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本文檔的目的是為設(shè)計(jì)工程師提供一個(gè)全面的“工具包”，以便更好地了解VIPower低壓側(cè)開(kāi)關(guān)的行為，從而使設(shè)計(jì)更容易。
今天的VIPower低壓側(cè)開(kāi)關(guān)代表了使用意法半導(dǎo)體M0-5 VIPower?技術(shù)開(kāi)發(fā)的第三代智能電源驅(qū)動(dòng)器（所謂的OMNIFET III）。
在最新一代的驅(qū)動(dòng)程序中，前幾代的所有經(jīng)驗(yàn)和專(zhuān)有技術(shù)都得到了應(yīng)用，以提高魯棒性、增加功能性和提高封裝密度。
與許多其他邏輯IC相比，現(xiàn)代低端驅(qū)動(dòng)器（LSD）的復(fù)雜性仍然相對(duì)較低。然而，對(duì)于這種設(shè)備來(lái)說(shuō)，在寬溫度范圍內(nèi)將數(shù)字邏輯功能與由不穩(wěn)定的汽車(chē)電池系統(tǒng)提供的模擬電源結(jié)構(gòu)相結(jié)合是非常具有挑戰(zhàn)性的。
今天的OMNIFET III器件符合上述所有標(biāo)準(zhǔn)，提供了最佳的價(jià)格/性能比。
該產(chǎn)品系列有兩種引腳選項(xiàng)（三針和五針選項(xiàng)）。三引腳選項(xiàng)使該產(chǎn)品成為標(biāo)準(zhǔn)功率MOSFET的完美替代品。五針選項(xiàng)還提供了一個(gè)專(zhuān)用電源引腳和一個(gè)狀態(tài)引腳來(lái)執(zhí)行診斷。
下載ECAD模型
