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知識(shí)星球（星球名：芯片制造與封測(cè)技術(shù)社區(qū)，星球號(hào)：63559049）里的學(xué)員問(wèn)：干法刻蝕SiO2的化學(xué)方程式怎么寫？刻蝕的過(guò)程是怎么樣的？
干法刻氧化硅的化學(xué)方程式？
以F系氣體刻蝕為例，反應(yīng)的方程式為：
SiO2(s)+ CxFy +Ar(+)>SiF4 (g)+ CO(g)CxFy是來(lái)自刻蝕氣體（如CF?、CHF?）解離產(chǎn)生的氟自由基，用于氧化硅的化學(xué)刻蝕。
Ar(+)是被加速的高能離子，起到物理轟擊的作用。
SiF4?：四氟化硅，氣相形式的揮發(fā)性產(chǎn)物。CO：一氧化碳，副產(chǎn)物。
紅色箭頭代表離子轟擊，高能離子轟擊表面，破壞SiO?分子的鍵，為自由基提供更多反應(yīng)位點(diǎn)，同時(shí)起到“方向性”作用，使刻蝕更具各向異性。
綠色箭頭代表氟自由基，即CxFy。Ar離子轟擊與化學(xué)刻蝕的結(jié)合，才能顯著提高刻蝕速率。單一的物理或化學(xué)機(jī)制均不足以實(shí)現(xiàn)高效刻蝕。
離子與中性粒子比值對(duì)反應(yīng)速率的影響
如上圖：中性粒子（自由基）濃度：Ar（+）濃度：當(dāng)比值較低時(shí)，刻蝕速率主要受自由基的濃度限制。在高比值時(shí)，Ar離子轟擊成為限制因素，刻蝕速率趨于飽和。
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