電源及各類消費電子項目的快速啟動、評估、測試、認證和量產。 基于快速發(fā)展的低碳化數(shù)字化趨勢，新成立的英飛凌電源應用實驗室將通過其四個核心部分為合作伙伴和客戶賦能，包括手動電源性能測試平臺、英飛凌自主研發(fā)的自動化電源性能測試平臺、USB Po

  與非網編輯

  1192

  04/22 07:22

  英飛凌 充電器
• 英飛凌為麥田能源提供功率半導體，助力提升儲能應用效率
  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）為快速成長的綠色能源行業(yè)領導者、逆變器及儲能系統(tǒng)制造商——麥田能源提供功率半導體器件，共同推動綠色能源發(fā)展。英飛凌將為麥田能源提供 CoolSiCTM MOSFET 1200 V功率半導體器件， 配合EiceDRIVER?柵極驅動器用于工業(yè)儲能應用。 同時，麥田能源的組串式光伏逆變器將使用英飛凌的 IGBT7 H7 1200

  與非網編輯

  3528

  04/18 16:49

  英飛凌 Infineon
• 英飛凌擴大在汽車半導體行業(yè)領先地位， 首次拿下全球汽車MCU市場份額第一
  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）在2023年持續(xù)擴大其在汽車半導體市場的領先地位。TechInsights的最新研究顯示，2023年全球汽車半導體市場規(guī)模增長16.5%，創(chuàng)下692億美元的記錄。英飛凌的整體市場份額增長了一個百分點，從2022年的近13%增長至2023年的約14%，鞏固了公司在全球汽車半導體市場的領導地位。英飛凌的半導體產品是各種關鍵汽車應用

  與非網編輯

  2367

  04/16 17:47

  MCU 英飛凌
• 英飛凌為汽車應用推出業(yè)內導通電阻最低的 80 V MOSFET OptiMOS? 7
  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出其最新先進功率MOSFET 技術—— OptiMOS? 7 80 V的首款產品IAUCN08S7N013。該產品的特點包括功率密度顯著提高，和采用通用且穩(wěn)健的高電流SSO8 5 x 6 mm2 SMD封裝。這款OptiMOS? 7 80 V產品非常適合即將推出的 48 V板網應用。它專為滿足高要求汽車應用所需的高性能、高質

  與非網編輯

  1360

  04/15 07:06

  英飛凌 MOSFET
• 英飛凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC頂部冷卻封裝，為現(xiàn)代汽車應用提供更高效率
  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）推出采用 OptiMOS? MOSFET技術的SSO10T TSC 封裝。該封裝采用頂部直接冷卻技術，具有出色的熱性能，可避免熱量傳入或經過汽車電子控制單元的印刷電路板（PCB）。該封裝能夠實現(xiàn)簡單、緊湊的雙面PCB設計，并更大程度地降低未來汽車電源設計的冷卻要求和系統(tǒng)成本。因此，SSO10T TSC適用于電動助力轉向（EP

  與非網編輯

  3798

  04/12 16:16

  英飛凌 轉換器
• 英飛凌與韓國造船海洋聯(lián)合開發(fā)船舶電氣化技術
  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與韓國造船海洋（HD KSOE）簽署了諒解備忘錄（MoU），這是雙方為了低碳節(jié)能，利用功率半導體技術聯(lián)合開發(fā)新興船用發(fā)動機和機械電氣化的第一步。 韓國造船海洋的LH2運輸艦概念設計 HD KSOE是船舶制造領域的先驅和全球領導者，致力于開發(fā)使用電力和氫能的環(huán)保低碳船舶技術。其將與英飛凌合作，為實現(xiàn)船舶電氣化的核心要素——推進驅

  與非網編輯

  1826

  04/11 15:33

  英飛凌 Infineon
• 英飛凌推出業(yè)界首款用于電信基礎設施的寬輸入電壓熱插拔控制器XDP700-002
  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了業(yè)界首款-48 V寬輸入電壓數(shù)字熱插拔控制器XDP700-002，擴展了其XDP?數(shù)字功率保護控制器系列。這款控制器具有專為電信基礎設施設計的可編程安全工作區(qū)域（SOA）控制功能，以及不超過±0.7%的超低電流報告誤差，能提高系統(tǒng)故障檢測和報告的準確性。此外，該產品還采用升壓模式控制技術，可在非最佳SOA系統(tǒng)中更安全地開

  與非網編輯

  2611

  04/10 17:19

  英飛凌 MOSFET
• 富昌電子推薦英飛凌PSoC? 4000T 微控制器，開啟突破性低功耗觸控解決方案
  在追求創(chuàng)新的道路上，英飛凌（Infineon）再次領導行業(yè)，推出突破性的PSoC? 4000T 微控制器。全球知名的電子元器件授權代理商富昌電子（Future Electronics）現(xiàn)為各類低功耗觸控應用，提供具有出色信噪比、防水性能和多模式感應功能的PSoC? 4000T 系列產品，并限時提供免費開發(fā)板申請服務。 PSoC? 4000T 微控制器擴展了 PSoC? 4 產品系列 Arm? Co

  與非網編輯

  1672

  04/10 15:35

  微控制器 英飛凌
• 艾睿電子聯(lián)合英飛凌推出240W USB PD3.1參考設計
  

  艾睿電子攜手英飛凌科技股份公司，推出了240W USB 電力傳輸（PD）3.1參考設計板，以滿足需要高功率功能的客戶項目。這款新設計展示了USB PD 3.1擴展功率范圍（EPR）的軟件和原理圖實例，支持通過單一USB電源實現(xiàn)高達240W的輸出功率。 這款參考設計進一步擴展了英飛凌EZ-PDTM PMG1系列高壓微控制器現(xiàn)有的充電功率范圍，從140W擴展到了240W，對需要大功率快速充電的設備來說

  與非網編輯

  3110

  04/10 15:32

  微控制器 英飛凌
• Arm 推出新一代 Ethos-U AI 加速器及全新物聯(lián)網參考設計平臺
  Arm 控股有限公司（納斯達克股票代碼：ARM，以下簡稱“Arm”）今日宣布推出 Arm? Ethos?-U85 神經網絡處理器 (NPU)，是 Arm 迄今性能最高且能效最佳的 Ethos NPU 產品，以及全新物聯(lián)網參考設計平臺——Arm Corstone?-320，以加速實現(xiàn)語音、音頻和視覺系統(tǒng)的部署。 Arm 高級副總裁兼物聯(lián)網事業(yè)部總經理 Paul Williamson 表示：“隨著邊緣

  與非網編輯

  1877

  04/10 15:24

  Arm 英飛凌
• 英飛凌合作伙伴將其Verified Boot技術與英飛凌OPTIGA? Trust M結合
  

  全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布其OPTIGA? Trust M安全控制器現(xiàn)已與Thistle Technologies的Verified Boot技術整合。Thistle Technologie是連接設備先進安全解決方案的先驅。此次整合使得設計師可以輕松防御其設備免受固件篡改，并保護軟件供應鏈的完整性。該結果顯著提

  與非網編輯

  1866

  04/10 15:18

  英飛凌 控制器
• 英飛凌與Green Hills Software聯(lián)合推出適用于軟件定義汽車的實時應用集成平臺
  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與嵌入式安全領域的全球領導者Green Hills Software LLC共同推出基于微控制器的集成處理平臺，適用于安全關鍵型實時汽車系統(tǒng)。該平臺結合了Green Hills獲得安全認證的實時操作系統(tǒng)（RTOS）μ-velOSity?以及英飛凌新一代安全控制器AURIX? TC4x，能為OEM廠商和Tier 1零部件廠商提供

  與非網編輯

  2253

  04/08 17:31

  英飛凌 Infineon
• 英飛凌將亮相2024國際嵌入式展，集中展示面向綠色未來的創(chuàng)新半導體和微控制器解決方案
  

  低碳化和數(shù)字化是當今時代人們面臨的兩大核心挑戰(zhàn)，人類社會需要依靠創(chuàng)新和先進的技術，才能破除挑戰(zhàn)、推動轉型進程。在德國紐倫堡舉辦的2024國際嵌入式展（Embedded World 2024）上，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）將展示其創(chuàng)新的半導體解決方案如何支持與推動低碳化和數(shù)字化發(fā)展。特別是微控制器在其中扮演著重要的角色，微控制器能夠為各種應用提供核心技術

  與非網編輯

  1594

  04/08 15:01

  英飛凌 Infineon
• 英飛凌參加2024年美國國際電力電子應用展覽會， 以豐富的功率解決方案組合推動低碳化和數(shù)字化進程
  全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網領域的領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）于2月25日至29日參加2024年美國國際電力電子應用展覽會（APEC），并重點展示其在業(yè)界非常全面的功率電子器件。英飛凌的寬禁帶解決方案具有高能效和高功率密度等特性，是應對氣候變化和加速低碳化的關鍵驅動因素。英飛凌一流的產品組合囊括了各種面向領先應用的功率半導體器件，全面覆蓋硅、碳化硅（SiC

  與非網編輯

  1497

  03/26 17:51

  人工智能 英飛凌
• 貿澤開售英飛凌CYW20822 AIROC低功耗藍牙模塊為多項應用提供高效無線連接
  

  提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌CYW20822 AIROC?低功耗藍牙模塊。CYW20822模塊結構緊湊，支持低功耗藍牙長距離 (LE-LR) 功能，可實現(xiàn)無縫集成并提高性能。CYW20822模塊出色地結合了低功耗和高性能，提供可實現(xiàn)成本優(yōu)化的無線連接解決方案，可支持各種低功耗藍牙長距離用例，

  與非網編輯

  2871

  03/25 17:31

  英飛凌 貿澤電子
• 英飛凌推出低成本低功耗長距離藍牙模塊CYW20822-P4TAI040
  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布推出最新款藍牙模塊CYW20822-P4TAI040，在低功耗與覆蓋范圍等方面實現(xiàn)了新的突破，推動物聯(lián)網和消費電子領域的無線連接技術進一步發(fā)展。該模塊相比同類產品有更高的性價比，通過支持藍牙低功耗長距離傳輸（LE-LR）增強了性能，具有出色的可靠性，能夠無縫集成且支持各種應用。英飛凌的CYW20822-P4TAI040

  與非網編輯

  1774

  03/21 17:56

  英飛凌 Infineon
• 英飛凌推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET， 以更高的功率密度和效率樹立行業(yè)新標準
  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產品系列，使電機驅動應用取得了飛躍性的進展。這一全新產品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動叉車等應用提供出色的性能。新 MOSFET產品的導通損耗和開關性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開關損耗，有益于用于服務器、電信、儲能系統(tǒng)（ESS）、音頻、太陽能等用途的各種開關應用。

  與非網編輯

  4016

  03/20 16:56

  英飛凌 服務器
• 英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產品系列推動汽車和工業(yè)解決方案的發(fā)展
  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以滿足工業(yè)和汽車功率應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產品系列包含工業(yè)級和車規(guī)級SiC MOSFET，針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋（DAB）、HERIC、降壓/升壓和移相全橋（PSFB）拓撲結構進行了優(yōu)化。這些MOSFET適用于典型的工

  與非網編輯

  2230

  03/14 17:49

  英飛凌 MOSFET
• 英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V
  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC? MOSFET 2000 V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達到200

  與非網編輯

  2392

  03/14 16:29

  電動汽車 英飛凌

正在努力加載...