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IGBT

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（Giant Transistor，GTR）的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（Giant Transistor，GTR）的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳收起

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    09/30 10:31
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    日前，中國電力發(fā)展促進會電力電子器件專業(yè)委員會成立大會在南京召開，芯聯(lián)集成成為專委會“副會長單位”。 8月15日，中國電力發(fā)展促進會電力電子器件專業(yè)委員會（下稱"專委會"）成立大會在南京召開。大會現(xiàn)場舉行了專委會揭牌儀式及會長單位、副會長單位、秘書長單位授牌儀式。芯聯(lián)集成電路制造有限公司（下稱“芯聯(lián)集成”）被專委會授予“副會長單位”，公司CEO趙奇參加授牌儀式。 中國電力發(fā)展促進會電力電子器件專委
  • 時代電氣——始于軌交、興于功率半導體
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    在“雙碳”背景下，國內(nèi)新能源車、發(fā)電產(chǎn)業(yè)“風-光-儲-氫”市場多點耦合爆發(fā)，市場前景巨大，蘊含無限商機。伴隨著新能源行業(yè)的快速發(fā)展，功率半導體近幾年也在實現(xiàn)快速的國產(chǎn)替代，今天我們來分析一家老牌國企——時代電氣，看看公司是如何在功率半導體等相關新興產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)逆襲的。 2023年，時代電氣新興裝備業(yè)務乘勢突破，紛紛擠入行業(yè)前列。其中乘用車功率模塊裝機量100.55萬套，位居行業(yè)前三，市場占有率達 12
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    08/20 15:30
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    近日，國家印發(fā)了《關于加快經(jīng)濟社會發(fā)展全面綠色轉型的意見》，意見提出到2030年，節(jié)能環(huán)保產(chǎn)業(yè)規(guī)模達到15萬億元左右。其中提到要求加快西北風電光伏、西南水電、海上風電、沿海核電等清潔能源基地建設，積極發(fā)展分布式光伏、分散式風電等新能源。大力推廣新能源汽車，推動城市公共服務車輛電動化替代，到2035年，新能源汽車成為新銷售車輛的主流等新能源領域的相關政策。 作為半導體芯片行業(yè)，與國家新能源戰(zhàn)略發(fā)展最
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  • 漲聲四起，功率半導體一片叫好
    漲聲四起，功率半導體一片叫好
    過去幾年，功率半導體隨著新能源汽車以及光伏產(chǎn)業(yè)的一路狂奔，其市場規(guī)模在半導體行業(yè)整體下滑的大趨勢下逆勢生長，業(yè)績在一眾半導體公司中顯得非常亮眼。 然而，2023年，由于新能源汽車和光伏產(chǎn)業(yè)競爭加劇、市場飽和等因素，功率半導體市場增速有所放緩。
  • 芯聯(lián)集成CEO趙奇受邀參加“科創(chuàng)板開市五周年峰會” ?
    芯聯(lián)集成CEO趙奇受邀參加“科創(chuàng)板開市五周年峰會” ?
    芯聯(lián)集成聯(lián)合創(chuàng)始人、CEO趙奇受邀參加由科創(chuàng)板日報舉辦的“科創(chuàng)板開市五周年峰會”活動，并就半導體行業(yè)趨勢、技術創(chuàng)新等熱點話題和在場受邀嘉賓展開討論。 當提及去年下半年開始，全球半導體行業(yè)溫和復蘇的現(xiàn)象時，趙奇在論壇上表示，本輪半導體產(chǎn)業(yè)復蘇與以往情況有兩點不同。 一方面，自去年四季度到現(xiàn)在，市場處于緩慢的復蘇之中，客戶相比以前更加理性，客戶根據(jù)市場實際需求來拉升產(chǎn)量，而不會如以往進行恐慌性備貨、搶
  • 直面IGBT模塊封裝壁壘：難點在于高可靠性
    近幾年，隨著新能源汽車的快速發(fā)展，作為新能源汽車內(nèi)用控制器的主要成本構成器件IGBT也迎來了爆發(fā)，預計到2025年，中國IGBT市場規(guī)模將達到522億元，年復合增長率近20%。然而，從設計及制造維度來看，縱觀全球車規(guī)級IGBT產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀，目前差不多70%的市場份額都被歐、美，日等國刮分。國內(nèi)的IGBT設計及制造能力發(fā)展卻參差不齊，當然其中也不乏有跟得上腳步，不斷的進行技術創(chuàng)新，并從中獲得自身價值和自我突破的民族企業(yè)，深圳福英達就是其中一例。
  • 簡述半導體原理——晶體管家族的核心工作機制
    簡述半導體原理——晶體管家族的核心工作機制
    在電力電子行業(yè)中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）無疑是廣為人知的明星器件。然而，當我們面對基于GaN（氮化鎵）材料的HEMT（高電子遷移率晶體管）技術時，可能會感到些許陌生。為了更全面地了解這一領域，讓我們對晶體管家族的譜系進行一次詳盡的梳理，如圖1所示，這樣我們能更清晰地把握它們之間的關系與差異。
  • 本土功率器件上市公司營收top10 | 2023年
    本土功率器件上市公司營收top10 | 2023年
    功率器件是電力電子電路的重要組成部分，具有處理高電壓，大電流能力的半導體器件，其作用是在電路中控制電流、電壓和功率的分配。根據(jù)工作原理和材料結構，功率器件主要分為二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT，功率模塊以及第三代半導體SiC、GaN器件等類型。
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    07/03 10:30
  • 合計近51億！江蘇、浙江新增2個功率半導體項目
    合計近51億！江蘇、浙江新增2個功率半導體項目
    近日，國內(nèi)新增了2個車規(guī)級功率半導體項目：○ 揚杰科技：車規(guī)級IGBT功率模塊項目環(huán)評獲受理，年產(chǎn)能200萬只，總投資8000萬元；○中順通利：車規(guī)功率器件項目簽約，總投資50億元。
  • 5億元、1400萬只！安徽新增1個IGBT項目
    5億元、1400萬只！安徽新增1個IGBT項目
    前幾日，安徽再次簽約1個IGBT項目！6月18日，據(jù)“黟縣發(fā)布?”消息，黟縣舉行2024年二季度工業(yè)招商重點項目集中簽約儀式。本次儀式現(xiàn)場集中簽約5個項目，其中億元以上項目3個，總投資7.6億元，涉及電子信息、綠色食品等領域。其中包括一個IGBT項目——旺榮IGBT封裝和模組生產(chǎn)基地項目。

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