碳化硅

• 英飛凌：30年持續(xù)領(lǐng)跑碳化硅技術(shù)，成為首選的零碳技術(shù)創(chuàng)新伙伴
  

  2024年，全球極端天氣頻發(fā)，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風(fēng)、干旱等災(zāi)害比往年更加嚴(yán)重。在此背景下，推動(dòng)社會(huì)的綠色低碳轉(zhuǎn)型，提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識(shí)。在經(jīng)濟(jì)社會(huì)踏“綠”前行的過程中，第三代半導(dǎo)體尤其是碳化硅作為關(guān)鍵支撐，如何破局飛速發(fā)展的市場(chǎng)與價(jià)格戰(zhàn)的矛盾，除了當(dāng)下熱門的新能源汽車應(yīng)用，如何在工業(yè)儲(chǔ)能等其他應(yīng)用市場(chǎng)多點(diǎn)開花？在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會(huì)上，英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)

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  23小時(shí)前

  英飛凌 碳化硅
• 昔日明星企業(yè)破產(chǎn)，碳化硅市場(chǎng)出清加速
  

  日前，據(jù)全國(guó)企業(yè)破產(chǎn)重整案件信息網(wǎng)披露，北京市第一中級(jí)人民法院受理了北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司破產(chǎn)清算案件，并指定北京華信清算服務(wù)有限公司擔(dān)任管理人。昔日明星企業(yè)，如今卻破產(chǎn)清算，其背后也折射出目前碳化硅乃至第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)的窘境。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

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  22小時(shí)前

  碳化硅 第三代半導(dǎo)體
• 平面技術(shù)PK溝槽技術(shù)：探索碳化硅MOSFET的持續(xù)演進(jìn)
  

  在電力電子應(yīng)用中，功率密度固然重要，但可靠性也同樣至關(guān)重要，甚至在某些應(yīng)用中可能更為關(guān)鍵。盡管工程師通常專注于性能局限性問題，但可能導(dǎo)致計(jì)劃外停機(jī)或維修的實(shí)際故障則較難接受，因?yàn)樗鼈兛赡軙?huì)對(duì)業(yè)務(wù)產(chǎn)生不可預(yù)見的重大影響。因此，溝槽技術(shù)的潛力需要進(jìn)行更全面的評(píng)估。雖然溝槽技術(shù)有望成為電力電子工程工具箱的標(biāo)準(zhǔn)配置，事實(shí)上也已經(jīng)被采納使用，但采用這種技術(shù)的人對(duì)其提供可靠性能的能力還抱有相當(dāng)多的"大膽一試"的想法。

  安森美半導(dǎo)體

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  21小時(shí)前

  碳化硅 MOSFET
• 降低碳化硅襯底TTV的磨片加工方法
  

  一、碳化硅襯底的加工流程 碳化硅襯底的加工主要包括切割、粗磨、精磨、粗拋和精拋（CMP）等幾個(gè)關(guān)鍵工序。每一步都對(duì)最終產(chǎn)品的TTV有著重要影響。 切割：將SiC晶棒沿特定方向切割成薄片。多線砂漿切割是目前常用的切割方式，關(guān)鍵在于確保切割后的晶片厚度均勻、翹曲度小。 粗磨：去除切割過程中產(chǎn)生的表面損傷和刀紋，修復(fù)變形。此過程需使用高硬度磨料，如碳化硼或金剛石粉，以達(dá)到穩(wěn)定的去除速率。 精磨：進(jìn)一步降

  萬智光學(xué)

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  12/25 09:10

  碳化硅 半導(dǎo)體晶圓
• 激光退火后，碳化硅襯底TTV變化管控
  

  一、激光退火在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn) 激光退火是一種先進(jìn)的熱處理技術(shù)，通過局部高溫作用，能夠修復(fù)碳化硅襯底中的晶格缺陷，提高晶體質(zhì)量，優(yōu)化摻雜元素的分布，從而改善材料的導(dǎo)電性能和表面結(jié)構(gòu)。然而，激光退火過程中，由于激光能量分布的不均勻性、退火參數(shù)的精確控制難度以及襯底材料的初始狀態(tài)等因素，往往會(huì)導(dǎo)致襯底表面TTV的變化，進(jìn)而影響后續(xù)加工工序和最終產(chǎn)品的性能。 二、影響激光退火后TTV變化的關(guān)

  萬智光學(xué)

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  12/24 10:04

  碳化硅 半導(dǎo)體晶圓
• 優(yōu)化濕法腐蝕后碳化硅襯底TTV管控
  

  一、濕法腐蝕在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn) 濕法腐蝕是碳化硅襯底加工中不可或缺的一步，主要用于去除表面損傷層、調(diào)整表面形貌、提高表面光潔度等。然而，濕法腐蝕過程中，由于腐蝕液的選擇、腐蝕時(shí)間的控制、腐蝕均勻性等因素，往往會(huì)導(dǎo)致襯底表面TTV的增加，進(jìn)而影響后續(xù)加工工序和最終產(chǎn)品的性能。 二、影響濕法腐蝕后TTV的關(guān)鍵因素 腐蝕液成分：腐蝕液的選擇直接影響腐蝕速率和均勻性。不同的腐蝕液對(duì)碳化硅的腐蝕

  萬智光學(xué)

  284

  12/24 10:03

  碳化硅 半導(dǎo)體晶圓
• 怎么制備半導(dǎo)體晶圓片切割刃料？
  

  半導(dǎo)體晶圓片切割刃料的制備是一個(gè)復(fù)雜而精細(xì)的過程，以下是一種典型的制備方法： 一、原料準(zhǔn)備 首先，需要準(zhǔn)備高純度的原料，如綠碳化硅和黑碳化硅。這些原料具有高硬度、高耐磨性和高化學(xué)穩(wěn)定性，是制備切割刃料的理想選擇。 二、破碎與篩分 顎式破碎：將原料放入顎式破碎機(jī)中進(jìn)行初步破碎，得到一定粒度的顆粒。 篩分：通過篩分設(shè)備將破碎后的顆粒進(jìn)行分級(jí)，篩選出符合要求的粒度范圍。 三、濕法球磨分級(jí) 將篩分后的顆粒

  萬智光學(xué)

  223

  12/24 10:03

  碳化硅 晶圓檢測(cè)
• 降低晶圓TTV的磨片加工有哪些方法
  

  降低晶圓TTV（Total Thickness Variation，總厚度變化）的磨片加工方法主要包括以下幾種： 一、采用先進(jìn)的磨削技術(shù) 硅片旋轉(zhuǎn)磨削： 原理：吸附在工作臺(tái)上的單晶硅片和杯型金剛石砂輪繞各自軸線旋轉(zhuǎn)，砂輪同時(shí)沿軸向連續(xù)進(jìn)給。砂輪直徑大于被加工硅片直徑，其圓周經(jīng)過硅片中心。 優(yōu)點(diǎn)：?jiǎn)未螁纹ハ?，可加工大尺寸硅片；磨削力相?duì)穩(wěn)定，通過調(diào)整砂輪轉(zhuǎn)軸和硅片轉(zhuǎn)軸之間的傾角可實(shí)現(xiàn)單晶硅片面型的

  萬智光學(xué)

  300

  12/24 10:02

  碳化硅 半導(dǎo)體晶圓
• 國(guó)產(chǎn)8英寸SiC芯片如何突圍？5位大咖這樣說
  

  本次圓桌論壇主要圍繞“產(chǎn)業(yè)協(xié)同加速8英寸SiC時(shí)代到來”的主題進(jìn)行討論，讓我們來看看五位嘉賓互相碰撞出了哪些精彩觀點(diǎn)吧！

  行家說三代半

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  12/23 11:20

  SiC 碳化硅
• 半導(dǎo)體硅片和碳化硅大廠分別建新廠！
  

  近日，全球半導(dǎo)體硅片大廠環(huán)球晶和汽車零部件供應(yīng)商博世均宣布，獲得美國(guó)芯片法案的巨額補(bǔ)貼。該項(xiàng)補(bǔ)貼將分別用于12英寸先進(jìn)制程硅晶圓制造廠及8英寸碳化硅晶圓廠的擴(kuò)產(chǎn)。

  全球半導(dǎo)體觀察

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  12/19 16:24

  碳化硅 半導(dǎo)體硅片
• 聚焦SiC大面積銀燒結(jié)，該企業(yè)透露“關(guān)鍵一招”
  

  近日，聚礪新材料透露，他們聚焦碳化硅功率模塊廠商的大面積銀燒結(jié)工藝需求，發(fā)布了具有高可靠性和穩(wěn)定性的有壓燒結(jié)銀膏 FC-325LA，樣品經(jīng)1000次循環(huán)測(cè)試后無空洞、裂紋或分層，性能表現(xiàn)卓越。

  行家說三代半

  645

  12/10 09:30

  SiC 碳化硅
• 中汽協(xié)頒獎(jiǎng) | 芯聯(lián)動(dòng)力獲“2024中國(guó)汽車芯片創(chuàng)新成果”榮譽(yù)
  

  芯聯(lián)集成控股子公司芯聯(lián)動(dòng)力的SiC MOS主驅(qū)芯片，成功斬獲中國(guó)汽車工業(yè)協(xié)會(huì)（簡(jiǎn)稱“中汽協(xié)”）“2024中國(guó)汽車芯片創(chuàng)新成果”獎(jiǎng)項(xiàng)。這份榮譽(yù)是對(duì)公司技術(shù)創(chuàng)新實(shí)力的高度贊譽(yù)和有力肯定。 芯聯(lián)集成自2021年開始啟動(dòng)碳化硅研發(fā)，2023年正式量產(chǎn)，是國(guó)內(nèi)第一個(gè)真正把碳化硅大規(guī)模應(yīng)用到新能源汽車主驅(qū)的企業(yè)。 2023年10月，芯聯(lián)集成聯(lián)合產(chǎn)業(yè)鏈重要伙伴一起成立芯聯(lián)動(dòng)力，將碳化硅業(yè)務(wù)獨(dú)立化運(yùn)營(yíng)，加速擴(kuò)大公

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  12/06 18:36

  碳化硅 汽車芯片
• 半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化開啟全力加速跑！
  

  半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化發(fā)展是一個(gè)長(zhǎng)期命題，近年來中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游國(guó)產(chǎn)化程度逐步提高，但當(dāng)前國(guó)內(nèi)外形勢(shì)反復(fù)，刺激中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速邁進(jìn)。中國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)副理事長(zhǎng)葉甜春近日表示，近幾年大家一直在說卡脖子和補(bǔ)短板，而這兩年我們也確實(shí)做出來很大的成績(jī)。但是把短板補(bǔ)齊未必就意味著能發(fā)展，“替代”永遠(yuǎn)不是發(fā)展的主題。

  全球半導(dǎo)體觀察

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  12/04 08:34

  碳化硅 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
• ST加大在華合作對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體國(guó)際合作的啟示
  

  11月20日ST首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery宣布，ST將由華虹代工其微控制器芯片；近日，據(jù)悉ST合資的重慶碳化硅項(xiàng)目進(jìn)展良好，即將通線。在即將到來的特朗普2.0時(shí)代，業(yè)界都認(rèn)為中歐半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)該加強(qiáng)合作。正在此時(shí)，ST密集加強(qiáng)與中國(guó)企業(yè)合作，這為后續(xù)中歐合作提供了很好的示范。恰好芯謀研究參與了這兩個(gè)項(xiàng)目，并盡了綿薄之力，我們從這兩個(gè)案例的點(diǎn)滴來看推動(dòng)中國(guó)半導(dǎo)體國(guó)際合作有哪些可借鑒之處。

  芯謀研究

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  11/29 10:50

  碳化硅 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
• 干貨 | 碳化硅可靠性驗(yàn)證要點(diǎn)
  

  從MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無數(shù)電子設(shè)備的核心。從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個(gè)人電子產(chǎn)品和電動(dòng)汽車(EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運(yùn)行。

  安森美半導(dǎo)體

  1138

  11/29 10:10

  碳化硅 SiC半導(dǎo)體
• 內(nèi)卷加劇，考驗(yàn)芯片企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)策略
  

  “我們不會(huì)盲目斷言2025年將會(huì)更容易，我們會(huì)非常謹(jǐn)慎和警醒地對(duì)待這一年，就像對(duì)待2024年一樣。”近日，在一次媒體交流中，提及對(duì)汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)未來前景的預(yù)判，安森美CEO Hassane El-Khoury如是說。 安森美CEO Hassane El-Khoury 這一預(yù)判相信也是很多芯片企業(yè)的共識(shí)，尤其是國(guó)際品牌，雖然從SIA（美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）的市場(chǎng)數(shù)據(jù)來看，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的銷售額自202

  高揚(yáng)

  2171

  11/28 09:31

  碳化硅 安森美
• 三安、士蘭微等5個(gè)SiC項(xiàng)目公布新進(jìn)展
  

  近日，“行家說三代半”發(fā)現(xiàn)，國(guó)內(nèi)新增5個(gè)碳化硅項(xiàng)目進(jìn)展，包括士蘭微、三安半導(dǎo)體等。11月21日，據(jù)福建環(huán)保網(wǎng)公示，廈門士蘭明稼SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目已完成環(huán)保驗(yàn)收，目前正在穩(wěn)定運(yùn)行中。

  行家說三代半

  3118

  11/26 08:45

  SiC 碳化硅
• SiC價(jià)格跳水，開啟下半場(chǎng)戰(zhàn)役
  

  2023年，國(guó)內(nèi)碳化硅（SiC）襯底行業(yè)涌入大量的玩家，眾多項(xiàng)目在全國(guó)各地落地，產(chǎn)能擴(kuò)張達(dá)到空前規(guī)模。據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，2023年國(guó)內(nèi)SiC襯底的折合6英寸銷量已超過100萬片，許多廠商的產(chǎn)能爬坡速度超過預(yù)期。直至如今，6英寸SiC襯底的擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作仍在繼續(xù)。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  2331

  11/25 11:50

  SiC 碳化硅
• 碳化硅如何加速新能源汽車普及？你必須要知道的細(xì)節(jié)！
  

  習(xí)慣能在5分鐘內(nèi)完成能量補(bǔ)給的燃油車車主們，難免會(huì)對(duì)新能源汽車產(chǎn)生“里程焦慮”。這種焦慮源自于汽車的充電時(shí)間和續(xù)航能力。然而，隨著充電技術(shù)的不斷提升，特別是以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)日益成熟，新能源汽車的充電效率和整體性能迎來了革命性的提升，這不僅有望緩解車主的充電焦慮，還將加速新能源汽車的普及進(jìn)程。

  安富利

  1224

  11/19 12:30

  新能源汽車 碳化硅
• 意法半導(dǎo)體先進(jìn)的電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器STGAP3S為 IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護(hù)功能
  

  意法半導(dǎo)體的 STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。 STGAP3S 在柵極驅(qū)動(dòng)通道與低壓控制和接口電路之間采用增強(qiáng)型電容隔離，瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達(dá)到 200V/ns。通過采用這種的先進(jìn)的電隔離技術(shù)，STGAP3S提高了空調(diào)、工廠自動(dòng)

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  975

  11/13 08:08

  碳化硅 意法半導(dǎo)體

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