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上次，介紹了《首臺（套）重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄（2024年版）》中介紹的硅外延爐，濕法清洗機，氧化爐，見文章：《聊聊國內(nèi)首臺重大技術(shù)裝備（1）》
這次來解讀一下目錄中提到的勻膠顯影機，光刻機及離子注入機。
勻膠顯影機，光刻機，離子注入機解讀
勻膠顯影機，也可以叫做track，一般勻膠顯影是集成在一起，而不是分開的。因此track機臺的主要功能包括光刻膠旋涂，烘烤，顯影，清洗等功能。光刻膠旋涂是將光刻膠以高速旋轉(zhuǎn)的方式均勻地涂布在晶圓表面；烘烤則是為了以去除光刻膠中的溶劑，穩(wěn)定光刻膠層，提高其附著力；顯影是為了去除正膠的曝光區(qū)域或負膠的未曝光區(qū)域。
國產(chǎn)的光刻機中有KrF光刻機與ArF光刻機。從目錄上看，KrF光刻機分辨率小于110nm，ArF光刻機小于65nm。這應(yīng)該是上海微電子的產(chǎn)品，至于ArF光刻機應(yīng)當是非浸沒式的。這兩款光刻機相對于主流機臺還落后不少，做IC芯片無法勝任，不過是可以應(yīng)用于MEMS，LED,先進封裝領(lǐng)域。量產(chǎn)光刻機可用的波長分別為：G線（436nm），i線（365nm），KrF（248nm），ArF（193nm），EUV（13nm）。G線和 i線屬于紫外線（UV），可以由汞燈，LED燈產(chǎn)生；KrF，ArF屬于深紫外線（DUV），分別由氟化氪準分子激光器，氟化氬準分子激光器產(chǎn)生；EUV是極紫外光，可以由激光等離子體產(chǎn)生。
離子注入機的種類繁多，如果按能量來分，有低能（＜100KeV）、中能(100～300KeV）、高能(300～1000KeV）和兆伏離子注入機（≥1000KeV）；按束流分，有小束流，中束流（1～2mA）和大束流。在目錄中看到了離子注入機的種類有高能離子注入機，低能離子注入機。高能離子注入機適用于深層摻雜，低能離子注入機適用于淺層摻雜或表面改性。由于集成電路制程已經(jīng)縮小至幾納米，源漏極的結(jié)深相應(yīng)減小，為了實現(xiàn)淺層摻雜，低能大束流日漸成為主流，其技術(shù)難度也最高。
國內(nèi)外廠家有哪些？
勻膠顯影機
國外：VEECO,TEL,DNS,ASAP,EVG,SUSS等
國內(nèi)：至純，芯源微，沈陽科儀等光刻機
國外：ASML,Nikon，Canon，VEECO，EVG,SUSS等
國內(nèi)：上海微電子等離子注入機
國外：AMAT,AXCELIS,ULVAC
國內(nèi):漢辰（臺灣），凱士通，爍科中科信等
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