MRAM

• MRAM，新興的黑馬
  

  1956 年，IBM推出世界上第一個硬盤驅(qū)動器——RAMAC 305，可以存儲 5MB 的數(shù)據(jù)，傳輸速度為 10K/s。雖然這款硬盤體積巨大如同兩臺冰箱，重量超過一噸，但是卻標(biāo)志著磁盤存儲時代的開始。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

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  10/15 11:15

  dram MRAM
• 北京航空航天大學(xué)副校長趙巍勝：MRAM最新進(jìn)展及未來發(fā)展趨勢
  

  近日，北京航空航天大學(xué)黨委常委、副校長趙巍勝，分享了MRAM最新進(jìn)展及未來發(fā)展趨勢。MRAM的前身是磁存儲，其是人工智能時代的根技術(shù)，如今數(shù)據(jù)中心中有70%以上的數(shù)據(jù)依舊保存其中。十年前就有不少專家認(rèn)為未來磁存儲將被SSD完全取代，然而十年后，磁存儲依舊是最重要的存儲技術(shù)。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

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  10/08 11:55

  存儲技術(shù) MRAM
• 下一個“黑馬”賽道，MRAM存儲器市場蠢蠢欲動
  

  據(jù)日經(jīng)新聞網(wǎng)報道，近期晶圓代工廠商力積電（PSMC）傳出將和日本新創(chuàng)企業(yè)合作，目標(biāo)在2029年量產(chǎn)MRAM，將利用力積電計劃在日本興建的晶圓廠第2期工程產(chǎn)線進(jìn)行量產(chǎn)。根據(jù)報道，東北大學(xué)長年來持續(xù)研究MRAM，而PowerSpin將提供MRAM IP給力積電，力積電在推動研究、試產(chǎn)后，目標(biāo)在2029年開始進(jìn)行量產(chǎn)，期待可應(yīng)用于生成式AI數(shù)據(jù)中心。

  全球半導(dǎo)體觀察

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  02/18 09:04

  存儲器 存儲市場
• 巨頭押注，MRAM開始爆發(fā)
  

  存儲技術(shù)發(fā)展更迭50年，逐漸形成了SRAM、DRAM及Flash這三大主要領(lǐng)域。但是隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)持續(xù)朝更小的技術(shù)節(jié)點邁進(jìn)，傳統(tǒng)的DRAM和NAND Flash開始面臨越來越嚴(yán)峻的微縮挑戰(zhàn)；再加上由于這些存儲技術(shù)與邏輯計算單元之間發(fā)展速度的失配，嚴(yán)重制約了計算性能和能效的進(jìn)一步提升。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  2590

  02/01 09:30

  存儲市場 存儲技術(shù)

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