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近日，“行家說三代半”發(fā)現(xiàn)，國內(nèi)外有不少SiC企業(yè)在產(chǎn)品交付&訂單上有新進(jìn)展，包括至信微電子、粵升半導(dǎo)體等：
至信微電子：SiC產(chǎn)品大批量出貨
11月18日，至信微電子在官微宣布，他們的 2200 伏系列SiC產(chǎn)品已經(jīng)獲得了光伏領(lǐng)域眾多客戶的青睞，收獲了大量訂單，同時也順利通過了多個頭部客戶的嚴(yán)格驗(yàn)證。
據(jù)了解，至信微推出的2200 伏產(chǎn)品具有以下優(yōu)勢：在性能上，其擊穿電壓高達(dá) 2600 伏，能夠滿足更為苛刻的高電壓應(yīng)用場景需求，并且支持 15 伏驅(qū)動電壓。在產(chǎn)品廣度上，其提供從 1 歐姆到 16 毫歐的多種內(nèi)阻選擇，可充分滿足多樣化的市場需求。
目前，至信微電子還聯(lián)合多家合作伙伴，如杭芯科技、達(dá)邁科技、紅炬科技、眾隆源等，在光伏及儲能行業(yè)的多個項(xiàng)目中，積極推進(jìn) 2200 伏系列產(chǎn)品的全面應(yīng)用和推廣。
粵升半導(dǎo)體：SiC設(shè)備大批量出貨
11月18日，粵升半導(dǎo)體在官微透露，他們于今年9月實(shí)現(xiàn)了SiC 外延設(shè)備的大批量出貨。
據(jù)悉，粵升半導(dǎo)體自主研發(fā)的SiC 外延設(shè)備，已在客戶端連續(xù)穩(wěn)定運(yùn)行近兩年，生長的SiC 外延片質(zhì)量達(dá)到國際先進(jìn)水平，特別是能夠滿足厚膜以及3C晶型的外延要求。此批出貨設(shè)備在第一代外延爐基礎(chǔ)上做了進(jìn)一步優(yōu)化設(shè)計，具備生產(chǎn)高質(zhì)量、高穩(wěn)定性的外延片生產(chǎn)能力。
資料顯示，粵升半導(dǎo)體成立于2021年，聚焦第三代半導(dǎo)體SiC產(chǎn)業(yè)鏈中的晶體生長和外延設(shè)備，2022年首臺SiC外延設(shè)備研發(fā)成功，2023年首批液相法SiC單晶爐完成研發(fā)并交付客戶。
中導(dǎo)光電：獲得8吋SiC訂單
11月20日，中導(dǎo)光電在官微宣布，他們成功獲得了國內(nèi)功率半導(dǎo)體頭部客戶的8吋SiC晶圓缺陷檢測設(shè)備的訂單。
據(jù)了解，相較于6吋SiC晶圓，8吋SiC晶圓的尺寸增大，對制造和檢測過程中的精度與工藝要求更高。對此，中導(dǎo)光電推出的晶圓缺陷檢測設(shè)備可以為SiC芯片制備產(chǎn)線提供全工藝過程缺陷檢測，在晶圓表面納米級缺陷檢測方面達(dá)到更高的精確度和更復(fù)雜的工藝水平。
官網(wǎng)顯示，中導(dǎo)光電設(shè)備股份有限公司創(chuàng)立于2006年，是一家半導(dǎo)體工業(yè)高端自動光學(xué)檢測設(shè)備專業(yè)公司，其產(chǎn)品以半導(dǎo)體芯片檢測為前導(dǎo)，以平板顯示檢測為基礎(chǔ)，以光伏電池片/硅片檢測為補(bǔ)充，其集成電路檢測設(shè)備產(chǎn)品覆蓋“無圖形”和“有圖形”晶圓檢測應(yīng)用領(lǐng)域，檢測靈敏度達(dá)納米級，已成功進(jìn)入客戶產(chǎn)線。
CVD Equipment：8吋SiC設(shè)備出貨
11月13日，CVD Equipment 在官網(wǎng)公布了2024 年第三季度財務(wù)業(yè)績及業(yè)務(wù)進(jìn)展，其中透露，他們的第一臺 PVT200? 系統(tǒng)已經(jīng)在第三季度出貨。
對此，CVD Equipment 總裁兼首席執(zhí)行官 Manny Lakios表示，SiC 市場一直保持相當(dāng)活躍的狀態(tài)，產(chǎn)能過剩持續(xù)存在，晶圓價格不斷下降，SiC 晶圓生產(chǎn)商正在迅速轉(zhuǎn)向 200 毫米生產(chǎn)以保持競爭力。
此次交付的設(shè)備來源于他們在今年第一季度收到的SiC 200 毫米長晶設(shè)備訂單，目前，已經(jīng)有第二個客戶正在評估該設(shè)備性能。
據(jù)了解，CVD Equipment?在該季度的營收為?820 萬美元（約合人民幣0.59億），同比增長?31.4%，主要由于 CVD 設(shè)備系統(tǒng)等收入增加。目前，他們一共推出兩款長晶設(shè)備：PVT150?、PVT200?，分別用于6英寸、8英寸晶錠生長。
