英飛凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC頂部冷卻封裝，為現(xiàn)代汽車應(yīng)用提供更高效率

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）推出采用 OptiMOS? MOSFET技術(shù)的SSO10T TSC 封裝。該封裝采用頂部直接冷卻技術(shù)，具有出色的熱性能，可避免熱量傳入或經(jīng)過(guò)汽車電子控制單元的印刷電路板（PCB）。該封裝能夠?qū)崿F(xiàn)簡(jiǎn)單、緊湊的雙面PCB設(shè)計(jì)，并更大程度地降低未來(lái)汽車電源設(shè)計(jì)的冷卻要求和系統(tǒng)成本。因此，SSO10T TSC適用于電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向（EPS）、電子機(jī)械制動(dòng)（EMB）、配電、無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器（BLDC）、安全開關(guān)、反向電池和DCDC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。

PG-LHDSO-10-1-2-3組合

SSO10T TSC的占板面積為5 x 7 mm2，并且基于已確立的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) SSO8（5 x 6 mm2的堅(jiān)固外殼）。但由于采用了頂部冷卻，SSO10 TSC的性能比標(biāo)準(zhǔn)SSO8高出 20%以上，最高可高出50%（具體取決于所使用的熱界面（TIM）材料和TIM的厚度）。SSO10T TSC封裝被JEDEC列為開放市場(chǎng)產(chǎn)品，能夠與開放市場(chǎng)第二供應(yīng)商的產(chǎn)品進(jìn)行廣泛兼容。因此，該封裝可作為未來(lái)頂部冷卻標(biāo)準(zhǔn)快速、輕松地推出。

SSO10T半導(dǎo)體封裝能夠?qū)崿F(xiàn)高度緊湊的PCB設(shè)計(jì)，減少系統(tǒng)占用空間。它還通過(guò)消除通孔降低了冷卻設(shè)計(jì)的成本，進(jìn)而減少了整體系統(tǒng)成本和設(shè)計(jì)工作量。同時(shí)，該封裝還提供高功率密度和高效率，從而支持面向未來(lái)的可持續(xù)汽車的發(fā)展。

供貨情況

首批采用SSO10T的40 V汽車MOSFET產(chǎn)品現(xiàn)已上市，分別是：IAUCN04S6N007T、IAUCN04S6N009T、IAUCN04S6N013T和IAUCN04S6N017T。