MOSFET

• 英飛凌：30年持續(xù)領(lǐng)跑碳化硅技術(shù)，成為首選的零碳技術(shù)創(chuàng)新伙伴
  

  2024年，全球極端天氣頻發(fā)，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風(fēng)、干旱等災(zāi)害比往年更加嚴(yán)重。在此背景下，推動社會的綠色低碳轉(zhuǎn)型，提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識。在經(jīng)濟(jì)社會踏“綠”前行的過程中，第三代半導(dǎo)體尤其是碳化硅作為關(guān)鍵支撐，如何破局飛速發(fā)展的市場與價(jià)格戰(zhàn)的矛盾，除了當(dāng)下熱門的新能源汽車應(yīng)用，如何在工業(yè)儲能等其他應(yīng)用市場多點(diǎn)開花？在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會上，英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)

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  247

  23小時(shí)前

  英飛凌 碳化硅
• 協(xié)作機(jī)器人到類人機(jī)器人：將系統(tǒng)效率和安全性融入更大功率的機(jī)器人中
  

  隨著制造業(yè)的自動化程度不斷提高，以及消費(fèi)者在家中安裝這些自動化系統(tǒng)，機(jī)器人市場將繼續(xù)增長。公司紛紛開始在其工廠和倉庫中實(shí)現(xiàn)制造系統(tǒng)的自動化，并適應(yīng)未來機(jī)器人與人類進(jìn)行更多互動的情形。 制造機(jī)器人的設(shè)計(jì)工程師了解，有數(shù)百種不同類型的機(jī)器人系統(tǒng)。如圖 1 所示，機(jī)器人種類繁多，從功率只有幾瓦的小型輔助機(jī)器人到自主移動機(jī)器人、類人機(jī)器人以及功率高達(dá) 4kW 及更高的重型工業(yè)機(jī)器人。 圖 1. 協(xié)作機(jī)器人

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  23小時(shí)前

  機(jī)器人 pcb
• 平面技術(shù)PK溝槽技術(shù)：探索碳化硅MOSFET的持續(xù)演進(jìn)
  

  在電力電子應(yīng)用中，功率密度固然重要，但可靠性也同樣至關(guān)重要，甚至在某些應(yīng)用中可能更為關(guān)鍵。盡管工程師通常專注于性能局限性問題，但可能導(dǎo)致計(jì)劃外停機(jī)或維修的實(shí)際故障則較難接受，因?yàn)樗鼈兛赡軙I(yè)務(wù)產(chǎn)生不可預(yù)見的重大影響。因此，溝槽技術(shù)的潛力需要進(jìn)行更全面的評估。雖然溝槽技術(shù)有望成為電力電子工程工具箱的標(biāo)準(zhǔn)配置，事實(shí)上也已經(jīng)被采納使用，但采用這種技術(shù)的人對其提供可靠性能的能力還抱有相當(dāng)多的"大膽一試"的想法。

  安森美半導(dǎo)體

  323

  21小時(shí)前

  碳化硅 MOSFET
• 使用熱插拔控制器增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性
  

  作者：Karl Audison Cabas，產(chǎn)品應(yīng)用開發(fā)工程師 Ralph Clarenz Matocinos，產(chǎn)品應(yīng)用開發(fā)助理工程師 Christian Cruz，產(chǎn)品應(yīng)用高級工程師 摘要 本文探討了在系統(tǒng)級應(yīng)用中實(shí)施熱插拔控制器的優(yōu)勢和好處。熱插拔控制器提供了一種先進(jìn)的解決方案，可無縫插入和拔出電子設(shè)備，確保持續(xù)運(yùn)行、防止過流并進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測。通過提供參考設(shè)計(jì)，用戶可以更好地了解關(guān)鍵功能，從而增

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  12/13 07:03

  控制器 MOSFET
• CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)
  

  Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率密度和優(yōu)越性能。創(chuàng)新型銅夾片設(shè)計(jì)能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色，因此這些器件非常適合電機(jī)控制、電源、可再生能源系統(tǒng)和其他耗電應(yīng)用。該系列還包括專為AI服務(wù)器熱插拔功能設(shè)計(jì)的特定應(yīng)用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項(xiàng)，可實(shí)現(xiàn)高功率密度和可靠的解決方案。所有器件封裝均已在JEDEC注冊，并配備Nexperia交互式數(shù)據(jù)手冊，便于無縫集成。

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  12/12 10:06

  MOSFET Nexperia
• MOSFET規(guī)格書寫的體二極管正向電流175A靠譜嗎？如何計(jì)算真實(shí)的通流能力？-電路易錯點(diǎn)
  

  上一篇文章我們介紹了MOSFET體二極管的關(guān)鍵參數(shù)以及電路設(shè)計(jì)關(guān)注點(diǎn)，其中Diode continuous forward current：體二極管連續(xù)正向電流這一參數(shù)，最大高達(dá)175A，如果是真的，那這個(gè)數(shù)據(jù)已經(jīng)很牛了，但是規(guī)格書這個(gè)參數(shù)有個(gè)角標(biāo)2）：

  硬件那點(diǎn)事兒

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  12/09 14:00

  MOSFET
• 芯品速遞 | 希荻微推出16V、20A 高級熱插拔/電子保險(xiǎn)絲，提供強(qiáng)大的負(fù)載保護(hù)和高效的電源管理
  

  希荻微電子集團(tuán)股份有限公司(股票代碼:688173，以下簡稱“希荻微”)是國內(nèi)領(lǐng)先的模擬及電源管理的集成電路設(shè)計(jì)商，專注于推動高效節(jié)能及智能系統(tǒng)的應(yīng)用。近日，希荻微隆重推出了HL8520E——一款先進(jìn)的熱插拔/電子保險(xiǎn)絲器件，專為敏感負(fù)載電路提供卓越的保護(hù)和精準(zhǔn)的電源控制。 HL8520E旨在保護(hù)系統(tǒng)免受輸入瞬變、短路和電壓尖峰等潛在危害的影響，同時(shí)優(yōu)化電力傳輸以增強(qiáng)可靠性。它寬泛的輸入電壓范圍(

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  1101

  12/06 08:49

  MOSFET 電源管理
• 所有的MOSFET都有體二極管嗎？它有什么作用呢？硬件工程師要搞懂的電路知識點(diǎn)
  

  與三極管等其他的有源器件相比，MOSFET的不同尋常之處在于其原理圖符號會包含一個(gè)寄生器件——體二極管。那么是不是所有的MOSFET都會有體二極管嗎？這個(gè)體二極管它有什么作用呢？

  硬件那點(diǎn)事兒

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  12/06 12:00

  MOSFET 硬件工程師
• Vishay推出性能先進(jìn)的新款40 V MOSFET
  

  器件占位面積小，采用BWL設(shè)計(jì)，ID高達(dá)795 A，可提高功率密度，而且低至0.21 °C/W的RthJC可優(yōu)化熱性能 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? 10x12封裝的新型40 V TrenchFET? 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E，該器件擁有優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，能夠?yàn)楣I(yè)應(yīng)用提供

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  12/04 08:11

  MOSFET 封裝
• 意法半導(dǎo)體車規(guī)八通道柵極驅(qū)動引入專利技術(shù)，降低電機(jī)驅(qū)動設(shè)計(jì)的物料成本
  

  意法半導(dǎo)體 L99MH98 8通道柵極驅(qū)動引入專利技術(shù)，可構(gòu)建沒有電流檢測電阻的直流電機(jī)驅(qū)動設(shè)計(jì)，從而降低耗散功率和物料成本。 L99MH98 能夠獨(dú)立控制四路全橋預(yù)驅(qū)或八路半橋預(yù)驅(qū)或八路高邊/低邊預(yù)驅(qū)，適用于驅(qū)動電動座椅、天窗、側(cè)滑門和電動尾門等直流電機(jī)應(yīng)用。L99MH98內(nèi)置電荷泵，可用于驅(qū)動反接保護(hù) MOSFET。 L99MH98最大柵極驅(qū)動電流可達(dá)120mA, 柵極驅(qū)動能力可配置，滿足驅(qū)動

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  12/04 08:07

  意法半導(dǎo)體 MOSFET
• 愛仕特內(nèi)絕緣型 SiC MOSFET：高效能應(yīng)用的創(chuàng)新驅(qū)動引擎
  

  愛仕特近期推出了1200V和1700V兩款內(nèi)絕緣型TO-247-4封裝的SiC MOSFET。這些創(chuàng)新產(chǎn)品在保持標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸，通過內(nèi)置陶瓷片優(yōu)化了絕緣和導(dǎo)熱性能，背面散熱器做了懸浮電位設(shè)計(jì)，減少了外部絕緣材料依賴，降低了材料老化導(dǎo)致的長期運(yùn)行故障風(fēng)險(xiǎn)，增強(qiáng)了產(chǎn)品可靠性和耐用性。

  愛仕特科技

  900

  12/04 07:55

  MOSFET
• 意法半導(dǎo)體推出采用強(qiáng)化版STripFET F8技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)閾壓40V MOSFET
  

  意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場景。 工業(yè)級晶體管STL300N4F8 和 車規(guī)晶體管STL305N4F8AG 的額定漏極電流高于300A，最大導(dǎo)通電阻 RDS(on)為1mΩ，可在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)出色的能效。動態(tài)性能得到了改進(jìn)，65nC(典型值)

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  11/29 08:58

  意法半導(dǎo)體 MOSFET
• 芯聯(lián)集成供應(yīng)蔚來樂道首發(fā)車型
  

  近日，蔚來旗下全新品牌樂道首款車型樂道L60上市，芯聯(lián)集成為樂道L60供應(yīng)碳化硅模塊。 樂道L60是同級別車型中唯一采用全域900V高壓平臺架構(gòu)的車型，其主電驅(qū)系統(tǒng)搭載的蔚來自研1200V SiC碳化硅功率模塊，融合了芯聯(lián)集成提供的高性能碳化硅模塊制造技術(shù)。 這不僅實(shí)現(xiàn)了動力系統(tǒng)的高效率和高穩(wěn)定性，也在降低能耗的同時(shí)顯著提高了L60的續(xù)航里程，這進(jìn)一步為終端消費(fèi)者帶來了良好的駕乘體驗(yàn)。 來源：樂道

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  11/26 12:21

  SiC MOSFET
• 貿(mào)澤電子開售能為電動汽車牽引逆變器提供可擴(kuò)展性能的英飛凌HybridPACK Drive G2模塊
  

  提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌的HybridPACK? Drive G2模塊。HybridPACK Drive G2模塊基于HybridPACK Drive G1，在相同的緊湊尺寸下提供更高的功率密度。HybridPACK Drive G2模塊是一款高效率的汽車功率模塊，適用于電動汽車 (EV

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  524

  11/26 08:47

  英飛凌 貿(mào)澤電子
• 英飛凌推出OptiMOS Linear FET 2 MOSFET
  

  為了滿足AI服務(wù)器和電信領(lǐng)域的安全熱插拔操作要求，MOSFET必須具有穩(wěn)健的線性工作模式和較低的 RDS(on) 。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出的新型OptiMOS? 5 Linear FET 2解決了這一難題，這款MOSFET專為實(shí)現(xiàn)溝槽 MOSFET的RDS(on)與經(jīng)典平面 MOSFET 的寬安全工作區(qū)（SOA）之間的理想平衡而設(shè)計(jì)。該半導(dǎo)體器

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  1405

  11/25 08:34

  英飛凌 MOSFET
• MOSFET規(guī)格書中單脈沖雪崩能量EAS如何理解？電路設(shè)計(jì)咋用它計(jì)算MOS會損壞嗎？
  

  打開MOSFET規(guī)格書，我們會發(fā)現(xiàn)所有的MOSFET規(guī)格書在Maximum ratings，也就是極限電氣參數(shù)中給出Avalanche energy, single pulse的值，單位是mJ，對應(yīng)中文含義是單脈沖雪崩能量，那么這一參數(shù)到底表征了什么含義？當(dāng)我們在設(shè)計(jì)MOSFET電路時(shí)又該如何考量這一參數(shù)帶來的限制呢？

  硬件那點(diǎn)事兒

  3285

  11/22 13:09

  MOSFET 電路設(shè)計(jì)
• 艾睿電子助力SAVART Motors擴(kuò)大其在印尼的電動車制造規(guī)模
  

  全球技術(shù)解決方案供應(yīng)商艾睿電子宣布為印尼本土電動車制造商SAVART Motors提供支持，助力其設(shè)計(jì)和制造高品質(zhì)、安全且經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的電動兩輪車。首批數(shù)百輛SAVART電動兩輪車預(yù)計(jì)將于2025年第二季度投入市場。 艾睿電子助力SAVART Motors擴(kuò)大其在印尼的電動車制造規(guī)模 SAVART Motors成立于2018年，是少數(shù)幾家擁有自主研發(fā)能力、先進(jìn)原型硬件和軟件的本地品牌之一，并且該企業(yè)還

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  548

  11/20 08:20

  人工智能 MOSFET
• Vishay 新款150 V MOSFET具備業(yè)界領(lǐng)先的功率損耗性能
  

  TrenchFET? 器件采用PowerPAK? SO-8S封裝，RthJC低至0.45 °C/W，ID高達(dá)144 A，從而提高功率密度 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? SO-8S（QFN 6x5）封裝的全新150 V TrenchFET? Gen V N溝道功率MOSFET---SiRS5700

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  715

  11/20 08:17

  電阻 MOSFET
• 有的MOSFET電路柵源極為什么要并聯(lián)穩(wěn)壓二極管？一文搞懂MOS Vdss，Vgss，Id參數(shù)選型
  

  無論任何元器件的選型，第一步都是去仔細(xì)閱讀對應(yīng)的datasheet，那么如何看懂datasheet就很重要，打開datasheet，哪些參數(shù)是需要重點(diǎn)關(guān)注的，哪些是需要參考的，這是硬件設(shè)計(jì)的基本功。今天我們的主角是MOSFET，接下來我們就分幾篇文章介紹一下MOSFET選型時(shí)的重點(diǎn)參數(shù)關(guān)注以及講解。

  硬件那點(diǎn)事兒

  1418

  11/20 16:34

  MOSFET 穩(wěn)壓二極管
• MOSFET電路柵源極GS之間并聯(lián)電容后，MOS管為什么會炸管？原因分析
  

  上一篇文章我們介紹了在進(jìn)行MOSFET相關(guān)的電路設(shè)計(jì)時(shí)，可能會遇到MOSFET誤導(dǎo)通的問題，為了解決此問題，我們提出了兩種方法，一種是增大MOSFET柵極串聯(lián)電阻的阻值，另外一種是在MOSFET柵-源極之間并聯(lián)一個(gè)電容，有讀者在評論區(qū)說如果在柵-源極并聯(lián)一個(gè)電容，MOSFET可能會出現(xiàn)炸管的問題？那么在MOSFET柵-源極并聯(lián)電容和MOSFET炸管是否真的有聯(lián)系？內(nèi)在的機(jī)制又是什么？如何解決？今天我們就詳細(xì)分析一下。

  硬件那點(diǎn)事兒

  1423

  11/14 14:29

  MOSFET 電路設(shè)計(jì)

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