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    • ?01、還是不行的原因
    • ?02、AI讓先進(jìn)制程更上一層樓
    • ?03、成熟節(jié)點(diǎn)的“過(guò)剩爭(zhēng)論”
    • ?04、先進(jìn)制程只是巨頭battle的舞臺(tái),成熟制程才是全球追求的“財(cái)富”
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成熟制程依然“頭大”?

10/08 12:03
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作者:米樂(lè)

如果對(duì)未來(lái)畫餅,是不是說(shuō)明現(xiàn)在堪憂呢?

晶圓代工先進(jìn)制程需求熱絡(luò),引領(lǐng)整體產(chǎn)業(yè)向上發(fā)展的背后,成熟制程市況顯得相對(duì)領(lǐng)清。研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技發(fā)布最新報(bào)告指出,明年成熟制程產(chǎn)能利用率雖可提升10個(gè)百分點(diǎn),對(duì)于這個(gè)“餅”,業(yè)界表示成熟制程持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)將導(dǎo)致價(jià)格持續(xù)承壓。

?01、還是不行的原因

2025年受消費(fèi)性產(chǎn)品需求能見(jiàn)度低影響,供應(yīng)鏈建立庫(kù)存態(tài)度保守,對(duì)晶圓代工廠下單將與2024年同為零星急單模式,但汽車、工控、通用型服務(wù)器等應(yīng)用零組件庫(kù)存已陸續(xù)在2024年修正至健康水位,2025年將加入零星備貨行列,預(yù)期成熟制程產(chǎn)能利用率將因此提升10個(gè)百分點(diǎn)、突破七成。

不過(guò),隨著各晶圓廠在連續(xù)兩年因需求清淡而放緩擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃后,預(yù)計(jì)在2025年將陸續(xù)開出先前遞延的新產(chǎn)能,尤以28納米、40納米及55納米為主,在需求能見(jiàn)度低、新產(chǎn)能開出雙重壓力下,成熟制程價(jià)格持續(xù)承壓。

5月9日,中國(guó)內(nèi)地最大晶圓代工廠發(fā)布2024年第一季度財(cái)報(bào)。在第二天的財(cái)報(bào)發(fā)布會(huì)上,首席執(zhí)行官坦言,公司12英寸晶圓生產(chǎn)線自2月份以來(lái)一直滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn),但行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)依然激烈。“我們很多戰(zhàn)略客戶,無(wú)論是機(jī)頂盒還是智能手機(jī),如果市場(chǎng)上出現(xiàn)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手降價(jià),可能會(huì)丟掉訂單,幾千萬(wàn)的訂單就可能沒(méi)了。我們還是要適應(yīng)市場(chǎng),和客戶一起面對(duì)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)?!敝鞴コ墒熘瞥叹A代工的公司各自出招,但也可以用清湯寡水來(lái)形容。

世界先進(jìn)12英寸廠及化合物半導(dǎo)體投資,并認(rèn)購(gòu)漢磊5萬(wàn)張私募股票,雙方合作預(yù)估2026下半年可望量產(chǎn)。聯(lián)電則專注提升特殊制程接單能量,目前已能提供22/28納米、eNVM和RFSOI等特殊制程,公司看好生成式AI市場(chǎng)潛力龐大,不會(huì)在AI市場(chǎng)中缺席。力積電董事長(zhǎng)黃崇仁先前曾說(shuō),將以二大方向轉(zhuǎn)型,擺脫廠商殺價(jià)競(jìng)爭(zhēng),其一是收取建廠授權(quán)金的Fab IP,其二是擁有堆疊技術(shù)優(yōu)勢(shì)的3D IC技術(shù)。

?02、AI讓先進(jìn)制程更上一層樓

臺(tái)積電領(lǐng)頭,全球晶圓代工產(chǎn)值明年將有望年增率重返兩成以上,年增率將為近三年來(lái)高點(diǎn)。研究機(jī)構(gòu)集邦科技公布最新預(yù)測(cè),高速運(yùn)算(HPC)產(chǎn)品和旗艦智能型手機(jī)主流采用的5/4/3納米等先進(jìn)制程維持滿載,狀況將延續(xù)至2025年,以臺(tái)積電營(yíng)收表現(xiàn)將超越產(chǎn)業(yè)平均,預(yù)期在人工智能(AI)應(yīng)用推升下,將帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值成長(zhǎng)。

根據(jù)集邦科技最新調(diào)查,雖然消費(fèi)性終端市場(chǎng)明年能見(jiàn)度仍低,但汽車、工控等供應(yīng)鏈的庫(kù)存已從今年下半年起逐漸落底,明年將重啟零星備貨,加上edge AI推升單一整機(jī)的晶圓消耗量、cloud AI持續(xù)布建,預(yù)估明年晶圓代工產(chǎn)值將年增百分之廿,優(yōu)于今年的16%。

不過(guò),業(yè)界觀察,若扣除臺(tái)積電明年全球晶圓代工產(chǎn)值僅年增百11.2%,等于光臺(tái)積電就貢獻(xiàn)近一半的增幅,且先進(jìn)制程維持高成長(zhǎng)動(dòng)能,先進(jìn)封裝重要性日增。從各晶圓代工廠的表現(xiàn)分析,集邦預(yù)期,先進(jìn)制程及先進(jìn)封裝將帶動(dòng)臺(tái)積電明年?duì)I收年增率超越產(chǎn)業(yè)平均。

此外,在AI持續(xù)推動(dòng)、各項(xiàng)應(yīng)用零組件庫(kù)存落底的支撐下,盡管晶圓代工產(chǎn)業(yè)明年?duì)I收年成長(zhǎng)將重返百分之二十水準(zhǔn),廠商仍須面對(duì)諸多挑戰(zhàn),包括總體經(jīng)影響終端消費(fèi)需求、高成本是否影響AI布建力道,以及擴(kuò)產(chǎn)將增加資本支出等。

集邦預(yù)估,明年7、6納米、5、4納米及3納米制程將貢獻(xiàn)全球晶圓代工營(yíng)收達(dá)45%。業(yè)界觀察,相關(guān)制程都是龍頭廠臺(tái)積電擅長(zhǎng)且領(lǐng)先的技術(shù)節(jié)點(diǎn)。先進(jìn)封裝產(chǎn)能吃緊,集邦分析,受AI芯片大面積需求帶動(dòng),2.5D先進(jìn)封裝于2023至2024年供不應(yīng)求情況嚴(yán)重,臺(tái)積電、三星、英特爾等提供前段制造加后段封裝整套解決方案的大廠都積極建構(gòu)產(chǎn)能,預(yù)估明年晶圓代工廠配套提供的2.5D封裝營(yíng)收將年增120%以上,雖在整體晶圓代工營(yíng)收占比不到5%,但重要性日增。臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總裁魏哲家在前一次法說(shuō)會(huì)上提到,在封裝部分臺(tái)積將只會(huì)專注在最先進(jìn)的后段技術(shù),這些技術(shù)將幫助客戶的前瞻產(chǎn)品。

?03、成熟節(jié)點(diǎn)的“過(guò)剩爭(zhēng)論”

首先,“成熟半導(dǎo)體”一詞涵蓋了一系列不同類型的芯片,每種芯片都有自己的供需動(dòng)態(tài)。這些既包括特定類型的半導(dǎo)體,包括邏輯、功率、射頻和混合模擬和數(shù)字半導(dǎo)體,也包括用于特定類型最終用途的成熟半導(dǎo)體,例如汽車、機(jī)器人、無(wú)人機(jī)工業(yè)自動(dòng)化、航空航天和其他行業(yè)。因此,“傳統(tǒng)半導(dǎo)體”沒(méi)有單一市場(chǎng),不能一概而論的說(shuō)“產(chǎn)能過(guò)?!?。

其次,全球大多數(shù)成熟的半導(dǎo)體節(jié)點(diǎn)產(chǎn)能都掌握在IDM手中,在中國(guó),成熟節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)產(chǎn)能則由從事代工服務(wù)的公司主導(dǎo),這包括高度專業(yè)化。代工廠根據(jù)客戶提供的設(shè)計(jì)制造半導(dǎo)體,取決于代工廠客戶而非代工廠本身確定的市場(chǎng)需求。公司設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體與特定行業(yè)的需求緊密相關(guān),力求謹(jǐn)慎地平衡供需,我們的商業(yè)模式旨在避免“產(chǎn)能過(guò)?!?。

代工廠往往高度專業(yè)化,通常由公司運(yùn)營(yíng)的每個(gè)晶圓廠都將針對(duì)非常特定的客戶產(chǎn)品而設(shè)立。另外,由于成熟節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體的利潤(rùn)率非常低,代工廠很難迅速切換生產(chǎn)線,因此代工廠和客戶更愿意簽訂長(zhǎng)期合同,以鎖定特定類型半導(dǎo)體的供應(yīng)。這尤其適用于產(chǎn)品生命周期長(zhǎng)、安全要求高、需要嚴(yán)格認(rèn)證產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性的行業(yè),例如醫(yī)療設(shè)備和汽車應(yīng)用。最后,是業(yè)內(nèi)經(jīng)常被忽視或誤解的“經(jīng)濟(jì)產(chǎn)能過(guò)?!备拍?。

這指的是全球行業(yè)實(shí)際上認(rèn)為一定量的過(guò)剩供應(yīng)是可取的,對(duì)于消除預(yù)期和常見(jiàn)的供需波動(dòng)至關(guān)重要。其中一些風(fēng)險(xiǎn)包括不可預(yù)測(cè)的工具停機(jī)時(shí)間;自然災(zāi)害,如影響前端制造和材料供應(yīng)商的福島地震;影響三星的德克薩斯州冬季冰凍;以及過(guò)去幾年發(fā)生的其他事故,如主要設(shè)施發(fā)生火災(zāi)。業(yè)內(nèi)一些人認(rèn)為,最佳的產(chǎn)能過(guò)剩水平是 15-20% 左右!即使在疫情期間出現(xiàn)嚴(yán)重芯片短缺之后,一些成熟節(jié)點(diǎn)仍會(huì)繼續(xù)出現(xiàn)滾動(dòng)短缺,整個(gè)系統(tǒng)的健康需要一定程度的經(jīng)濟(jì)產(chǎn)能過(guò)剩。

?04、先進(jìn)制程只是巨頭battle的舞臺(tái),成熟制程才是全球追求的“財(cái)富”

美國(guó)商務(wù)部在 2024 年第一季度對(duì)約 100 家美國(guó)公司進(jìn)行了調(diào)查,以確定它們對(duì)中國(guó)公司在成熟半導(dǎo)體方面的依賴程度。依賴問(wèn)題與產(chǎn)能過(guò)剩問(wèn)題緊密相關(guān),因?yàn)槊绹?guó)官員擔(dān)心產(chǎn)能過(guò)??赡軐?dǎo)致更大的依賴,從而使公司容易受到成熟節(jié)點(diǎn)供應(yīng)鏈中斷的影響。

大量芯片在中國(guó)組裝,這也使情況更加復(fù)雜。美國(guó)公司很少進(jìn)口單個(gè)半導(dǎo)體,而是進(jìn)口包含一個(gè)或多個(gè)可能源自中國(guó)的成熟半導(dǎo)體的產(chǎn)品,這些產(chǎn)品既來(lái)自國(guó)內(nèi)的代工廠,也來(lái)自在中國(guó)運(yùn)營(yíng)的外國(guó)代工廠。由于美國(guó)的出口管制以及中國(guó)對(duì)某些政府和國(guó)有企業(yè)供應(yīng)鏈?zhǔn)┘拥膲毫υ絹?lái)越大,要求其減少外國(guó)半導(dǎo)體的數(shù)量,外國(guó)公司在中國(guó)生產(chǎn)的 IT 產(chǎn)品中,來(lái)自中國(guó)的成熟半導(dǎo)體的比例可能會(huì)上升。

制造尖端芯片的公司通常將需求增長(zhǎng)歸因于依賴 CPU、GPU 或?qū)S蒙窠?jīng)處理芯片的 AI 應(yīng)用的增長(zhǎng)。較少出現(xiàn)在頭條新聞中的應(yīng)用包括智能手機(jī)應(yīng)用處理器、高性能計(jì)算 (HPC) 和云端服務(wù)器芯片。當(dāng)下一代技術(shù)投入使用時(shí),領(lǐng)先應(yīng)用的關(guān)鍵客戶已經(jīng)準(zhǔn)備好轉(zhuǎn)向下一個(gè)前沿節(jié)點(diǎn),然后晶圓廠就會(huì)出現(xiàn)產(chǎn)能空缺,尤其是在產(chǎn)量很高的情況下。但更多的芯片是建立在較成熟的節(jié)點(diǎn)上的。例如,電動(dòng)汽車對(duì)電源管理 IC (PMIC) 的需求不斷增加。

PMIC 通常使用 180nm 或 130nm 等成熟節(jié)點(diǎn),但采用 BCD 工藝(雙極、CMOS、D-MOS),PMIC 變得越來(lái)越智能,除了模擬電路外,還整合了越來(lái)越多的數(shù)字邏輯。因此,設(shè)計(jì)正在轉(zhuǎn)向 90nm、55nm 和 40nm BCD 工藝節(jié)點(diǎn)。

與此同時(shí),傳感器的需求可能還低于 180 和 150nm 節(jié)點(diǎn)。對(duì)于需要耐高壓的汽車應(yīng)用,它們與其他模擬電路集成在 BCD 工藝上同樣主要采用 180nm 或 130nm,先進(jìn)的智能傳感器集成了微控制器,正在向 65nm 或 40nm 轉(zhuǎn)移,但這是這些應(yīng)用的最新技術(shù)。

頂級(jí) CMOS 圖像傳感器采用 22nm 低功耗工藝,正在向 12nm finFET 工藝轉(zhuǎn)移。工藝節(jié)點(diǎn)通常針對(duì)特定應(yīng)用和用例。用于物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)的芯片代表了目標(biāo)工藝節(jié)點(diǎn)的一些分歧,出于成本原因,它們大多停留在 40 和 22nm 這樣的節(jié)點(diǎn)。但隨著人工智能走向邊緣,更多設(shè)備將具備一些推理能力,而執(zhí)行該功能的芯片將需要比其他數(shù)字邏輯更高的性能,因此它們正在轉(zhuǎn)向 6nm。模擬和混合信號(hào)芯片也趨于落后。

聯(lián)華電子指出:“如果應(yīng)用中混合了模擬和數(shù)字電路,那么我們認(rèn)為 55nm 是最佳選擇。純模擬趨于停留在 8 英寸先進(jìn)節(jié)點(diǎn)——通常是 180 和 150nm?!背墒熘瞥滩皇且怀刹蛔兊?。

一些晶圓廠通過(guò)改進(jìn)來(lái)吸引新設(shè)計(jì),從而為舊工藝注入新的活力。包括引入特定的晶體管設(shè)備來(lái)提高性能或最大限度地減少泄漏,縮小工藝以改善成本和工具利用率,增加特定的射頻功能或高電壓以實(shí)現(xiàn)混合信號(hào)系統(tǒng),或增加汽車級(jí)認(rèn)證。Chiplet技術(shù)的出現(xiàn)也影響了這些選擇。

理論上,人們不再需要將某些功能遷移到更先進(jìn)的節(jié)點(diǎn),只需將所有功能放在一個(gè)芯片上即可。

相反,只有真正需要先進(jìn)節(jié)點(diǎn)功能的部分才能移動(dòng)到那里,從而最大限度地減少昂貴節(jié)點(diǎn)的芯片尺寸。其余部分可以作為單獨(dú)的小芯片集成在封裝內(nèi)。盡管小芯片可以節(jié)省芯片成本,但先進(jìn)封裝成本必須降低才能實(shí)現(xiàn)凈成本節(jié)約。

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