氮化鎵

• GaN“上車”進程提速：1200V MOS、800V模塊
  

  氮化鎵技術(shù)在電動汽車領(lǐng)域的應(yīng)用潛力在日益顯現(xiàn)，研發(fā)熱度不斷上漲。近日，國外多家企業(yè)/機構(gòu)向公眾展示了“GaN上車”的最新研究成果：

  行家說三代半

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  12/25 14:20

  GaN 氮化鎵
• 氮化鎵全球第一，英諾賽科做對了什么？
  

  絕大多數(shù)半導體細分市場，都是由海外巨頭主導，然而氮化鎵功率半導體卻例外。 根據(jù)弗若斯特沙利文的數(shù)據(jù)，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（下文簡稱“英諾賽科”）2023年的收入為5.93億元，市場份額達33.7%，在全球氮化鎵功率半導體企業(yè)中排名第一。按折算氮化鎵分立器件出貨量計，2023年英諾賽科的市場份額為42.4%，同樣在全球氮化鎵功率半導體公司中排名第一。 英諾賽科作為IDM廠商，設(shè)計、開發(fā)及

  史德志

  1744

  12/25 10:30

  氮化鎵
• 邁向更綠色的未來：GaN技術(shù)的變革性影響
  

  作者：Nihit Bajaj 英飛凌科技 GaN產(chǎn)品高級總監(jiān) 校對：宋清亮 英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)高級首席工程師 過去幾十年間，人口和經(jīng)濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩(wěn)步增長，并且預(yù)計這一趨勢還將持續(xù)。這種增長是線下與線上活動共同作用的結(jié)果。因此，數(shù)據(jù)中心的快速擴張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計，2022年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340太瓦時（TWh）。近年來，全球數(shù)據(jù)

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  248

  12/23 08:17

  GaN 氮化鎵
• 英諾賽科即將登陸港股：氮化鎵分立器件累計出貨量全球第一！
  

  氮化鎵龍頭大廠英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）于今年6月正式向香港證券交易所遞交了IPO上市申請之后，12月12日晚間，根據(jù)港交所披露的信息顯示，英諾賽科已經(jīng)通過上市聆訊，并披露聆訊后資料集。

  芯智訊

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  12/23 12:40

  氮化鎵 英諾賽科
• 意法半導體推出的250W MasterGaN參考設(shè)計可加速實現(xiàn)緊湊、高效的工業(yè)電源
  

  為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵(GaN)電源(PSU)的設(shè)計，意法半導體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統(tǒng)級封裝(SiP)的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計。 意法半導體的MasterGaN-SiP在一個封裝內(nèi)整合了GaN功率晶體管與開關(guān)速度和控制準確度優(yōu)化的柵極驅(qū)動器。使用高集成度的系統(tǒng)級封裝SiP代替采用多個分立元件的等效解決方案，有助于最大限度地提高電源的性能和可靠性，同時

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  850

  12/20 08:11

  氮化鎵 柵極驅(qū)動器
• 引領(lǐng)功率半導體市場變革 氮化鎵龍頭英諾賽科港股招股中
  近年來，隨著新能源產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，以及智能制造、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的興起，功率半導體器件市場需求增長迅猛。其中，以氮化鎵為代表的第三代半導體材料，憑借優(yōu)秀的物理性能和廣泛的下游應(yīng)用場景，已成為推動功率半導體行業(yè)變革的核心驅(qū)動力。 在這一領(lǐng)域，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（「英諾賽科」或「公司」，2577.HK）是公認的頭部企業(yè)，憑借強大的技術(shù)專長和前瞻布局，穩(wěn)居行業(yè)領(lǐng)先地位。12月18日至1

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  12/20 08:07

  氮化鎵 IDM
• 英諾賽科今日在港招股 氮化鎵功率半導體新星升起
  中央政治局會議指，要以科技創(chuàng)新引領(lǐng)新質(zhì)生產(chǎn)力發(fā)展，建設(shè)現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系。以半導體為代表的硬科技兼具「經(jīng)濟順周期」與「新質(zhì)生產(chǎn)力」的雙重特征，在國家政策大力扶持下，復蘇趨勢逐漸明朗，各細分板塊投資機遇顯現(xiàn)。 作為最新一代半導體材料，氮化鎵近年來已廣泛應(yīng)用于各行各業(yè)，不僅將在功率半導體行業(yè)的持續(xù)變革中發(fā)揮關(guān)鍵作用，也有望誕生第一家港股上市公司。12月18日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（下稱「英諾賽

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  12/19 09:18

  半導體 氮化鎵
• 羅姆與臺積公司在車載氮化鎵功率器件領(lǐng)域建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
  

  全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）宣布與Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited（以下簡稱“臺積公司”）就車載氮化鎵功率器件的開發(fā)和量產(chǎn)事宜建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。 通過該合作關(guān)系，雙方將致力于將羅姆的氮化鎵器件開發(fā)技術(shù)與臺積公司業(yè)界先進的GaN-on-Silicon工藝技術(shù)優(yōu)勢結(jié)合起來，滿足市場對高耐壓和

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  12/10 09:31

  氮化鎵 ROHM
• 隱藏在納微半導體、珠海鎵未來背后的小米
  

  氮化鎵作為第三代半導體材料，與傳統(tǒng)的硅基技術(shù)相比，具有更高的擊穿電場、更低的導通電阻和更高的能量轉(zhuǎn)換效率。它能夠在高頻高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作，尤其適合功率器件、射頻器件和快充設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用。 根據(jù)行業(yè)預(yù)測，全球氮化鎵市場將在未來幾年迎來高速增長，預(yù)計到2027年市場規(guī)模將突破10億美元，年復合增長率保持在30%以上。其廣泛的應(yīng)用場景包括消費電子、5G通信、新能源汽車和數(shù)據(jù)中心等，這使得氮化鎵成為未來

  李堅

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  11/28 17:39

  氮化鎵 與非研究院
• 氮化鎵的未來：IDM還是Fabless
  

  今年十月份，日本功率器件大廠羅姆半導體（ROHM）公開表示，將在氮化鎵功率半導體領(lǐng)域加強與臺積電合作，公司旗下的氮化鎵（GaN）產(chǎn)品將全面委托臺積電代工生產(chǎn)。

  半導體產(chǎn)業(yè)縱橫

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  11/25 09:55

  氮化鎵 IDM
• 新型IsoVu? 隔離電流探頭：為電流測量帶來全新維度
  

  作者：泰克科技，Yogesh Pai 示波器測量電流的常見方法包括使用電流互感器、羅氏線圈和霍爾效應(yīng)鉗式探頭。按規(guī)格要求使用時，優(yōu)質(zhì)磁探頭的測量結(jié)果非常準確。因為不需要斷開電路，因此用于測量在電線或測試回路中流動的電流也很方便。然而，磁探頭存在一些固有的局限性。在本文中，作者將介紹針對基于分流器進行電流測量而優(yōu)化的探頭屬性，并探討 IsoVuTM電流分流探頭特別適用的兩種應(yīng)用。 如上所述，使用磁探

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  1224

  11/22 08:36

  連接器 示波器
• 揭秘全球首款1700V GaN開關(guān)IC InnoMux?-2，PI如何賦能高壓應(yīng)用場景？
  

  氮化鎵作為顛覆傳統(tǒng)功率器件的革命性創(chuàng)新，正逐漸擴展其應(yīng)用邊界。作為全球高壓功率轉(zhuǎn)換技術(shù)的領(lǐng)軍企業(yè)，Power Integrations（簡稱PI）長期致力于通過創(chuàng)新推動行業(yè)變革，尤其是在氮化鎵（GaN）技術(shù)領(lǐng)域不斷實現(xiàn)突破。 2024年11月4日，PI發(fā)布了業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC——InnoMux?-2，這一產(chǎn)品標志著氮化鎵技術(shù)發(fā)展的重要里程碑。InnoMux?-2采用PI獨有的Powi

  李堅

  2572

  11/21 20:04

  氮化鎵
• 寬禁帶半導體“漸入佳境”
  

  隨著微波射頻、高效功率電子和光電子等新需求的快速發(fā)展，寬禁帶半導體材料對推動半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要性日益凸顯。尤其是伴隨人工智能、新能源汽車、物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的進一步發(fā)展，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體需求逐漸攀升，寬禁帶半導體在技術(shù)推進、產(chǎn)品創(chuàng)新、行業(yè)布局上都迎來了新的變化。

  中國電子報

  2242

  11/18 13:04

  氮化鎵 半導體材料
• 業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC面世，碳化硅面臨被替代？
  

  而氮化鎵雖然擁有與碳化硅相似的優(yōu)點，但相較于碳化硅，近幾年的發(fā)展似乎有些不溫不火。在高壓領(lǐng)域，有碳化硅器件，在低壓領(lǐng)域，又有硅器件。近期Power Integration（PI）推出的首款1700V氮化鎵開關(guān)IC打破了這一局面，讓氮化鎵器件開始與碳化硅器件進行正面較量。

  TechSugar

  1066

  11/13 11:41

  氮化鎵 開關(guān)IC
• 超2億！新增2起氮化鎵收購案
  

  近期，“行家說三代半”又發(fā)現(xiàn)行業(yè)內(nèi)又新增2起氮化鎵收購案：11月6日，據(jù)MACOM官網(wǎng)透露，MACOM已經(jīng)完成對氮化鎵企業(yè)ENGIN-IC的收購，此次交易以現(xiàn)金支付，預(yù)計對 MACOM 的近期財務(wù)業(yè)績影響不大。

  行家說三代半

  1130

  11/12 08:55

  氮化鎵 MACOM
• Power Integrations推出1700V氮化鎵開關(guān)IC 為氮化鎵技術(shù)樹立新標桿
  

  1700V額定耐壓的氮化鎵InnoMux-2 IC可在1000VDC母線電壓下實現(xiàn)高于90%的效率，并通過三路精確調(diào)整的輸出提供高達70W的功率 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出InnoMux?-2系列單級、獨立調(diào)整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN?技術(shù)制造而成，是業(yè)界首款17

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  760

  11/05 07:41

  氮化鎵 Power Integrations
• 英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術(shù)極限并提高能效
  

  繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓和在馬來西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導體晶圓廠之后，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）再次在半導體制造技術(shù)領(lǐng)域取得新的里程碑。英飛凌在處理和加工史上最薄的硅功率晶圓方面取得了突破性進展，這種晶圓直徑為300㎜，厚度為20μm。厚度僅有頭發(fā)絲的四分之一，是目前最先進的40-60μ

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  702

  10/30 07:14

  半導體 英飛凌
• 氮化鎵也要代工了？
  

  近日，日本功率器件大廠羅姆半導體（ROHM）公開表示，將在氮化鎵功率半導體領(lǐng)域加強與臺積電合作，公司旗下的氮化鎵產(chǎn)品將全面委托臺積電代工生產(chǎn)。

  中國電子報

  3508

  10/29 09:20

  臺積電 氮化鎵
• 超3.3億！新增4個氮化鎵項目
  

  近日，山東、浙江及中國臺灣地區(qū)共新增了4個GaN相關(guān)項目，10月18日，據(jù)“投資濟南”官微消息，濟南市半導體、空天信息產(chǎn)業(yè)高價值技術(shù)成果本市轉(zhuǎn)化對接會于17日在歷城區(qū)國家超級計算濟南中心舉辦，會上簽約了一個GaN單晶項目。

  行家說三代半

  1587

  10/22 08:44

  GaN 氮化鎵
• 這家GaN突破3300V！投資15億建3條芯片線
  

  近日，一家GaN企業(yè)宣布了其在高壓氮化鎵功率器件領(lǐng)域的突破，電壓等級達3300V——10月18日，據(jù)“泰克科技”官微消息，近日，遠山半導體發(fā)布了新一代高壓氮化鎵功率器件，并送往泰克科技進行了測試。

  行家說三代半

  1219

  10/21 11:50

  GaN 氮化鎵

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