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晶圓制造

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  • 為什么晶圓的邊需要鋪滿電路?
    為什么晶圓的邊需要鋪滿電路?
    晶圓制造工藝是半導(dǎo)體生產(chǎn)中的關(guān)鍵步驟,晶圓的邊緣區(qū)域?qū)φ麄€(gè)制造過(guò)程和成品良率具有重要影響。邊緣效應(yīng)指的是由于晶圓邊緣的處理不同于中心區(qū)域,導(dǎo)致的電學(xué)和物理性能的差異。晶圓邊緣由于距離加工工具較遠(yuǎn)或光刻曝光時(shí)的處理不均,可能會(huì)出現(xiàn)性能不穩(wěn)定的情況。
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    14小時(shí)前
  • 晶圓中的scribe line(劃片線)和saw line(鋸片線)
    晶圓中的scribe line(劃片線)和saw line(鋸片線)
    在晶圓制造過(guò)程中,scribe line(劃片線)和saw line(鋸片線)是兩個(gè)非常關(guān)鍵的概念,它們?cè)诰A的后段工藝中扮演著重要的角色。為了方便理解,我們可以把晶圓比作一塊大餅,而每一片芯片就像是從大餅上切下來(lái)的薄片,劃片線和鋸片線則是切割這些薄片的“指引”和“路徑”。
  • 2024年度本土半導(dǎo)體行業(yè)并購(gòu)重組TOP榜
    2024年度本土半導(dǎo)體行業(yè)并購(gòu)重組TOP榜
    從歷史經(jīng)驗(yàn)來(lái)看,典型的半導(dǎo)體公司有三大成長(zhǎng)階段:(1)主業(yè)產(chǎn)品持續(xù)迭代帶來(lái)的單價(jià)、盈利能力、份額提升;(2)品類(lèi)擴(kuò)張帶來(lái)的空間提升;(3)業(yè)務(wù)領(lǐng)域的拓展延伸。企業(yè)發(fā)展成熟后通過(guò)并購(gòu)來(lái)整合資源、提升市場(chǎng)占有率是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的必然趨勢(shì),也是中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)走向世界所必不可少的步驟。 從2024年電子與半導(dǎo)體行業(yè)并購(gòu)來(lái)看,晶圓代工、封裝制造占比較大,面板領(lǐng)域并購(gòu)也較為突出。并購(gòu)和投資金額以10億-100
  • 晶圓定位邊(wafer flat)和凹槽(notch)之間的關(guān)系
    晶圓定位邊(wafer flat)和凹槽(notch)之間的關(guān)系
    晶圓定位邊(wafer flat)和凹槽(notch)是晶圓制造過(guò)程中用于確定晶圓方向的重要特征,它們?cè)诰A的加工、對(duì)準(zhǔn)和檢測(cè)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。
  • 什么是邊緣芯片(edge die)
    什么是邊緣芯片(edge die)
    邊緣芯片(edge die)是指位于晶圓邊緣區(qū)域的芯片,由于晶圓制造過(guò)程中的掩模對(duì)準(zhǔn)誤差或晶圓切割等原因,這些芯片可能在設(shè)計(jì)上存在缺陷或尺寸不完整。以下是對(duì)邊緣芯片的詳細(xì)解釋?zhuān)?/div>
  • 描述晶圓薄膜厚度的單位:埃
    描述晶圓薄膜厚度的單位:埃
    1、什么是埃(Angstrom)?埃(符號(hào):?)是一種非常小的長(zhǎng)度單位,主要用于表示微觀領(lǐng)域的尺度,例如原子、分子之間的距離,或者晶圓制造中的薄膜厚度。1 ? 等于 (10^{-10}) 米,也就是0.1納米(nm)。為了更直觀地理解這個(gè)概念,我們可以通過(guò)以下比喻說(shuō)明:
  • 晶圓制造機(jī)臺(tái)Recipe Tuning的概念、目標(biāo)、核心方法、調(diào)優(yōu)流程、關(guān)鍵因素及挑戰(zhàn)
    晶圓制造機(jī)臺(tái)Recipe Tuning的概念、目標(biāo)、核心方法、調(diào)優(yōu)流程、關(guān)鍵因素及挑戰(zhàn)
    作為集成電路制造中的關(guān)鍵工藝,刻蝕工藝(ETCH)在半導(dǎo)體晶圓的制造過(guò)程中起到了至關(guān)重要的作用。機(jī)臺(tái)Recipe Tuning,即“機(jī)臺(tái)配方調(diào)優(yōu)”,是確??涛g工藝質(zhì)量、提高生產(chǎn)效率、優(yōu)化成品率的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。在晶圓制造的后段工藝(BEOL)中,Recipe Tuning特別重要,因?yàn)樗苯雨P(guān)系到不同層次的刻蝕需求與設(shè)備的精確配合。
  • SMIC MPW班車(chē)表中如何理解AT、MV、HE、ATV?
    SMIC MPW班車(chē)表中如何理解AT、MV、HE、ATV?
    "AT"、"MV"、"HE"、"ATV"實(shí)際上是SMIC在其晶圓制造工藝中使用的一些標(biāo)識(shí)符,通常與特定的工藝、技術(shù)類(lèi)型和特色流程相關(guān)。SMIC 2025 MPW 班車(chē)表如下:
  • 晶圓制造中的系統(tǒng)工具概述:IEMS、Odyssey、RMS和SPC
    晶圓制造中的系統(tǒng)工具概述:IEMS、Odyssey、RMS和SPC
    IEMS、Odyssey、RMS和SPC是四個(gè)常見(jiàn)的系統(tǒng)工具,它們?cè)诩呻娐返闹圃爝^(guò)程中起著至關(guān)重要的作用,尤其是在刻蝕工藝和其他后端工藝的控制和優(yōu)化方面。
  • 7nm晶圓制造工藝為什么那么難?
    7nm晶圓制造工藝為什么那么難?
    在談?wù)?納米工藝之前,我們先了解一下“納米”是什么意思。納米(nm)是一個(gè)長(zhǎng)度單位,1納米等于10的負(fù)九次方米。對(duì)于半導(dǎo)體芯片來(lái)說(shuō),納米通常指的是晶體管的最小尺寸,或者是構(gòu)成芯片中各個(gè)功能單元的最小結(jié)構(gòu)尺寸。因此,7納米工藝指的是在芯片上制造出其最小結(jié)構(gòu)為7納米的晶體管。
  • 晶圓制造中的T/R (Turn Ratio)詳解
    晶圓制造中的T/R (Turn Ratio)詳解
    T/R(Turn Ratio),在晶圓制造領(lǐng)域中,指的是在制品的周轉(zhuǎn)率,即每片晶圓平均每天經(jīng)過(guò)的工藝步驟(Stage)的數(shù)量。它是衡量生產(chǎn)線效率、工藝設(shè)計(jì)合理性和生產(chǎn)進(jìn)度的重要指標(biāo)之一。
  • 晶圓制造MI工程師的工作內(nèi)容、價(jià)值、方法
    晶圓制造MI工程師的工作內(nèi)容、價(jià)值、方法
    在晶圓制造領(lǐng)域,MI(Metrology Inline)工程師是一個(gè)至關(guān)重要的角色,其職責(zé)與集成電路制造過(guò)程中參數(shù)的測(cè)量、監(jiān)控密切相關(guān)。MI工程師通過(guò)高效、準(zhǔn)確的量測(cè)手段,對(duì)生產(chǎn)過(guò)程中的關(guān)鍵參數(shù)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控,從而保證工藝的穩(wěn)定性和產(chǎn)品質(zhì)量。
  • 晶圓制造EE工程師是干啥的?
    晶圓制造EE工程師是干啥的?
    設(shè)備工程師(Equipment Engineer, EE)是晶圓制造中不可或缺的一環(huán),其職責(zé)是通過(guò)設(shè)備維護(hù)、故障排除、設(shè)備優(yōu)化等工作,確保生產(chǎn)設(shè)備的正常運(yùn)轉(zhuǎn),滿足產(chǎn)線的需求。
  • 國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)在高交會(huì)現(xiàn)場(chǎng)舉辦建成發(fā)布會(huì)
    國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)在高交會(huì)現(xiàn)場(chǎng)舉辦建成發(fā)布會(huì)
    備受矚目的國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)建成發(fā)布儀式,在第二十六屆中國(guó)國(guó)際高新技術(shù)成果交易會(huì)的現(xiàn)場(chǎng)隆重舉行,這一里程碑事件標(biāo)志著深圳在第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。發(fā)布會(huì)現(xiàn)場(chǎng)既有來(lái)自半導(dǎo)體行業(yè)的專(zhuān)家,也有市科創(chuàng)局、市發(fā)改委、市工信局、龍崗區(qū)政府、市重投集團(tuán)、深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、深圳市半導(dǎo)體和集成電路產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、深圳先進(jìn)電子材料國(guó)際創(chuàng)新研究院、電子科技大學(xué)(深圳)高等研究院、第
  • Monitor Wafer的核心功能、特點(diǎn)、流程和應(yīng)用場(chǎng)景
    Monitor Wafer的核心功能、特點(diǎn)、流程和應(yīng)用場(chǎng)景
    Monitor Wafer,即非生產(chǎn)晶圓(Non-Product Wafer,簡(jiǎn)稱(chēng)NPW),在現(xiàn)代半導(dǎo)體制造中扮演著至關(guān)重要的角色。它并不直接用于最終產(chǎn)品的制造,而是作為一種過(guò)程監(jiān)控工具,用于實(shí)時(shí)或周期性地“診斷”設(shè)備和工藝的健康狀況,確保整個(gè)生產(chǎn)流程的穩(wěn)定性和可靠性。
  • 缺陷密度(Defect Density)詳解:從概念到實(shí)際應(yīng)用
    缺陷密度(Defect Density)詳解:從概念到實(shí)際應(yīng)用
    在集成電路(IC)制造中,“缺陷密度”(Defect Density)是一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo),用于評(píng)估晶圓制造工藝的成熟度和產(chǎn)品質(zhì)量。它代表了單位面積晶圓上產(chǎn)生的缺陷數(shù)量,直接關(guān)系到最終芯片的良率和可靠性。
  • 晶圓表面溫度對(duì)干法刻蝕的影響?
    學(xué)員問(wèn):溫度能影響干法刻蝕的哪些方面?麻煩講一講表面溫度對(duì)干法刻蝕的影響主要包括:聚合物沉積,選擇性,光刻膠流動(dòng)、產(chǎn)物揮發(fā)性與刻蝕速率,表面形貌等。
  • Monitor Wafer(監(jiān)控片)和Season Wafer(暖機(jī)片)之間的區(qū)別
    Monitor Wafer(監(jiān)控片)和Season Wafer(暖機(jī)片)之間的區(qū)別
    在晶圓制造過(guò)程中,Monitor Wafer(監(jiān)控片)和Season Wafer(暖機(jī)片)都是非生產(chǎn)晶圓(NPW)的重要組成部分。它們各自承擔(dān)著不同的角色,為生產(chǎn)晶圓的加工提供必要的保障。
  • 什么是Dummy Wafer(填充片)
    什么是Dummy Wafer(填充片)
    Dummy Wafer,中文稱(chēng)為填充片,是在晶圓制造過(guò)程中專(zhuān)門(mén)用于填充機(jī)臺(tái)設(shè)備的晶圓,通常不會(huì)用于實(shí)際生產(chǎn),也不會(huì)直接作為成品出售。其主要作用是為滿足設(shè)備運(yùn)行的特定要求或約束,確保設(shè)備的工藝性能穩(wěn)定,同時(shí)優(yōu)化資源利用率并減少生產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)。
  • 如何理解晶圓制造的生產(chǎn)周期時(shí)間(Cycle Time)
    如何理解晶圓制造的生產(chǎn)周期時(shí)間(Cycle Time)
    作為晶圓制造中的核心指標(biāo)之一,生產(chǎn)周期時(shí)間(Cycle Time,簡(jiǎn)稱(chēng)CT)對(duì)于衡量制造效率和產(chǎn)能至關(guān)重要。生產(chǎn)周期時(shí)間是指從生產(chǎn)原料(如硅片)進(jìn)入生產(chǎn)線,到最終產(chǎn)品(如完成制造的晶圓或芯片)從生產(chǎn)線輸出所需要的全部時(shí)間。在晶圓制造領(lǐng)域,Cycle Time 是衡量生產(chǎn)效率、分析瓶頸問(wèn)題、優(yōu)化工藝流程的關(guān)鍵指標(biāo)。

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