SOI

• SOI晶圓的結(jié)構(gòu)、分類、優(yōu)勢、下游應(yīng)用
  

  1. 什么是SOI技術(shù)？SOI（Silicon-On-Insulator）是一種半導(dǎo)體制造技術(shù)，其中硅晶圓的一部分被絕緣層（通常是二氧化硅）隔離開來，這樣可以有效地減少寄生電容和漏電流，提升器件性能。

  老虎說芯

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  09/02 08:34

  SOI SOI技術(shù)
• 硅片和SOI哪個研究方向更好？
  硅片是半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)，絕大多數(shù)的芯片都是在硅片上制造的。SOI（silicon on insulator?）利用絕緣層將單晶硅薄膜與單晶硅片隔離開來。與單晶硅片相比，SOI可以減少寄生電容，漏電流等，是一項比較前沿的技術(shù)。

  TOM聊芯片智造

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  05/06 11:05

  硅片 SOI
• SEMI SOI 國際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟宣布新任領(lǐng)導(dǎo)層和理事會，并公布最新活動
  

  SEMI（國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會）旗下的技術(shù)社區(qū) SEMI SOI 國際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（SOIIC）正式宣布新任領(lǐng)導(dǎo)層和理事會成員。此外，SEMI SOI 國際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟還公布了即將舉行的最新 SOI 相關(guān)活動，活動主要面向芯片設(shè)計和開發(fā)者，以及 SOI 生態(tài)中的材料及設(shè)備廠商。 Soitec 現(xiàn)場技術(shù)負(fù)責(zé)人 Patrick Martin 先生當(dāng)選為 SEMI SOI 國際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟主席；格芯產(chǎn)品管理副總裁 J

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  2023/09/07

  半導(dǎo)體 SEMI
• 英飛凌推出CIPOS? Mini IM523系列智能功率模塊，提升中低功率驅(qū)動應(yīng)用的性能和可靠性
  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了IM523系列高效智能功率模塊（IPM），進(jìn)一步壯大其CIPOS? Mini家族的產(chǎn)品陣容。

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  2022/10/31

  英飛凌 Infineon
• 如何借助高均勻性的 SOI 優(yōu)化襯底在 MEMS 中實現(xiàn)多種設(shè)計創(chuàng)新？
  微機(jī)電系統(tǒng) (Micro-Electro-Mechanical Systems, MEMS) 是迄今最具潛力的 CMOS 傳感器與驅(qū)動器電子器件集成解決方案。通過在 200mm 的單晶頂層硅下提供氧化埋層，SOI 襯底能夠為創(chuàng)新的 MEMS 器件設(shè)計提供更多可能。

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  2022/04/21

  mems CMOS
• X-FAB宣布升級其襯底耦合分析工具，將BCD-on-SOI工藝納入其中
  全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，擴(kuò)展其SubstrateXtractor工具應(yīng)用范圍，讓用戶可以借助這一工具檢查不想要的襯底耦合效應(yīng)。

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  2022/04/21

  晶圓代工廠 X-FAB
• pSemi推出業(yè)界首款支持高達(dá)67GHz頻段的5G毫米波開關(guān)
  村田旗下公司、專注于半導(dǎo)體集成技術(shù)的pSemi? Corporation推出業(yè)界首款用于支持高達(dá)67 GHz的高頻應(yīng)用的單刀四擲開關(guān)，進(jìn)一步擴(kuò)大該公司旗下的射頻 SOI產(chǎn)品組合。

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  2022/03/22

  轉(zhuǎn)換器 頻段
• 硅光子賦能量子計算和光神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，助飛計算新時代
  在過去二十年間，絕緣體上硅（SOI）襯底技術(shù)一直是硅光子集成電路的重要基石。SOI 不僅助力硅光子在數(shù)據(jù)中心互連領(lǐng)域獲得商業(yè)成功，也助推了高速光收發(fā)器的大規(guī)模應(yīng)用。

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  592

  2022/03/22

  集成電路 硅光子
• 上海微系統(tǒng)所在硅基碳化硅異質(zhì)集成XOI領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
  與非網(wǎng)訊 近日，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所歐欣團(tuán)隊和華東師范大學(xué)合作，采用高質(zhì)量碳化硅（SiC）薄膜與氧化硅襯底高強度異質(zhì)集成方法，結(jié)合飛秒激光光刻技術(shù)，驗證了極低光學(xué)損耗的硅基碳化硅單晶薄膜（SiCOI）

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  2021/07/23

  SiC 碳化硅
• 從Soitec年度展望看半導(dǎo)體材料發(fā)展動向
  半導(dǎo)體行業(yè)正在面臨新的挑戰(zhàn)，包括性能、功耗、尺寸和上市時間，眼前的挑戰(zhàn)是如何超越摩爾定律，包括建立新型體系架構(gòu)，搭建包括3D在內(nèi)的新型器件結(jié)構(gòu)，研發(fā)出合適的新型材料，找到縮減尺寸的新方法及滿足需求的先進(jìn)的封裝技術(shù)。

  陸楠

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  2021/03/09

  與非觀察 半導(dǎo)體材料
• 芯報丨高通將收購NUVIA
  聚焦:人工智能、芯片等行業(yè)

  AI芯天下

  75

  2021/01/18

  集成電路 高通
• RF-SOI 需求增大，供應(yīng)商表現(xiàn)亮眼
  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷2019上半年的衰退后，下半年在庫存逐漸去化及市場需求旺季效應(yīng)下情況略顯好轉(zhuǎn)，也讓供應(yīng)鏈廠商期望2020年能迎來市場需求的反轉(zhuǎn)。

  拓墣產(chǎn)業(yè)研究

  103

  2019/11/22

  LTE 5G商用
• 三大SOI生成方法，以Smart-Cut技術(shù)獨步群雄
  由于半導(dǎo)體發(fā)展趨勢，在相同晶圓面積下填入更多晶體管，勢必使線寬逐漸微縮，但尺寸微縮卻有限制，其閘極線寬極限約在3～5nm間(線寬愈小則電阻值愈大)，使得科學(xué)家試圖找尋在不微縮線寬尺寸下，如何以相同的制程方式提升元件效率，突破摩爾定律限制，而SOI(Silicon on Insulator)硅晶絕緣體技術(shù)，即為解決方法之一。

  拓墣產(chǎn)業(yè)研究

  403

  2019/05/15

  晶體管 SOI

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