功率元器件

• ROHM推出實現(xiàn)業(yè)界超低導通電阻的小型MOSFET，助力快速充電應用

  全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出30V耐壓共源Nch MOSFET*1新產(chǎn)品“AW2K21”，其封裝尺寸僅為2.0mm×2.0mm，導通電阻*2低至2.0mΩ（Typ.），達到業(yè)界先進水平。 新產(chǎn)品采用ROHM自有結(jié)構(gòu)，不僅提高器件集成度，還降低單位芯片面積的導通電阻。另外，通過在一個器件中內(nèi)置雙MOSFET的結(jié)構(gòu)設計，僅需1枚新產(chǎn)品即可滿足雙向供電電路所需的雙向保

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  05/15 16:22

  MOSFET ROHM

  
• ROHM開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界超低損耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT

  全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向車載電動壓縮機、HV加熱器、工業(yè)設備用逆變器等應用，開發(fā)出符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101*1、1200V耐壓、實現(xiàn)了業(yè)界超低損耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。 此次發(fā)售的產(chǎn)品包括4款分立封裝的產(chǎn)品（TO-247-4L和TO-247N各2款）“RGA80TRX2HR／RGA80TRX2EHR／RGA80TSX2HR／RG

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  2024/11/07

  ROHM 工業(yè)設備

  

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