本土功率器件上市公司營(yíng)收top10 | 2023年

功率器件是電力電子電路的重要組成部分，具有處理高電壓，大電流能力的半導(dǎo)體器件，其作用是在電路中控制電流、電壓和功率的分配。根據(jù)工作原理和材料結(jié)構(gòu)，功率器件主要分為二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT，功率模塊以及第三代半導(dǎo)體SiC、GaN器件等類型。

繼上期《本土電源管理芯片上市公司營(yíng)收top10 | 2023年》盤點(diǎn)后，本期與非網(wǎng)將聚焦本土功率器件上市公司，詳盡梳理本土功率器件上市公司的2023年?duì)I業(yè)收入規(guī)模和企業(yè)動(dòng)態(tài)。

根據(jù)與非網(wǎng)不完全統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，下圖為本土上市公司中2023年功率器件業(yè)務(wù)營(yíng)業(yè)收入規(guī)模top10的公司，其中士蘭微電子、揚(yáng)杰科技、華潤(rùn)微電子、斯達(dá)半導(dǎo)體、中車時(shí)代等公司的功率器件業(yè)務(wù)規(guī)模均高于30億元，排名靠前，處于國(guó)內(nèi)頭部梯隊(duì)。

注：各公司具體功率器件收入業(yè)務(wù)口徑詳見文末附錄，如有疑問，歡迎留言討論。

士蘭微電子

2023年士蘭微電子營(yíng)收為93.4億元，其中分立器件產(chǎn)品和IPM模塊的收入分別為48.32億元和19.83億元，分立器件業(yè)務(wù)收入較上年增長(zhǎng)8.18%。從下游應(yīng)用領(lǐng)域來看，2023年公司的分立器件和大功率模塊除了加快在大型白電、工業(yè)控制等市場(chǎng)拓展外，已開始加快進(jìn)入電動(dòng)汽車、新能源等市場(chǎng)；從細(xì)分品類來看，公司超結(jié)MOSFET、IGBT器件、IGBT大功率模塊（PIM）等產(chǎn)品的增長(zhǎng)較快，其中IGBT（含IGBT器件和PIM模塊）的營(yíng)業(yè)收入已達(dá)到14億元，較去年同期增長(zhǎng)140%以上。

過去一年，士蘭微電子在產(chǎn)品研發(fā)和市場(chǎng)開拓方面都取得顯著進(jìn)展：

• 完成V代IGBT和FRD芯片的技術(shù)升級(jí)，性能明顯提升，應(yīng)用于新一代的降本模塊和高性能模塊，已送用戶評(píng)測(cè)；完成多個(gè)電壓平臺(tái)的RC-IGBT產(chǎn)品的研發(fā)，將在汽車主驅(qū)、儲(chǔ)能、風(fēng)電、IPM模塊等領(lǐng)域中推廣使用；推出了SiC和IGBT的混合并聯(lián)驅(qū)動(dòng)方案（包括隔離柵驅(qū)動(dòng)電路）。
• 基于自主研發(fā)的V代IGBT和FRD芯片的電動(dòng)汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊，已在比亞迪、吉利、零跑、廣汽、匯川、東風(fēng)、長(zhǎng)安等國(guó)內(nèi)外多家客戶實(shí)現(xiàn)批量供貨；用于汽車的IGBT器件（單管）、MOSFET器件（單管）已實(shí)現(xiàn)大批量出貨；應(yīng)用于汽車主驅(qū)的IGBT和FRD芯片已在國(guó)內(nèi)外多家模塊封裝廠批量銷售；應(yīng)用于光伏的IGBT器件、逆變控制模塊、SiC MOS器件也實(shí)現(xiàn)批量出貨。
• 士蘭微電子在SiC方向也取得了不錯(cuò)的成績(jī)，公司已完成第Ⅲ代平面柵SiC-MOSFET技術(shù)的開發(fā)，基于自主研發(fā)的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生產(chǎn)的電動(dòng)汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊，已通過部分客戶測(cè)試，已在2024年一季度開始實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)和交付，預(yù)計(jì)全年應(yīng)用于汽車主驅(qū)的碳化硅PIM模塊的銷售額將達(dá)到10億元人民幣。同時(shí)，公司加快推進(jìn)“士蘭明鎵SiC功率器件芯片生產(chǎn)線”項(xiàng)目的建設(shè)，目前士蘭明鎵已形成月產(chǎn)6000片6吋SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力，預(yù)計(jì)2024年年底將形成月產(chǎn)12000片6吋SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力。

值得關(guān)注的是，公司正在加快汽車級(jí)IGBT芯片、SiC-MOSFET芯片和汽車級(jí)功率模塊（PIM）產(chǎn)能的建設(shè)，預(yù)計(jì)今后公司IGBT器件成品和芯片、PIM模塊（IGBT模塊和SiC模塊）等產(chǎn)品的營(yíng)業(yè)收入將快速成長(zhǎng)。

揚(yáng)杰科技

2023年揚(yáng)杰科技營(yíng)收為54.1億元，其中半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體芯片兩者合計(jì)收入為51.1億元，2023年公司光伏二極管、碳化硅產(chǎn)品、IGBT產(chǎn)品銷售同比大幅增長(zhǎng)。

過去一年，揚(yáng)杰科技多個(gè)重點(diǎn)研發(fā)項(xiàng)目取得進(jìn)展：基于Fabless模式的8吋、12吋平臺(tái)的Trench 1200V IGBT芯片，完成10A-200A全系列開發(fā)；在G2和G3平臺(tái)方面，成功開發(fā)應(yīng)用于變頻器、光儲(chǔ)、電源領(lǐng)域的多款I(lǐng)GBT芯片，對(duì)應(yīng)的PIM和6單元功率模塊1200V/10A-200A、半橋模塊50A-900A同步投放市場(chǎng)；瞄準(zhǔn)清潔能源，利用Trench Field Stop型IGBT技術(shù)，通過采用高密度器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以及先進(jìn)的背面加工工藝，顯著降低了器件飽和壓降和關(guān)斷損耗；新能源汽車PTC用1200V系列單管通過車規(guī)認(rèn)證，大批量交付客戶；光伏領(lǐng)域，成功研制1200V/160A、650V/400A和450A三電平IGBT模塊，并投放市場(chǎng)，同時(shí)著手開發(fā)下一代950V/600A三電平IGBT模塊；針對(duì)新能源汽車控制器應(yīng)用，重點(diǎn)解決了低電感封裝、多芯片均流、銅線互連、銀燒結(jié) 等關(guān)鍵技術(shù)，研制了750V/820A IGBT模塊、1200V/2mΩ三相橋SiC模塊。

另外，揚(yáng)杰科技持續(xù)增加對(duì)第三代半導(dǎo)體SiC、GaN功率器件等產(chǎn)品的研發(fā)和市場(chǎng)開拓。已開發(fā)上市G1、G2系SiC MOS產(chǎn)品，型號(hào)覆蓋650V/1200V/1700V 13mΩ-1000mΩ，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)批量出貨；同時(shí)開發(fā)了FJ、Easy Pack等系列SiC模塊產(chǎn)品。車載模塊方面，自主開發(fā)的車載SiC模塊已經(jīng)研制出樣，目前已經(jīng)獲得多家Tier1和終端車企的測(cè)試及合作意向，計(jì)劃于2025年完成全國(guó)產(chǎn)主驅(qū)碳化硅模塊的批量上車。

汽車電子是揚(yáng)杰科技的戰(zhàn)略大方向?；贔abless模式的8吋、12吋G2平臺(tái)40V SGT MOSFET芯片，針對(duì)汽車EPS、BCM、油泵、水泵等電機(jī)驅(qū)動(dòng)類應(yīng)用，完成0.6mR-7mR系列布局，部分客戶測(cè)試通過并進(jìn)入批量階段；N60V/N100V/N150V/P100V完成了車規(guī)級(jí)芯片開發(fā)，針對(duì)車載DC-DC、無線充電、車燈、負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用，多款產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)。

值得關(guān)注的是，揚(yáng)杰科技作為老牌功率器件企業(yè)，其二極管業(yè)務(wù)占比較大，但近年來持續(xù)發(fā)力高附加值的品類，目前公司正在構(gòu)建功率器件MOSFET、IGBT、SiC解決方案類型的技術(shù)銷售能力，為戰(zhàn)略客戶提供技術(shù)解決方案。

華潤(rùn)微電子

2023年華潤(rùn)微電子營(yíng)收為99.01億元，其子公司無錫華潤(rùn)華晶微電子、華潤(rùn)微電子（重慶）主營(yíng)功率器件，合計(jì)收入為38億元。華潤(rùn)微電子的產(chǎn)品與方案板塊下游終端應(yīng)用主要圍繞四大領(lǐng)域，泛新能源領(lǐng)域（車類及新能源）、消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備、通信設(shè)備分別占比39%、34%、16%、11%。

過去一年，華潤(rùn)微電子在多個(gè)功率器件品類上實(shí)現(xiàn)了顯著的突破和進(jìn)步：

MOSFET產(chǎn)品：通過8吋特色化和12吋技術(shù)先進(jìn)性以及封測(cè)資源優(yōu)勢(shì)推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新迭代和產(chǎn)品系列化開發(fā)，全年完成35顆MOSFET產(chǎn)品車規(guī)認(rèn)證并至汽車客戶終端批量供應(yīng)。中低壓MOS全產(chǎn)品平臺(tái)拓展AEC-Q101能力，12吋中低壓MOS產(chǎn)品開發(fā)、送樣順利推進(jìn)并實(shí)現(xiàn)批量供貨；高壓超結(jié)MOS G4平臺(tái)，達(dá)到國(guó)際頭部企業(yè)最新量產(chǎn)產(chǎn)品同等水平，12吋深槽工藝預(yù)研也在有序推進(jìn)。

IGBT產(chǎn)品：IGBT產(chǎn)品線收入近7億元。持續(xù)推進(jìn)“晶圓8吋化、封裝模塊化、應(yīng)用高端化”，12吋高端IGBT預(yù)研能力建設(shè)有序快速推進(jìn)。目前工業(yè)（含光伏）領(lǐng)域銷售占比提升至70%以上，汽車市場(chǎng)頭部客戶合作更加深入。

SiC產(chǎn)品：SiC JBS G2平臺(tái)已完成650V和1200V系列共計(jì)40余顆產(chǎn)品開發(fā)，在多家光伏/充電樁等領(lǐng)域頭部客戶實(shí)現(xiàn)規(guī)模交付；功率密度水平達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先的SiC JBS G3 650V平臺(tái)完成開發(fā)，產(chǎn)品得到客戶認(rèn)可并進(jìn)入系列化；SiC MOS在新能源汽車OBC、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)多個(gè)客戶批量出貨，在碳化硅產(chǎn)品銷售中的比例逐步提升至60%以上。

GaN產(chǎn)品：GaN功率器件以D-mode產(chǎn)業(yè)化、E-mode預(yù)研儲(chǔ)備為路徑，在通訊、工控、照明和快充等領(lǐng)域與近十家行業(yè)頭部客戶開展合作，進(jìn)入批量供應(yīng)階段。目前已完成25顆產(chǎn)品開發(fā)，二代產(chǎn)品部分已通過工業(yè)級(jí)考核，針對(duì)工控和通訊領(lǐng)域的三代產(chǎn)品芯片能量密度明顯提升，封裝體積明顯減小。

功率產(chǎn)品模塊：IGBT模塊、IPM模塊、TMBS模塊、MOSFET模塊的市場(chǎng)推廣上取得顯著成效，整體規(guī)模增長(zhǎng)1.45倍。公司功率產(chǎn)品模塊化將進(jìn)一步匹配高端應(yīng)用、高端客戶需求。

斯達(dá)半導(dǎo)體

2023年斯達(dá)半導(dǎo)體營(yíng)收為36.63億元，其中IGBT模塊和其他產(chǎn)品（IGBT單管為主）合計(jì)收入36.4億元。斯達(dá)半導(dǎo)體致力于IGBT、快恢復(fù)二極管、MOSFET等功率芯片的設(shè)計(jì)和工藝及IGBT、SiC?MOSFET等功率模塊的設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源、工業(yè)控制和電源行業(yè)、變頻白色家電及其他行業(yè)，三者營(yíng)業(yè)收入分別為：21.6億元、12.8億元和2億元。

新能源領(lǐng)域：基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)的750V車規(guī)級(jí)IGBT模塊大批量裝車，1200V車規(guī)級(jí)IGBT模塊新增多個(gè)800V系統(tǒng)車型的主電機(jī)控制器項(xiàng)目定點(diǎn)；應(yīng)用于新能源汽車主控制器的車規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊大批量裝車應(yīng)用，同時(shí)新增多個(gè)使用車規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊的800V系統(tǒng)主電機(jī)控制器項(xiàng)目定點(diǎn)；基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)的IGBT模塊在地面光伏電站和大型儲(chǔ)能批量裝機(jī)，并在北美等海外電站批量裝機(jī)；1200V 650V大電流單管已大批量應(yīng)用于工商業(yè)光伏和儲(chǔ)能。

工業(yè)控制和電源行業(yè)：目前已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)多家頭部變頻器企業(yè)IGBT模塊的主要供應(yīng)商，正式進(jìn)入工控行業(yè)多家國(guó)際企業(yè)的供應(yīng)商。斯達(dá)半導(dǎo)體將充分利用650V/750V、1200V、1700V自主芯片產(chǎn)品的性能優(yōu)勢(shì)、成本優(yōu)勢(shì)、交付優(yōu)勢(shì)，在變頻器、電焊機(jī)、電梯控制器、伺服器、電源等領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力。

對(duì)于未來的研發(fā)方向，年報(bào)顯示，斯達(dá)半導(dǎo)體將圍繞新一代IGBT技術(shù)、高壓IGBT以及車規(guī)級(jí)SiC功率器件方面展開：

• 加速公司下一代IGBT芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化持續(xù)加大芯片研發(fā)力度，豐富基于第七代微溝槽Trench FieldStop技術(shù)的IGBT芯片以及和相匹配的快恢復(fù)二極管芯片的產(chǎn)品系列。
• 利用公司第六代Fieldstop Trench芯片平臺(tái)及大功率模塊生產(chǎn)平臺(tái)，推出應(yīng)用于軌道交通和輸變電等行業(yè)的3300V-6500V高壓IGBT產(chǎn)品。
• 開發(fā)出更多符合市場(chǎng)需求的車規(guī)級(jí)SiC功率模塊，并加大SiC功率芯片的研發(fā)力度，繼續(xù)推出符合市場(chǎng)需求的自主的車規(guī)級(jí)SiC芯片。

中車時(shí)代電氣

2023年中車時(shí)代電氣營(yíng)收為224.53億元，其中功率半導(dǎo)體器件收入為31.08億元。公司的IGBT模塊產(chǎn)品型譜覆蓋高中低壓全電壓等級(jí)，2023年IGBT裝車100多萬輛，其中海外新能源汽車IGBT模塊交付十幾萬套。

公司在投資者調(diào)研紀(jì)要上表示：2023年公司電網(wǎng)IGBT和軌交IGBT市場(chǎng)，快速增長(zhǎng)，且高壓IGBT產(chǎn)能是完全夠用。2024年半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的主要營(yíng)收還是來自雙極器件和IGBT，其中低壓IGBT主要是針對(duì)新能源汽車和光伏這兩個(gè)領(lǐng)域發(fā)力。低壓IGBT產(chǎn)能方面，全力推進(jìn)宜興產(chǎn)線投產(chǎn)，今年下半年開始試生產(chǎn)，株洲現(xiàn)有產(chǎn)線（IGBT一期、IGBT二期）通過進(jìn)一步提升瓶頸工序、提升良率，產(chǎn)能還有一定提升。

研發(fā)方面，中車時(shí)代電氣2023年年報(bào)披露關(guān)于功率半導(dǎo)體器件方向的在研項(xiàng)目主要有：新一代3300V等級(jí)高功率密度模塊，以替代原電壓等級(jí)模塊，降低通態(tài)壓降，提高功率密度，為軌交變流器功率密度提升和輕量化開發(fā)提供支撐；面向光伏的8款U系列IGBT模塊，滿足市場(chǎng)主流225/320kW組串光伏逆變器，助力新能源光伏的發(fā)展。

附錄：