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三星半導(dǎo)體業(yè)啟步
韓國半導(dǎo)體在 1974 年才開始啟步，那時韓國正在推行一種叫”新社會運(yùn)動”。韓國半導(dǎo)體工業(yè)的第一個 fab（晶圓廠），叫韓國半導(dǎo)體 Puchon 廠，建于 1974 年 10 月。由于開張就面臨財務(wù)危機(jī)，同年 12 月，僅生存三個月，就被李健熙（LeeKunhe）主席的私人投資兼并，后被并入三星中。
自 1980 年代之后，韓國半導(dǎo)體業(yè)才開始跨越式的進(jìn)步，三星在 1983 年開始籌備集成電路制造，也即 DRAM 的研發(fā)。
64KDRAM 的研發(fā)成功，對于韓國半導(dǎo)體業(yè)具有里程碑意義，也是邁向全球存儲器強(qiáng)國的第一步。在那時三星電子的科研工作者，日以繼夜，努力追趕，放棄一切節(jié)假日休息，靠的是一股精神及志氣。
64K DRAM 研發(fā)成功
在 64KDRAM 研發(fā)中，韓國非常清楚自已與先進(jìn)國家之間的技術(shù)（1.5 微米）差距為 4 年半，需要一步一步地追趕，在 256KDRAM（1.2 微米）時這個差距己縮短為 3 年。在 1989 年 10 月時三星已經(jīng)成功開發(fā)出 16MDRAM（采用 0,25 微米技術(shù)），它己領(lǐng)先于全球任何一家制造商。
三星電子從 1983 年開發(fā)存儲器，到 1989 年的 16M DRAM 研發(fā)成功，僅利用 6 年的時間，前進(jìn)了 5 代 DRAM 的技術(shù)，使三星電子一躍成為全球最先進(jìn)的存儲器制造商。
三星電子從 1983 年開始 DRAM 的研發(fā)，其中 1987 年就實現(xiàn)第一次盈利，一直到 1993 年 16M DRAM 的量產(chǎn)，奠定了它在全球存儲器霸主的地位。
它最為關(guān)鍵的決策是三星在 1993 年時就大膽地投資興建 8 英寸硅片生產(chǎn)線來生產(chǎn) DRAM。在當(dāng)時全球 6 英寸硅片是主流地位，如英特爾與臺積電分別于 1992 年及 1996 年才興建它們的第一條 8 英寸生產(chǎn)線。因為當(dāng)時投資一條 8 英寸生產(chǎn)線的費用高達(dá) 10000 億韓元(相當(dāng)于 10 億美元以上)，風(fēng)險很大。
1994 年是韓國半導(dǎo)體工業(yè)的轉(zhuǎn)折點，三星首先發(fā)布全球首塊 256M DRAM。256M DRAM 意味著在手指甲大小的芯片上集成 2.56 億個晶體管及 2.56 億個電容。
256M DRAM 研發(fā)成功
為了超過日本半導(dǎo)體，三星電子在開發(fā) 64M DRAM 的同時就己經(jīng)組建 256M DRAM 研發(fā)團(tuán)隊。70 位研究人員在 Hwan Chang-Kyu 領(lǐng)導(dǎo)下努力奮戰(zhàn)，經(jīng)過兩年的努力，終于在 1994 年 8 月 29 日研制成功全球第一塊 256M DRAM 芯片。
非常有興趣的是第一批樣品就實現(xiàn)了全功能，所以檢驗及測量的次數(shù)反復(fù)達(dá) 10 次之多，生怕有誤差。由此奠定了在存儲器方面韓國超過日本的基礎(chǔ)。
三星電子成功的原因初探
1980 年代后韓國政府改變半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策，轉(zhuǎn)向扶持 DRAM，此時三星半導(dǎo)體開始獲得政府支持。當(dāng)時韓國政府組織”官民一體”的 DRAM 共同開發(fā)項目，也是通過政府的投資來發(fā)展 DRAM 產(chǎn)業(yè)。
進(jìn)入 DRAM 市場初期，三星電子首先向當(dāng)時遇到資金問題的美光(Micron)公司購買 64K DRAM 技術(shù)，之后自已開始開發(fā) 256KDRAM。為了提高技術(shù)，這時三星半導(dǎo)體用高薪聘請在美國半導(dǎo)體公司工作過的韓國人，工資比總裁高 4-5 倍。
另外，三星在美國建立研發(fā)中心，并配置相同的生產(chǎn)設(shè)備，讓這些高薪人員來培訓(xùn)本土的工程師。然后經(jīng)過培訓(xùn)后的工程師再回到本部，日以繼夜地工作，很快三星在 DRAM 方面超過日本。
再有一點非常關(guān)鍵，在 1993 年全球半導(dǎo)體市場轉(zhuǎn)弱，但是三星采用反周期的投資策略，加大投資 DRAM 建 8 英寸生產(chǎn)線。
1984 年 9 月三星推出 64K DRAM，但是由于 DRAM 價格迅速下滑，從 1984 年初的 4 美元 / 片，下降到 1985 年的 30 美分 / 片。而此時三星的生產(chǎn)成本是 1.3 美元 / 片，到 1986 年底，三星半導(dǎo)體累積虧損 3 億美元，股權(quán)資本完全虧空。
由于 DRAM 市場不景氣，英特爾等美國公司退出存儲器市場，日本公司也縮減投資規(guī)模和生產(chǎn)能力。三星反其道而行之，進(jìn)行反周期投資，繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能，并開發(fā)更大容量的 DRAM。當(dāng) 1987 年產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)轉(zhuǎn)機(jī)時，加上美國政府發(fā)起對于日本半導(dǎo)體業(yè)的反傾銷訴訟案，美國政府和日本企業(yè)達(dá)成自動出口限制協(xié)議。由于日本企業(yè)減少向美國出口，導(dǎo)致 DRAM 價格回升，三星開始首次實現(xiàn)盈利。
三星資本支出多年列全球第一
三星是從 1983 年開始投資半導(dǎo)體，搞存儲器。那時韓國的半導(dǎo)體遠(yuǎn)沒有目前的先進(jìn)，有人認(rèn)為韓國有勞動力成本低的優(yōu)勢。實際上當(dāng)時在工廠中作操作的人員, 大部分是農(nóng)村來的婦女，文化程度并不高，但是素質(zhì)很好，她們的工作十分認(rèn)真與精細(xì)。
三星經(jīng)過若干年后能成為全球存儲器業(yè)的領(lǐng)先者，主要是在韓國政府傾國力的支持下加上強(qiáng)有力的領(lǐng)導(dǎo)集體，如三星的前董事長李健熙等，能獻(xiàn)身于事業(yè)。除此之外，企業(yè)上下有股氣勢，一定要趕超日本的決心和信念，再加上有一批由美國培訓(xùn)回來的第一流工程師，由于它們奮發(fā)圖強(qiáng)的加速發(fā)展半導(dǎo)體工藝，才取得如此輝煌的成績。
還有一個原因，如東芝與其它的日本公司，它們的研發(fā)中心與制造基地分別位于不同的地方，相距甚遠(yuǎn)。而三星電子的研發(fā)中心與制造部分在同一地方，既節(jié)省時間與成本，又便于研發(fā)與制造之間相互的溝通。
三星電子還具有另外一個優(yōu)勢是有自己的終端電子產(chǎn)品。不僅有半導(dǎo)體，還有面板、電視等。這樣垂直式的產(chǎn)業(yè)鏈有利于整合。既有利于以最快速度反映市場的需求，也有利于終端產(chǎn)品與芯片各環(huán)節(jié)之間的協(xié)調(diào)。
后話
三星電子在存儲器方面的成功，有外在因素，如韓國政府的大力支持，以及美國對于日本半導(dǎo)體的反傾銷策略等，顯然三星電子內(nèi)在因素起著決定性的作用。
尤其是三星電子有一股氣勢，一定要成功超過日本，上下齊心合力，人的因素起了關(guān)鍵作用。眾所周知，DRAM 的制造決定于成品率與產(chǎn)品成本，所以工藝生產(chǎn)線上每一步操作的成品率起著十分重要作用。再加上它的正確策略，在美國搞研發(fā)中心，采用與韓國制造同樣的設(shè)備，以及用高薪聘請在美作存儲器的韓國工程師，并在美國培訓(xùn)人材后，再回到韓國工作。另外在全球存儲器周期性下降時，它采用反周期的加大投資，積極擴(kuò)充產(chǎn)能等。
內(nèi)在與外在的因素綜合在一起，推動了三星電子的存儲器業(yè)成功。同樣分析天時，地利與人和在中國似乎都具備了條件，好象僅是某些地方差了一點點。因此未來中國在突破艱難的存儲器業(yè)制造中必須十分清醒，僅擁有大市場與足夠的投資還不一定能獲得成功，需要人材的配合，并要有一股氣勢與勇氣，以及技術(shù)上的真正過硬。全球存儲器業(yè)總是周期性的起伏，只有堅持到底，不懼怕暫時的虧損，才有可能成功?，F(xiàn)在的盲點是不知道我們的持續(xù)虧損要多久？能否有決心堅持下去，因為通常只有國家意志才有堅持下去的可能性。
