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離子注入

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離子注入是指當(dāng)真空中有一束離子束射向一塊固體材料時(shí)，離子束把固體材料的原子或分子撞出固體材料表面，這個(gè)現(xiàn)象叫做濺射；而當(dāng)離子束射到固體材料時(shí)，從固體材料表面彈了回來(lái)，或者穿出固體材料而去，這些現(xiàn)象叫做散射；另外有一種現(xiàn)象是，離子束射到固體材料以后，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來(lái)，并最終停留在固體材料中的這一現(xiàn)象叫作離子注入。

離子注入是指當(dāng)真空中有一束離子束射向一塊固體材料時(shí)，離子束把固體材料的原子或分子撞出固體材料表面，這個(gè)現(xiàn)象叫做濺射；而當(dāng)離子束射到固體材料時(shí)，從固體材料表面彈了回來(lái)，或者穿出固體材料而去，這些現(xiàn)象叫做散射；另外有一種現(xiàn)象是，離子束射到固體材料以后，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來(lái)，并最終停留在固體材料中的這一現(xiàn)象叫作離子注入。收起

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  • 國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備新動(dòng)向，離子注入等迎新局
    國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備新動(dòng)向，離子注入等迎新局
    在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，離子注入和超聲波技術(shù)作為中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備發(fā)展的兩大驅(qū)動(dòng)力，正助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向更高端、更先進(jìn)的方向邁進(jìn)。近期，行業(yè)內(nèi)波瀾涌動(dòng)，傳來(lái)兩大重磅事件：一邊是華海清科擬通過(guò)收購(gòu)芯崳公司加速布局離子注入機(jī)，有望攻克離子注入機(jī)這一關(guān)鍵設(shè)備的潛在壁壘；另一邊，半導(dǎo)體超聲設(shè)備企業(yè)驕成超聲總部基地開(kāi)工，預(yù)示著在半導(dǎo)體超聲應(yīng)用方面將邁向新臺(tái)階。
  • 離子注入設(shè)備硬核詳解
    離子注入設(shè)備硬核詳解
    今天看到一個(gè)半導(dǎo)體公司，通過(guò)收購(gòu)資產(chǎn)從原來(lái)的CMP主業(yè)擴(kuò)展到了離子注入設(shè)備行業(yè)。對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)上下游以及同行收購(gòu)整個(gè)和啟哥是非常支持的，因?yàn)槲乙恢闭J(rèn)為中國(guó)從芯片設(shè)計(jì)到半導(dǎo)體裝備到材料耗材，需要整合出幾家大而強(qiáng)的公司才能去和國(guó)外同行抗?fàn)?，如果是小而散的格局，根本無(wú)力與歐美傳統(tǒng)巨頭扳手腕。
  • 離子注入：硅基集成電路制造中的關(guān)鍵工藝之一
    離子注入：硅基集成電路制造中的關(guān)鍵工藝之一
    在現(xiàn)代半導(dǎo)體制造過(guò)程中，控制半導(dǎo)體材料的電學(xué)特性至關(guān)重要。通過(guò)摻雜工藝向半導(dǎo)體中引入雜質(zhì)原子，能夠改變材料的導(dǎo)電性，形成如晶體管等基礎(chǔ)元件的關(guān)鍵區(qū)域。傳統(tǒng)的摻雜方法有擴(kuò)散法和離子注入法，而自20世紀(jì)70年代以來(lái)，離子注入技術(shù)因其高精度、可控性和工藝溫度相對(duì)較低，逐漸成為主流的雜質(zhì)摻雜方式。
  • 晶圓Fab廠離子注入工程師常見(jiàn)面試問(wèn)題
    晶圓Fab廠離子注入工程師常見(jiàn)面試問(wèn)題
    國(guó)內(nèi)某知名Fab工程師工作5年的李工分享了離子注入工藝崗位的面試問(wèn)題：這些問(wèn)題分成幾個(gè)主要類(lèi)別：理論知識(shí)、工藝?yán)斫馀c優(yōu)化、設(shè)備操作與維護(hù)、故障排查與解決、項(xiàng)目管理與協(xié)作，以及前沿技術(shù)與趨勢(shì)。以下是按照這些類(lèi)別整理的50個(gè)問(wèn)題。
  • SiC離子注入設(shè)備的廠家有哪些？
    學(xué)員問(wèn)：我想咨詢一下國(guó)內(nèi)做SiC離子注入設(shè)備的廠家有哪些？如下圖，目前下圖是國(guó)內(nèi)已知的稍大的離子注入設(shè)備供應(yīng)商，相對(duì)國(guó)外的AMAT,Axcelis相比，實(shí)力會(huì)差很多。主要體現(xiàn)在：
  • 離子注入后不退火行不行？
    離子注入后都會(huì)退火，退火的作用是什么？不退火行不行？離子注入對(duì)硅片造成哪些影響？離子注入時(shí)，高能的雜質(zhì)離子加速撞擊硅片表面，將其動(dòng)能轉(zhuǎn)化為熱能和位移能，引起硅原子的遷移和重排，破壞了硅的晶格結(jié)構(gòu)，會(huì)產(chǎn)生位錯(cuò)、空位等缺陷。
  • 萬(wàn)業(yè)企業(yè)旗下凱世通：不走尋常路，全面發(fā)力集成電路核心裝備
    CMOS工藝的發(fā)展極大推動(dòng)了離子注入工藝的發(fā)展，也可以說(shuō)離子注入工藝的不斷成熟進(jìn)一步改善了集成電路產(chǎn)品的質(zhì)量，尤其是CMOS產(chǎn)品的性能。
  • 國(guó)產(chǎn)裝備蓄勢(shì)待發(fā)
    2019年國(guó)產(chǎn)裝備在晶圓制造廠的招標(biāo)中高歌猛進(jìn)，北方華創(chuàng)、屹唐半導(dǎo)體、中微半導(dǎo)體、華海清科的中標(biāo)數(shù)量上升，表示刻蝕、去膠、清洗、離子注入、薄膜沉積、CMP等關(guān)鍵裝備國(guó)產(chǎn)化全面提速……
  • 離子注入
    離子注入是一種使用高能量離子進(jìn)行材料表面改性技術(shù)。通過(guò)將離子束加速到較高速度，使其穿透固體表面并嵌入固體內(nèi)部，從而改變其物理結(jié)構(gòu)、化學(xué)組成和性能等方面。離子注入技術(shù)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、涂層、生物醫(yī)學(xué)等多個(gè)領(lǐng)域。

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