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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲(chǔ)成本、提高存儲(chǔ)容量。

NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲(chǔ)成本、提高存儲(chǔ)容量。收起

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    核心觀點(diǎn) 受益于AI基礎(chǔ)設(shè)施投資的持續(xù)推動(dòng),2025年5月整體存儲(chǔ)器件的需求在向好,HBM以及LDDDR5需求強(qiáng)烈,預(yù)計(jì)維持至少一整年; 得益原廠減產(chǎn)以及數(shù)月來持續(xù)的庫存消耗,存儲(chǔ)庫存逐步維持平衡,但HBM以及LDDDR5仍供不應(yīng)求; 受傳統(tǒng)消費(fèi)終端季節(jié)性疲軟影響,低端存儲(chǔ)價(jià)格穩(wěn)定,但受益于AI設(shè)施及AI應(yīng)用的推動(dòng),HBM、LDDDR5以及LPDDR4價(jià)格維持高位甚至略漲。 三大維度解讀存儲(chǔ)器件最
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