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    • 深掘新基建需求——高可靠、定制化
    • 如何持續(xù)縮短與國際先進(jìn)水平差距?
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基本半導(dǎo)體:SiC規(guī)模替換拐點(diǎn)可能提前來臨

2020/11/07
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近日,在慕尼黑華南電子展上,基本半導(dǎo)體技術(shù)營銷副總監(jiān)劉誠做客<與非網(wǎng)>深度對話直播間,就 SiC 器件的主要應(yīng)用方向、發(fā)展機(jī)遇等話題進(jìn)行了深入分享。劉誠談到,目前 SiC 產(chǎn)業(yè)整體處于高增長態(tài)勢,但就國內(nèi)市場來說,仍以國外進(jìn)口為主,國產(chǎn)占比約在 5%以下,有較大的市場潛能有待深入挖掘。目前工業(yè)是 SiC 器件的主要應(yīng)用領(lǐng)域,未來最大的應(yīng)用方向會是新能源汽車。

據(jù)介紹,基本半導(dǎo)體專注于 SiC 設(shè)計(jì)及生產(chǎn),從工業(yè)到新能源汽車實(shí)現(xiàn)了完整的產(chǎn)業(yè)鏈布局。產(chǎn)品主要包括 SiC MOSFET 二極管功率器件,以及車規(guī)級 SiC 全套功率模塊,主要用于新能源汽車電機(jī)控制器。在 MOSFET 二極管方面,基本半導(dǎo)體定位于保持國內(nèi)領(lǐng)先水平,并在國際上保持較強(qiáng)的競爭力;在車規(guī)級功率模塊方面,將會一直保持較高投入,逐漸縮小與國際先進(jìn)水平的差距,引領(lǐng)國產(chǎn) SiC 器件在國內(nèi)新能源汽車上的應(yīng)用趨勢。

SiC 器件規(guī)模替換拐點(diǎn)何時(shí)來臨?

劉誠認(rèn)為,SiC 與 Si 器件相比,性能優(yōu)勢是顯著的,只是由于成本問題,早期多用于高端領(lǐng)域,不過近年來隨著成本的持續(xù)降低,已經(jīng)能在更多領(lǐng)域與 Si 器件進(jìn)行 PK 了。這個(gè) PK 的底氣是什么?就是系統(tǒng)成本,主要體現(xiàn)在:一是適用于高頻型應(yīng)用,能夠使系統(tǒng)效率更高;二是提升功率密度,減少系統(tǒng)中無源元件的應(yīng)用,比如電感、電容等,這些元件的節(jié)省可以帶來總體系統(tǒng)的成本降低、體積縮小。對于用戶來說,如果取得總體系統(tǒng)成本的平衡,就有了替換的動力,如新能源汽車的電機(jī)、電池效率的提升,達(dá)到一個(gè)平衡點(diǎn)時(shí),就是 SiC 大規(guī)模替換的契機(jī)。

至于拐點(diǎn)何時(shí)來臨?以 SiC 二極管為例,之前有預(yù)測認(rèn)為,2023 年,它將實(shí)現(xiàn)硅基二極管的替代規(guī)格,價(jià)格區(qū)間約能做到硅基器件的 2.5-3 倍。劉誠說,通過和產(chǎn)業(yè)的多方面接觸來看,可能在明年或后年就能進(jìn)入這個(gè)價(jià)格區(qū)間。整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的資源投入,促使成本降低的速度超出預(yù)期,拐點(diǎn)可能提前到來。

深掘新基建需求——高可靠、定制化

“新基建的六大領(lǐng)域都與 SiC 相關(guān),給 SiC 市場帶來了巨大機(jī)遇。但與此同時(shí),也要看到面臨的挑戰(zhàn),應(yīng)用終端對于 SiC 品質(zhì)要求很高,國產(chǎn)占比并不高”,劉誠談到,“如何進(jìn)入高端市場的供應(yīng)商體系中,除了要有優(yōu)良的設(shè)計(jì),還要有非常好的產(chǎn)品可控能力,可靠性是非常重要的一步。就基本半導(dǎo)體來說,設(shè)計(jì)都是按照車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)來進(jìn)行的,能夠通過車規(guī)級的可靠性測試驗(yàn)證之后,產(chǎn)品品質(zhì)就達(dá)到了較高的水平。”

此外,技術(shù)提升后,最終還是要和市場去結(jié)合,這就必須深挖市場需求,驗(yàn)證器件是否高度符合。通常國內(nèi)廠商在這方面有所欠缺,這也是未來需要持續(xù)提升的方向。

劉誠還強(qiáng)調(diào)了定制化設(shè)計(jì)的重要性。以光伏市場為例,一些國外品牌設(shè)計(jì)能力很強(qiáng),但他們在設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí),通常是一個(gè)通用版本滿足大約 70%-80%的市場需求,很少進(jìn)行定制化設(shè)計(jì)。與之相比,國內(nèi)廠商的優(yōu)勢就在于貼近市場、貼近用戶,能夠針對特定需求進(jìn)行定制化設(shè)計(jì),這是國產(chǎn)器件進(jìn)入高端領(lǐng)域時(shí)要牢牢抓住的著力點(diǎn)。

如何持續(xù)縮短與國際先進(jìn)水平差距?

對于我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言,目前最為“卡脖子”的環(huán)節(jié)可以說是工藝。那么在這一現(xiàn)狀下,第三代半導(dǎo)體如何不斷縮小與國際先進(jìn)水平的差距?

“一方面要看到差距確實(shí)存在,另一方面未來的發(fā)展也值得期待,”劉誠談到,“相對于集成電路的工藝要求,第三代半導(dǎo)體在精度方面的要求并沒有那么高,因此在這個(gè)瓶頸環(huán)節(jié)相對有一定的空間。目前產(chǎn)業(yè)最需要加大投入的是人才,不過,國家已經(jīng)開始充分重視這些問題,企業(yè)也投入資源建設(shè)工廠?;诠S的產(chǎn)能、質(zhì)量管控提升以及人才的加大投入,輔以一定的發(fā)展周期,就會形成正向循環(huán),一旦規(guī)模應(yīng)用之后,發(fā)展速度將更快。”

目前在 SiC 產(chǎn)線的布局上,國際廠商基本完成了從 4 寸到 6 寸的批量切換,在技術(shù)、產(chǎn)品領(lǐng)先的基礎(chǔ)上,成本得以進(jìn)一步降低,在市場競爭中更有主導(dǎo)權(quán)。劉誠表示,對于國內(nèi)廠商來說,切換到 6 寸也是必然趨勢?;景雽?dǎo)體以 4 寸為主,6 寸小批量量產(chǎn),年底即將完成從 4 寸到 6 寸的批量切換,此外還布局了 6 寸外延片廠、晶圓廠,預(yù)計(jì)明年會實(shí)現(xiàn)平穩(wěn)量產(chǎn),制造能力將在國內(nèi)市場處于領(lǐng)先。

在基本半導(dǎo)體的最新一輪融資中,有中車時(shí)代的資本注入,這將帶來哪些助力?劉誠表示,除去資金支持之外,中車時(shí)代有豐富的 SiC 應(yīng)用場景,包括軌道交通、新能源汽車等等,這在整個(gè)平臺之上能夠形成互利互惠的效應(yīng),進(jìn)一步增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)的整體信心。

傳統(tǒng)行業(yè)之外,SiC 明年有望迎來爆點(diǎn)級應(yīng)用

談到今年 SiC 產(chǎn)業(yè)的總體發(fā)展情況,劉誠認(rèn)為疫情、5G、新基建所帶來的挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存,5G 尤其給整個(gè)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來利好。首先 5G 將加速推動萬物互聯(lián)特別是車聯(lián)網(wǎng)的實(shí)現(xiàn),與車相關(guān)的無一例外都需要高效、高功率密度的產(chǎn)品,包括電機(jī)控制器、車載電源、高壓 DC-DC 等;5G 還將帶來更大量的數(shù)據(jù)處理,因此數(shù)據(jù)中心需要擴(kuò)容,也需要提高服務(wù)器電源的功率密度;此外,小基站數(shù)量會成倍增長,帶來大量電能需求,也對高功率密度產(chǎn)品產(chǎn)生需求;還有充電樁,未來既可以儲能也可能是萬物互聯(lián)的入口之一,在直流快充 / 直流輸電方面,都是 SiC 器件的快速增長點(diǎn)。

明年是否會出現(xiàn)爆點(diǎn)級應(yīng)用?劉誠認(rèn)為,消費(fèi)級市場可能會是一個(gè)新的增長點(diǎn)?,F(xiàn)在一些消費(fèi)電子充電功率在向大功率發(fā)展,需要一個(gè)適配器去配多個(gè)電源帶多路設(shè)備。如果一個(gè)充電器能帶多個(gè)電源,而且充電速度快、體積小、重量輕,這樣的產(chǎn)品其實(shí)是非常有吸引力的。今年下半年一部分廠商已經(jīng)在消費(fèi)電子 PD 快充中用到了 SiC 器件,這個(gè)市場非常值得期待,可能會是傳統(tǒng)行業(yè)之外的爆點(diǎn)。
 

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與非網(wǎng)資深行業(yè)分析師。主要關(guān)注人工智能、智能消費(fèi)電子等領(lǐng)域。電子科技領(lǐng)域?qū)I(yè)媒體十余載,善于縱深洞悉行業(yè)趨勢。歡迎交流~