15億、6萬片！新車規(guī)級SiC項目開工

12月18日，據(jù)“徐州高新發(fā)布”官微消息，漢軒微電子車規(guī)級功率器件制造項目已正式開工建設。

公告透露，該項目總投資約15億元，占地面積68.8畝，總建筑面積約8萬平方米，潔凈室面積約1.4萬平方米，將打造一座專注于車規(guī)級功率器件的晶圓代工廠，可滿足6到8英寸晶圓的生產需求。

項目規(guī)劃SiC MOS、VDMOS、SBD、FRD、SGT、IGBT等多個工藝代工平臺，投產后月產能可達6萬片，年銷售收入約13.8億元。項目建成后將進一步完善本地半導體產業(yè)鏈布局，有力推動車規(guī)級功率器件國產化進程。

官網進一步介紹，該項目由漢軒微電子與乂易半導體聯(lián)合發(fā)起，公司擁有SiC功率器件、BGBM化鍍工藝、Multi-EPI工藝等多項成熟產品及技術，團隊自有專有技術超過百項。本項目將積極推動設備、材料國產化，首條產線使用的國產設備預計超過20%，在生產原材料方面，預計國產化率將超過90%，

漢軒微電子董事長李雨庭表示，目前國內車規(guī)半導體器件供應受到嚴重挑戰(zhàn)，通過在高新區(qū)的投資建廠，漢軒微電子將助力國產車規(guī)級功率器件發(fā)展，打破國外對車規(guī)級芯片和相關技術的壟斷。

企查查顯示，漢軒微電子成立于2023年3月，注冊資本為1億元，控股方為芯想半導體。芯想半導體成立于2023年10月，注冊資本為0.5億元，但隨后向漢軒微電子投資9100萬，持股比例達91%。這兩家公司的法定代表皆為同一人，此外，該名人士也參與了對乂易半導體的投資，持股比例占31%。

值得關注的是，2023年10月，乂易半導體與徐州高新區(qū)政府簽約無錫乂易車規(guī)級功率器件制造項目，總投資約11億元，計劃年產SiC SBD、GaN、SiC MOS等共計約36萬片，項目完全達產后，預計年銷售收入約11.5億元。