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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)的第3代SiC肖特基二極管（以下簡稱“SBD”）成功應(yīng)用于Murata Power Solutions的產(chǎn)品上。Murata Power Solutions是電子元器件、電池、電源領(lǐng)域的日本著名制造商——村田制作所集團旗下的一家企業(yè)。ROHM的高速開關(guān)SiC SBD產(chǎn)品“SCS308AH”此次成功應(yīng)用于Murata Power Solutions的數(shù)據(jù)中心電源模塊“D1U系列”，并且為該系列產(chǎn)品的性能提升和尺寸的小型化做出了貢獻。
近年來，隨著以AI（人工智能）和AR（增強現(xiàn)實）等技術(shù)為代表的IoT領(lǐng)域的發(fā)展，全球數(shù)據(jù)通信量正在不斷增長。特別是對于負責(zé)進行通信管理的數(shù)據(jù)中心而言，其服務(wù)器的小型化和效率提升已經(jīng)成為困擾各制造商的技術(shù)難題。在這種背景下，SiC功率器件因其有助于實現(xiàn)電源部分的小型化和高效化而備受期待。
Dr. Longcheng Tan, Senior Electrical Engineer and project leader, Murata Power Solutions表示：“通過使用SiC功率器件，可以開發(fā)出效率更高、功率密度更高的電源產(chǎn)品。同時，SiC功率器件還可以提高開關(guān)頻率，因而可以減少無源元件和散熱件的體積。村田制作所集團內(nèi)部設(shè)有專門負責(zé)對SiC器件制造商及其產(chǎn)品進行評估的部門，我們此次之所以選擇ROHM，除了ROHM產(chǎn)品的可靠性高以外，還在于ROHM的服務(wù)支持非常迅速，從試制階段開始就能提供樣品。此外，我們正在開發(fā)的三相逆變器中也使用了ROHM的SiC MOSFET，相關(guān)產(chǎn)品可以滿足我們的性能要求?！?/p>
Jay Barrus, President, ROHM Semiconductor U.S.A.,LLC表示：“能夠為電源系統(tǒng)等工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)——Murata Power Solutions提供支持，我由衷地感到高興。ROHM是SiC功率元器件的領(lǐng)軍企業(yè)，在業(yè)內(nèi)率先提供先進的元器件技術(shù)和驅(qū)動IC等產(chǎn)品相結(jié)合的電源解決方案，并取得了驕人的業(yè)績。今后，ROHM將繼續(xù)與Murata Power Solutions攜手，通過面向工業(yè)以及數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域盡可能地深挖SiC技術(shù)潛力，從而進一步提升電源系統(tǒng)的能效?！?/p>
