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掃碼加入射頻功率場效應晶體管、高強度N-溝道、增強型側向MOSFET，這些高強度器件專為高VSWR工業(yè)（包括激光和等離子激勵器）、廣播（模擬和數字）、航空航天和無線電/陸地移動應用而設計。它們具有無與倫比的輸入和輸出設計，可在1.8至600 MHz的寬頻段范圍內使用。
特點
? 無與倫比的輸入和輸出設計，可在寬頻段范圍內使用
? 該器件可以單端或推挽配置使用
? 最大50 VDD操作
? 從30 V到50 V范圍進行特征化，擴展功率范圍
? 適合線性應用，并配以適當的偏置
? 集成ESD保護，具有更大的負柵源電壓范圍，以改善C類操作
? 通過串聯(lián)等效大信號阻抗參數進行特征化
? 符合RoHS標準
? 帶卷筒帶和卷盤。R6后綴= 150個裝置，56毫米帶寬，13英寸卷筒。 有關R5帶卷筒選項，請參見第12頁。
| 器件型號 | 數量 | 器件廠商 | 器件描述 | 數據手冊 | ECAD模型 | 風險等級 | 參考價格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NLFV32T-6R8M-EF | 1 | TDK Corporation | General Purpose Inductor, 6.8uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 1210, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
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$0.33 | 查看 | |
| P409QM473M250AH101 | 1 | KEMET Corporation | RC Network, Isolated, 100ohm, 630V, 0.047uF, Through Hole Mount, 2 Pins, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT |
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$1.8 | 查看 | |
| BAT46WJ,115 | 1 | NXP Semiconductors | BAT46WJ - Single Schottky barrier diode SOD 2-Pin |
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$0.09 | 查看 |
人工客服
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