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MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱上包括NMOS、PMOS等。

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    2024年，全球極端天氣頻發(fā)，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風(fēng)、干旱等災(zāi)害比往年更加嚴重。在此背景下，推動社會的綠色低碳轉(zhuǎn)型，提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識。在經(jīng)濟社會踏“綠”前行的過程中，第三代半導(dǎo)體尤其是碳化硅作為關(guān)鍵支撐，如何破局飛速發(fā)展的市場與價格戰(zhàn)的矛盾，除了當下熱門的新能源汽車應(yīng)用，如何在工業(yè)儲能等其他應(yīng)用市場多點開花？在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會上，英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)
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    在電力電子應(yīng)用中，功率密度固然重要，但可靠性也同樣至關(guān)重要，甚至在某些應(yīng)用中可能更為關(guān)鍵。盡管工程師通常專注于性能局限性問題，但可能導(dǎo)致計劃外停機或維修的實際故障則較難接受，因為它們可能會對業(yè)務(wù)產(chǎn)生不可預(yù)見的重大影響。因此，溝槽技術(shù)的潛力需要進行更全面的評估。雖然溝槽技術(shù)有望成為電力電子工程工具箱的標準配置，事實上也已經(jīng)被采納使用，但采用這種技術(shù)的人對其提供可靠性能的能力還抱有相當多的"大膽一試"的想法。
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    作者：Karl Audison Cabas，產(chǎn)品應(yīng)用開發(fā)工程師 Ralph Clarenz Matocinos，產(chǎn)品應(yīng)用開發(fā)助理工程師 Christian Cruz，產(chǎn)品應(yīng)用高級工程師 摘要 本文探討了在系統(tǒng)級應(yīng)用中實施熱插拔控制器的優(yōu)勢和好處。熱插拔控制器提供了一種先進的解決方案，可無縫插入和拔出電子設(shè)備，確保持續(xù)運行、防止過流并進行實時監(jiān)測。通過提供參考設(shè)計，用戶可以更好地了解關(guān)鍵功能，從而增
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    Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率密度和優(yōu)越性能。創(chuàng)新型銅夾片設(shè)計能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色，因此這些器件非常適合電機控制、電源、可再生能源系統(tǒng)和其他耗電應(yīng)用。該系列還包括專為AI服務(wù)器熱插拔功能設(shè)計的特定應(yīng)用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項，可實現(xiàn)高功率密度和可靠的解決方案。所有器件封裝均已在JEDEC注冊，并配備Nexperia交互式數(shù)據(jù)手冊，便于無縫集成。
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    意法半導(dǎo)體 L99MH98 8通道柵極驅(qū)動引入專利技術(shù)，可構(gòu)建沒有電流檢測電阻的直流電機驅(qū)動設(shè)計，從而降低耗散功率和物料成本。 L99MH98 能夠獨立控制四路全橋預(yù)驅(qū)或八路半橋預(yù)驅(qū)或八路高邊/低邊預(yù)驅(qū)，適用于驅(qū)動電動座椅、天窗、側(cè)滑門和電動尾門等直流電機應(yīng)用。L99MH98內(nèi)置電荷泵，可用于驅(qū)動反接保護 MOSFET。 L99MH98最大柵極驅(qū)動電流可達120mA, 柵極驅(qū)動能力可配置，滿足驅(qū)動
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    愛仕特內(nèi)絕緣型 SiC MOSFET：高效能應(yīng)用的創(chuàng)新驅(qū)動引擎
    愛仕特近期推出了1200V和1700V兩款內(nèi)絕緣型TO-247-4封裝的SiC MOSFET。這些創(chuàng)新產(chǎn)品在保持標準封裝尺寸，通過內(nèi)置陶瓷片優(yōu)化了絕緣和導(dǎo)熱性能，背面散熱器做了懸浮電位設(shè)計，減少了外部絕緣材料依賴，降低了材料老化導(dǎo)致的長期運行故障風(fēng)險，增強了產(chǎn)品可靠性和耐用性。
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    12/04 07:55
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    意法半導(dǎo)體推出了標準閾值電壓 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸娀鏈喜蹡偶夹g(shù)的優(yōu)勢和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場景。 工業(yè)級晶體管STL300N4F8 和 車規(guī)晶體管STL305N4F8AG 的額定漏極電流高于300A，最大導(dǎo)通電阻 RDS(on)為1mΩ，可在高功率應(yīng)用中實現(xiàn)出色的能效。動態(tài)性能得到了改進，65nC(典型值)

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