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英飛凌：30年持續(xù)領(lǐng)跑碳化硅技術(shù)，成為首選的零碳技術(shù)創(chuàng)新伙伴

2024年，全球極端天氣頻發(fā)，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風、干旱等災害比往年更加嚴重。在此背景下，推動社會的綠色低碳轉(zhuǎn)型，提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識。在經(jīng)濟社會踏“綠”前行的過程中，第三代半導體尤其是碳化硅作為關(guān)鍵支撐，如何破局飛速發(fā)展的市場與價格戰(zhàn)的矛盾，除了當下熱門的新能源汽車應用，如何在工業(yè)儲能等其他應用市場多點開花？在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會上，英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)

與非網(wǎng)編輯

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12/26 08:14

英飛凌碳化硅

昔日明星企業(yè)破產(chǎn)，碳化硅市場出清加速

日前，據(jù)全國企業(yè)破產(chǎn)重整案件信息網(wǎng)披露，北京市第一中級人民法院受理了北京世紀金光半導體有限公司破產(chǎn)清算案件，并指定北京華信清算服務有限公司擔任管理人。昔日明星企業(yè)，如今卻破產(chǎn)清算，其背后也折射出目前碳化硅乃至第三代半導體市場的窘境。

半導體產(chǎn)業(yè)縱橫

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12/26 09:13

碳化硅第三代半導體

平面技術(shù)PK溝槽技術(shù)：探索碳化硅MOSFET的持續(xù)演進

在電力電子應用中，功率密度固然重要，但可靠性也同樣至關(guān)重要，甚至在某些應用中可能更為關(guān)鍵。盡管工程師通常專注于性能局限性問題，但可能導致計劃外停機或維修的實際故障則較難接受，因為它們可能會對業(yè)務產(chǎn)生不可預見的重大影響。因此，溝槽技術(shù)的潛力需要進行更全面的評估。雖然溝槽技術(shù)有望成為電力電子工程工具箱的標準配置，事實上也已經(jīng)被采納使用，但采用這種技術(shù)的人對其提供可靠性能的能力還抱有相當多的"大膽一試"的想法。

安森美半導體

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12/26 10:20

碳化硅 MOSFET

降低碳化硅襯底TTV的磨片加工方法

一、碳化硅襯底的加工流程碳化硅襯底的加工主要包括切割、粗磨、精磨、粗拋和精拋（CMP）等幾個關(guān)鍵工序。每一步都對最終產(chǎn)品的TTV有著重要影響。切割：將SiC晶棒沿特定方向切割成薄片。多線砂漿切割是目前常用的切割方式，關(guān)鍵在于確保切割后的晶片厚度均勻、翹曲度小。粗磨：去除切割過程中產(chǎn)生的表面損傷和刀紋，修復變形。此過程需使用高硬度磨料，如碳化硼或金剛石粉，以達到穩(wěn)定的去除速率。精磨：進一步降

萬智光學

218

12/25 09:10

碳化硅半導體晶圓

激光退火后，碳化硅襯底TTV變化管控

一、激光退火在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn) 激光退火是一種先進的熱處理技術(shù)，通過局部高溫作用，能夠修復碳化硅襯底中的晶格缺陷，提高晶體質(zhì)量，優(yōu)化摻雜元素的分布，從而改善材料的導電性能和表面結(jié)構(gòu)。然而，激光退火過程中，由于激光能量分布的不均勻性、退火參數(shù)的精確控制難度以及襯底材料的初始狀態(tài)等因素，往往會導致襯底表面TTV的變化，進而影響后續(xù)加工工序和最終產(chǎn)品的性能。二、影響激光退火后TTV變化的關(guān)

萬智光學

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12/24 10:04

碳化硅半導體晶圓

優(yōu)化濕法腐蝕后碳化硅襯底TTV管控

一、濕法腐蝕在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn) 濕法腐蝕是碳化硅襯底加工中不可或缺的一步，主要用于去除表面損傷層、調(diào)整表面形貌、提高表面光潔度等。然而，濕法腐蝕過程中，由于腐蝕液的選擇、腐蝕時間的控制、腐蝕均勻性等因素，往往會導致襯底表面TTV的增加，進而影響后續(xù)加工工序和最終產(chǎn)品的性能。二、影響濕法腐蝕后TTV的關(guān)鍵因素腐蝕液成分：腐蝕液的選擇直接影響腐蝕速率和均勻性。不同的腐蝕液對碳化硅的腐蝕

萬智光學

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12/24 10:03

碳化硅半導體晶圓

怎么制備半導體晶圓片切割刃料？

半導體晶圓片切割刃料的制備是一個復雜而精細的過程，以下是一種典型的制備方法：一、原料準備首先，需要準備高純度的原料，如綠碳化硅和黑碳化硅。這些原料具有高硬度、高耐磨性和高化學穩(wěn)定性，是制備切割刃料的理想選擇。二、破碎與篩分顎式破碎：將原料放入顎式破碎機中進行初步破碎，得到一定粒度的顆粒。篩分：通過篩分設(shè)備將破碎后的顆粒進行分級，篩選出符合要求的粒度范圍。三、濕法球磨分級將篩分后的顆粒

萬智光學

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12/24 10:03

碳化硅晶圓檢測

降低晶圓TTV的磨片加工有哪些方法

降低晶圓TTV（Total Thickness Variation，總厚度變化）的磨片加工方法主要包括以下幾種：一、采用先進的磨削技術(shù) 硅片旋轉(zhuǎn)磨削：原理：吸附在工作臺上的單晶硅片和杯型金剛石砂輪繞各自軸線旋轉(zhuǎn)，砂輪同時沿軸向連續(xù)進給。砂輪直徑大于被加工硅片直徑，其圓周經(jīng)過硅片中心。優(yōu)點：單次單片磨削，可加工大尺寸硅片；磨削力相對穩(wěn)定，通過調(diào)整砂輪轉(zhuǎn)軸和硅片轉(zhuǎn)軸之間的傾角可實現(xiàn)單晶硅片面型的

萬智光學

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12/24 10:02

碳化硅半導體晶圓

國產(chǎn)8英寸SiC芯片如何突圍？5位大咖這樣說