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IGBT

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（Giant Transistor，GTR）的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（Giant Transistor，GTR）的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳收起

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    日前，在功率器件、MEMS、連接三大產(chǎn)品方向上擁有領(lǐng)先核心芯片技術(shù)的芯聯(lián)集成（688469.SH）與廣汽埃安簽訂了一項(xiàng)長(zhǎng)期合作戰(zhàn)略協(xié)議。 根據(jù)協(xié)議，芯聯(lián)集成將為廣汽埃安旗下全系新車型提供高性能的碳化硅（SiC）MOSFET與硅基IGBT芯片和模塊，這些芯片和模塊將被應(yīng)用于廣汽埃安未來(lái)幾年內(nèi)生產(chǎn)的上百萬(wàn)輛新能源汽車上，以提供更高效、更穩(wěn)定的能源轉(zhuǎn)換和控制，從而提升車輛的性能和駕駛體驗(yàn)。 通過(guò)與芯聯(lián)集
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    對(duì)于IGBT的門極所需的驅(qū)動(dòng)功率的大小計(jì)算，我們經(jīng)常在拿到IGBT規(guī)格書的時(shí)候會(huì)根據(jù)其中的Qg或者輸入電容Ciss(Ciss=Cge+Cgc)做一個(gè)大致的計(jì)算,P=Qg*ΔVge*f或者P=Ciss*5*ΔVge2*f，今天我們就來(lái)聊聊IGBT驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)功率的計(jì)算。
    4.8萬(wàn)
    09/30 10:31
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    7005
    09/26 08:50
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    在電力電子的很多應(yīng)用，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)，有時(shí)會(huì)出現(xiàn)短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時(shí)間內(nèi)承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會(huì)在數(shù)據(jù)手冊(cè)中標(biāo)出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時(shí)間是10us，IGBT7短路時(shí)間是8us。而大部分的SiC MOSFET都沒有標(biāo)出短路能力，即使有，也比較短，例如英飛凌的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標(biāo)稱短路時(shí)間是3us，EASY封裝器件標(biāo)稱短路時(shí)間是2us。為什么IGBT和SiC MOSFET短路能力差這么多，這是SiC天生的缺陷嗎？今天我們簡(jiǎn)單分析一下。
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    Wolfspeed 創(chuàng)新性 2300 V 模塊采用 200 mm 碳化硅技術(shù)，為包括可再生能源、儲(chǔ)能、高容量快速充電基礎(chǔ)設(shè)施在內(nèi)的眾多應(yīng)用帶來(lái)能效提升 Wolfspeed 宣布與地面電站逆變器知名制造商 EPC Power 達(dá)成合作 全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc.（NYSE: WOLF）于近日宣布推出最新 2300 V 無(wú)基板碳化硅模塊。這一碳化硅解決方案經(jīng)過(guò)優(yōu)化設(shè)
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    總投資12億元！這一IGBT項(xiàng)目明年投產(chǎn)
    9月6日，據(jù)“內(nèi)江新區(qū)”消息，晶益通（四川）半導(dǎo)體科技有限公司旗下IGBT模塊材料和封測(cè)模組產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目已完成建設(shè)總進(jìn)度的40%，預(yù)計(jì)在明年5月建成。
  • 功率半導(dǎo)體企業(yè)分析——華潤(rùn)微
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    一、華潤(rùn)集團(tuán)發(fā)展歷史 說(shuō)起華潤(rùn)，很多人可能即熟悉又陌生。華潤(rùn)的名字很熟悉是因?yàn)樵谏钪械姆椒矫婷娑寄芸吹?，比如華潤(rùn)萬(wàn)家超市、華潤(rùn)萬(wàn)象城等生活場(chǎng)景；陌生則是因?yàn)槠煜麓蟛糠止镜纳鲜械卦谙愀?，?guó)內(nèi)接觸的比較少。而在科技領(lǐng)域，華潤(rùn)也有所布局和建樹，且成為了國(guó)內(nèi)細(xì)分領(lǐng)域的龍頭之一，這就是今天我們要為大家分析的華潤(rùn)集團(tuán)旗下科技及新興產(chǎn)業(yè)板塊的上市公司之一——華潤(rùn)微。 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，華潤(rùn)微多項(xiàng)產(chǎn)品的性能、
  • 喜報(bào) | 芯聯(lián)集成成為中國(guó)電力發(fā)展促進(jìn)會(huì)電力電子器件專委會(huì) “副會(huì)長(zhǎng)單位”
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    日前，中國(guó)電力發(fā)展促進(jìn)會(huì)電力電子器件專業(yè)委員會(huì)成立大會(huì)在南京召開，芯聯(lián)集成成為專委會(huì)“副會(huì)長(zhǎng)單位”。 8月15日，中國(guó)電力發(fā)展促進(jìn)會(huì)電力電子器件專業(yè)委員會(huì)（下稱"專委會(huì)"）成立大會(huì)在南京召開。大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)舉行了專委會(huì)揭牌儀式及會(huì)長(zhǎng)單位、副會(huì)長(zhǎng)單位、秘書長(zhǎng)單位授牌儀式。芯聯(lián)集成電路制造有限公司（下稱“芯聯(lián)集成”）被專委會(huì)授予“副會(huì)長(zhǎng)單位”，公司CEO趙奇參加授牌儀式。 中國(guó)電力發(fā)展促進(jìn)會(huì)電力電子器件專委
  • 時(shí)代電氣——始于軌交、興于功率半導(dǎo)體
    時(shí)代電氣——始于軌交、興于功率半導(dǎo)體
    在“雙碳”背景下，國(guó)內(nèi)新能源車、發(fā)電產(chǎn)業(yè)“風(fēng)-光-儲(chǔ)-氫”市場(chǎng)多點(diǎn)耦合爆發(fā)，市場(chǎng)前景巨大，蘊(yùn)含無(wú)限商機(jī)。伴隨著新能源行業(yè)的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體近幾年也在實(shí)現(xiàn)快速的國(guó)產(chǎn)替代，今天我們來(lái)分析一家老牌國(guó)企——時(shí)代電氣，看看公司是如何在功率半導(dǎo)體等相關(guān)新興產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)逆襲的。 2023年，時(shí)代電氣新興裝備業(yè)務(wù)乘勢(shì)突破，紛紛擠入行業(yè)前列。其中乘用車功率模塊裝機(jī)量100.55萬(wàn)套，位居行業(yè)前三，市場(chǎng)占有率達(dá) 12
  • 斯達(dá)半導(dǎo)——國(guó)產(chǎn)IGBT龍頭，持續(xù)助力新能源發(fā)展
    斯達(dá)半導(dǎo)——國(guó)產(chǎn)IGBT龍頭，持續(xù)助力新能源發(fā)展
    近日，國(guó)家印發(fā)了《關(guān)于加快經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展全面綠色轉(zhuǎn)型的意見》，意見提出到2030年，節(jié)能環(huán)保產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)到15萬(wàn)億元左右。其中提到要求加快西北風(fēng)電光伏、西南水電、海上風(fēng)電、沿海核電等清潔能源基地建設(shè)，積極發(fā)展分布式光伏、分散式風(fēng)電等新能源。大力推廣新能源汽車，推動(dòng)城市公共服務(wù)車輛電動(dòng)化替代，到2035年，新能源汽車成為新銷售車輛的主流等新能源領(lǐng)域的相關(guān)政策。 作為半導(dǎo)體芯片行業(yè)，與國(guó)家新能源戰(zhàn)略發(fā)展最
    6393
    08/14 09:00
  • 漲聲四起，功率半導(dǎo)體一片叫好
    漲聲四起，功率半導(dǎo)體一片叫好
    過(guò)去幾年，功率半導(dǎo)體隨著新能源汽車以及光伏產(chǎn)業(yè)的一路狂奔，其市場(chǎng)規(guī)模在半導(dǎo)體行業(yè)整體下滑的大趨勢(shì)下逆勢(shì)生長(zhǎng)，業(yè)績(jī)?cè)谝槐姲雽?dǎo)體公司中顯得非常亮眼。 然而，2023年，由于新能源汽車和光伏產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇、市場(chǎng)飽和等因素，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)增速有所放緩。
  • 芯聯(lián)集成CEO趙奇受邀參加“科創(chuàng)板開市五周年峰會(huì)” ?
    芯聯(lián)集成CEO趙奇受邀參加“科創(chuàng)板開市五周年峰會(huì)” ?
    芯聯(lián)集成聯(lián)合創(chuàng)始人、CEO趙奇受邀參加由科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)舉辦的“科創(chuàng)板開市五周年峰會(huì)”活動(dòng)，并就半導(dǎo)體行業(yè)趨勢(shì)、技術(shù)創(chuàng)新等熱點(diǎn)話題和在場(chǎng)受邀嘉賓展開討論。 當(dāng)提及去年下半年開始，全球半導(dǎo)體行業(yè)溫和復(fù)蘇的現(xiàn)象時(shí)，趙奇在論壇上表示，本輪半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇與以往情況有兩點(diǎn)不同。 一方面，自去年四季度到現(xiàn)在，市場(chǎng)處于緩慢的復(fù)蘇之中，客戶相比以前更加理性，客戶根據(jù)市場(chǎng)實(shí)際需求來(lái)拉升產(chǎn)量，而不會(huì)如以往進(jìn)行恐慌性備貨、搶
  • 直面IGBT模塊封裝壁壘：難點(diǎn)在于高可靠性
    近幾年，隨著新能源汽車的快速發(fā)展，作為新能源汽車內(nèi)用控制器的主要成本構(gòu)成器件IGBT也迎來(lái)了爆發(fā)，預(yù)計(jì)到2025年，中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到522億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率近20%。然而，從設(shè)計(jì)及制造維度來(lái)看，縱觀全球車規(guī)級(jí)IGBT產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀，目前差不多70%的市場(chǎng)份額都被歐、美，日等國(guó)刮分。國(guó)內(nèi)的IGBT設(shè)計(jì)及制造能力發(fā)展卻參差不齊，當(dāng)然其中也不乏有跟得上腳步，不斷的進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新，并從中獲得自身價(jià)值和自我突破的民族企業(yè)，深圳福英達(dá)就是其中一例。
  • 簡(jiǎn)述半導(dǎo)體原理——晶體管家族的核心工作機(jī)制
    簡(jiǎn)述半導(dǎo)體原理——晶體管家族的核心工作機(jī)制
    在電力電子行業(yè)中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）無(wú)疑是廣為人知的明星器件。然而，當(dāng)我們面對(duì)基于GaN（氮化鎵）材料的HEMT（高電子遷移率晶體管）技術(shù)時(shí)，可能會(huì)感到些許陌生。為了更全面地了解這一領(lǐng)域，讓我們對(duì)晶體管家族的譜系進(jìn)行一次詳盡的梳理，如圖1所示，這樣我們能更清晰地把握它們之間的關(guān)系與差異。
  • 本土功率器件上市公司營(yíng)收top10 | 2023年
    本土功率器件上市公司營(yíng)收top10 | 2023年
    功率器件是電力電子電路的重要組成部分，具有處理高電壓，大電流能力的半導(dǎo)體器件，其作用是在電路中控制電流、電壓和功率的分配。根據(jù)工作原理和材料結(jié)構(gòu)，功率器件主要分為二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT，功率模塊以及第三代半導(dǎo)體SiC、GaN器件等類型。
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    07/03 10:30
  • 合計(jì)近51億！江蘇、浙江新增2個(gè)功率半導(dǎo)體項(xiàng)目
    合計(jì)近51億！江蘇、浙江新增2個(gè)功率半導(dǎo)體項(xiàng)目
    近日，國(guó)內(nèi)新增了2個(gè)車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體項(xiàng)目：○ 揚(yáng)杰科技：車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊項(xiàng)目環(huán)評(píng)獲受理，年產(chǎn)能200萬(wàn)只，總投資8000萬(wàn)元；○中順通利：車規(guī)功率器件項(xiàng)目簽約，總投資50億元。
  • 5億元、1400萬(wàn)只！安徽新增1個(gè)IGBT項(xiàng)目
    5億元、1400萬(wàn)只！安徽新增1個(gè)IGBT項(xiàng)目
    前幾日，安徽再次簽約1個(gè)IGBT項(xiàng)目！6月18日，據(jù)“黟縣發(fā)布?”消息，黟縣舉行2024年二季度工業(yè)招商重點(diǎn)項(xiàng)目集中簽約儀式。本次儀式現(xiàn)場(chǎng)集中簽約5個(gè)項(xiàng)目，其中億元以上項(xiàng)目3個(gè)，總投資7.6億元，涉及電子信息、綠色食品等領(lǐng)域。其中包括一個(gè)IGBT項(xiàng)目——旺榮IGBT封裝和模組生產(chǎn)基地項(xiàng)目。

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